液晶聚合物薄膜在高频电子封装中的应用进展

系统地介绍了液晶聚合物(LCP)薄膜材料的特性,同时介绍了LCP覆铜板的3种生产方法,分析了作为基板材料与其他传统基板材料的优势,综述了近年来LCP薄膜作为微波和毫米波材料在系统级封装中的研究进展,并指出LCP薄膜是一种具有巨大发展潜力的高频电子封装材料。     

DBC电子封装基板研究进展

综述了DBC电子封装基板的研究进展,介绍了DBC电子封装基板材料的选择、敷电子封装中的使用特点,并展望了DBC电子封装基板的应用前景.     

低温共烧基板材料研究进展

LTCC是现代微电子封装中的重要组成部分,因性能优良而广泛应用于高速、高频系统.LTCC基板材料的性能决定封装的质量,材料的研究在LTCC的进展中发挥了重要作用.LTCC基板材料可分为两大类:玻璃/陶瓷和微晶玻璃.概述了各类基板材料的组成、性能和应用方面的情况,并介绍了各类材料研究的进展,指出了基板材料未来的发展方向.     

环氧树脂产品的应用、改性及发展

电子级环氧塑封料飞速发展 根据封装材料的不同,电子封装可分为塑料封装、陶瓷封装和金属封装3种,其中后2种为气密性封装,主要用于航天、航空及军事领域,而塑料封装则广泛使用于民用领域.由于塑料封装半导体芯片的材料成本低,又适合于大规模自动化生产,近年来无论晶体管或集成电路都已越来越多地采用塑料封装,陶瓷和金属封装正在迅速减少.     

低介微波介质陶瓷基板材料研究进展

低介电常数能减小基板与电极之间的交互耦合损耗并提高电信号的传输速率,高品质因数有利于提高器件工作频率的可选择性和简化散热结构设计,近零的谐振频率温度系数有助于提高器件的频率温度稳定特性。特别在工作频率逐渐提高的情况下,介电损耗不断增大,器件发热量迅速增加,材料的热导率成为一个需要重点考虑的因素。由于陶瓷材料的热导率是有机材料的20倍左右,因此,低介电常数微波介质陶瓷成为制备高性能基板的理想材料。此外,基板材料还需具备高强度和优越的表面/界面特性等综合性能。鉴于此,首先评述了介电常数小于15的低介微波介质陶瓷材料体系的研究进展情况,在此基础上,介绍了降低基板材料介电常数的方法和表面致密化措施,最后指出了在高性能低介微波介质陶瓷基板材料研制过程中面临的问题及今后的发展方向。     

合肥研究院在先进电子封装材料研究中取得系列进展

正近日,中国科学院合肥物质科学研究院应用技术研究所先进材料中心研发团队,在先进电子封装材料研究方面取得系列进展。新型处理器的运行速度越来越快,高性能仪器的能耗在不断增加,这迫使廉价的"辅助基板"或"依赖设备"要跟上发展的步伐,热管理技术逐渐成为工程师们必须考虑的问题,对绝缘场合用作封装和热界面材料使用的高热绝缘材料的需求越来越高。在半导体管与散热器的封装、管芯的保护、     

LED封装基板研究新进展

基板散热是LED散热的最主要途径,其散热能力直接影响到LED器件的性能和可靠性。总结了LED封装基板材料的性能,综述了金属基板、陶瓷基板、硅基板和新型复合材料基板的研究进展,展望了功率型LED封装基板的应用和发展趋势。综合表明,MCPCB,DBC,DAB,DPC等基板各具优势,但DPC基板各种制备工艺参数合适,特别是铝碳化硅基板(Al/Si C)有着低原料成本、高导热、低密度和良好可塑性的显著优势,有望大面积推广应用。     

