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1.
p^+—GaInAsSb/p—GaInAsSb/n—GaSb异质结红外探测器
李树玮
金亿鑫
《高技术通讯》
1996,6(2):7-11
GaInAsSb是红外探测器中重要的半导体材料之一。我们用水平常压金属氧化物化学气相淀积技术在n型GaSb衬底上成功地生长了GaInAsSb外延层,用PL谱,红外吸收谱,X射线衍射和扫描电子超声显微镜等实验手段对GaInAsSb外延层进行了表征。
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