微波烧结微波介质陶瓷的研究进展

随着通信行业的发展,尤其是5G商用时代的来临,微波介质陶瓷的开发与探索成了近年来的研究热点.目前通常采用常压固相烧结的方式来制备微波介质陶瓷,但烧结温度较高、加热速度慢,且烧结时间过长,不仅会导致资源的损耗,还可能导致晶粒的异常长大.为了降低陶瓷材料的烧结温度,通常会添加烧结助剂,如B2 O3、CuO等,但加入烧结助剂会引入第二相从而影响微波介电性能.作为一种高效的烧结方法,微波烧结技术是在烧结过程中通过微波与材料粒子的相互作用或微波与基本微观结构耦合产生的热量进行加热,不仅能降低烧结温度、缩短烧结时间,还能改善材料的显微组织,因此,近年来微波烧结成为研究者关注的焦点.采用微波烧结制备的微波介质陶瓷在各个领域中都有应用,如Mg2 TiO4陶瓷用于多层电容器和微波谐振器,BaTiO3陶瓷用于多层陶瓷电容器(MLCC)和随机存取存储器(RAM),MgTiO3陶瓷用于微波滤波器、通信天线和微波频率全球定位系统,TiO2陶瓷用于电容器和低温共烧陶瓷基板等.不仅如此,采用微波烧结制备的微波介质陶瓷还表现出优异的化学稳定性和力学性能,如LiAlSiO4基陶瓷、MgO-B2 O3-SiO2基陶瓷等在多层陶瓷基板与微波集成电路中都有广泛的应用.微波烧结技术为制备优异的材料提供了可能,还可用于在各种粉末的制备,实现性能的进一步提升.本文综述了微波烧结制备微波介质陶瓷的研究进展,总结了常规烧结和微波烧结对材料性能的影响,并指出采用微波烧结制备的微波介质陶瓷目前存在的问题与发展趋势.     

集成电路封装技术与高分子材料

电子封装可以定义为:将半导体芯片结合在一起形成一个以半导体为基础的电子功能块器件。我们可以在三个层次上来讨论电子封装,即芯片封装、电路板封装与组件封装。芯片封装是把芯片安装在一个载体上,也可以安装在电路板或组件上。这类载体可以有多种形式,包括传统的注射模塑金属框架载体,称作双列直插封装(DIP)、陶瓷载体以及最近的高分子薄膜载体(TAB)。电路板封装通常是在环氧树脂为基板的印制     

功率型LED散热基板的研究进展

在与传统LED散热基板散热性能比较的基础上,分析了国内外功率型LED散热基板的研究现状,介绍了金属芯印刷电路板、陶瓷基板、金属绝缘基板和金属基复合基板的结构特点、导热性能及封装应用,指出了功率型LED基板材料的发展趋势及需要解决的问题.     

改善PCB高密度基板封装质量的研究

高密度基板上的微孔质量对封装微电子器件十分重要,由于孔密度大,孔径又小,目前普遍采用激光打孔。针对基板的组成材料以及激光加工中主要参数对微孔加工的影响进行分析研究。通过不同材料粘结力和改变激光的功率、脉宽等措施,改善基板电子元器件封装的质量。     

陶瓷基板表面金属化研究现状与发展趋势

散热基板是大功率电子元器件散热的重要通道,其导热性能将直接影响功率型电子元器件的可靠性与使用寿命。详细介绍了陶瓷作为高导热的散热基板材料,其表面金属化的技术方案及发展现状,同时指出了各种金属化方案的关键技术难点,对比分析了各类陶瓷封装散热基板的特点与性能差异,并在此基础上对陶瓷基板的发展趋势进行预测。     

电子封装用陶瓷基片材料的研究进展

简要介绍了电子封装发展情况及其对基片材料的性能要求,分析了陶瓷基片作为封装材料性能上的优点,概述了几种常用陶瓷基片材料的优缺点及其应用:Al2O3作为传统的陶瓷基片材料,优点是成熟的工艺和低廉的价格,但热导率不高;BeO、BN、SiC等都具有高热导率,在某些封装场合是合适的选择;AIN综合性能最好,是最有希望的电子封装陶瓷基片材料.介绍了多层陶瓷基片材料的共烧技术和流延成型技术,并指出LTCC技术和水基流延将是未来发展的重点.     

电子封装基片材料研究进展

阐述了电子封装领域对基片材料的基本要求,分析了电子封装用陶瓷,环氧玻璃,金钢石,金属及金属基合材料的性能特点,论述了电子封装基本的研究现状,并指出了发展方向。     

透明氮化铝陶瓷研究的新进展

氮化铝（AIN）陶瓷是近年来受到广泛关注的新一代先进陶瓷,有着广泛的应用前景．由于AIN陶瓷的高热导性和低电导率、介电常数和介电损耗,使之在大功率微电子领域成为高密度集成电路基板和封装的理想候选材料,具有巨大的潜在应用市场．但是普通AIN陶瓷因为相对低的纯度和烧结性而不能满足高热导的期望．国际上关于AIN透明陶瓷的报道极少[1,2],而国内尚未见报道．最近我们开展了透明氨化铝陶瓷材料的烧结及其热性能和结构的表征研究．从研究氨化铝低温烧结所需的烧结助剂出发,根据在不同烧结助剂体系下,氨化铝表现出的不同烧结行…     

电子封装用陶瓷基片材料的研究现状

陶瓷材料具有高熔点、高硬度、高耐磨性、耐氧化等优点,是电子封装基片的重要材料。本文介绍了Al_2O_3、AlN、Si_3N_4、SiC、BeO、BN等几种常用的陶瓷基片材料并分析了它们的性能特点,最后还介绍了电子封装陶瓷基片的成型工艺。     

提高Al2O3陶瓷表面化学镀Cu层结合力的研究

化学镀Ｃｕ是Ａｌ２Ｏ３陶瓷基板表面金属化的一种颇具优势的方法,但镀层与基板之间的结合力较低影响其广泛应用。本文通过选取适当的腐蚀剂,改善了Ａｌ２Ｏ３陶瓷表面形貌,从而获得了２５ＭＰａ以上的镀层结合强度,可满足电子封装的要求。另外,本文通过ＳＥＭ及ＥＤＡＸ,对腐蚀产生的结合强度的提高进行了微观分析。     

玻璃纤维蜂窝复合材料在光伏电池组件中的应用分析

本文阐述了采用玻璃纤维蜂窝复合材料替代光伏组件的玻璃底衬基板，并利用特殊工艺对光伏组件进行封装，既可满足光伏组件底衬基板的性能要求，又可减轻光伏组件的重量，必将成为光伏组件层压封装的首选材料。     

电子陶瓷基板技术取得产业化突破

高端陶瓷基板是超小型片式电阻元件的载体材料，在其基础上制作的片式电阻被广泛应用于移动通信、计算机、家用电器和汽车电子等领域。只要打开手机、电脑、数码设备等电子产品的外壳，我们看到电路板上密密麻麻的小型表面贴装电阻元件就是由它作为基体制作而成的。由于有其特殊的技术要求，加上设备投资大、制造工艺复杂，国内现有技术尚无法实现高端陶瓷基板大规模产业化生产。在全球，也只有日本京瓷公司、尼可公司以及德国的赛郎泰克公司等少数几家企业掌握核心制造技术。作为世界上最大的陶瓷基板生产国，日本占据了全球50％左右的份额。     

电子封装无铅软钎焊技术研究进展

软钎焊技术被广泛应用于电子封装领域,可实现电子封装器件与材料之间的互连。SnPb钎料因其良好的润湿性能、焊接性能和合适的价格,一直是电子封装领域中使用较为普遍的钎焊材料。但是,Pb是一种会对人体和环境造成伤害的元素。随着人们环保意识的增强,铅的使用受到了极大的限制,无铅钎料取代SnPb钎料是钎料发展的必然趋势,加速了软钎焊技术向无铅化发展的进程。在钎焊时,助焊剂的性能决定了焊接的效率和质量,因此选择合适的助焊剂是关键。目前,国内外研究学者对无铅软钎焊进行了大量研究,并取得了丰富的成果,例如:通过合金化、颗粒强化等方法研发出多种新型无铅钎料;美、日、欧三方分别发布了无铅钎料和无铅软钎焊发展指南;研发出多种无铅免清洗型助焊剂。因此,基于软钎焊技术的基础研究和应用开发体系已经成熟。应用较为广泛的软钎焊技术有三种,包括波峰焊、回流焊和半导体激光焊。波峰焊一般应用于混合组装方面,回流焊主要应用于表面贴装方面。作为群焊工艺的半导体激光焊经常应用于印刷电路板上焊接电子元件、片状元件的组装等方面。随着电子产品逐渐向小型化和多功能化的方向发展,对连接可靠性的要求越来越高,但基于无铅软钎焊技术的研究和应用开发仍显不足。本文针对电子封装无铅软钎焊技术,探讨了软钎焊技术的研究进展和发展方向。首先,对无铅钎料、助焊剂的种类和组成进行介绍。然后针对无铅化带来的Sn和Cu界面反应的问题,通过Cu基板提出了基板合金化、对基板进行退火处理和化学镀三种解决措施。最后重点阐述了回流焊、波峰焊和半导体激光焊及其应用,为研究电子封装无铅软钎焊技术提供了进一步的理论基础。