一种适于LSI及浅结器件的硅片表面加工技术

通过氧本征内吸杂工艺前后硅片的实际器件制管试验、少子寿命测试及吸杂硅片的纵向解剖，制管性能大大改善，管芯平均制造合格率提高５％～１５％，硅片表面少子寿命提高一个数量级以上。另外研究还表明，吸杂硅片经高温氧化、扩散等器件工艺后，硅片表面清洁区厚度及吸杂区内缺陷密度基本是稳定的。     

一种适用于LSI及浅结器件的硅片表面加工技术

通过氧本征内吸杂工艺前后硅片的实际器件制管试验，少子寿命测试及吸杂硅片的纵向解剖，制管性能大大改善，管芯平均制造合格率提高５％￣１５％，硅片表面少子寿命提高一个数量级以上，另外研究还表明，吸杂硅片经高温氧化，扩散等器件工艺后，硅片表面清洁区厚度及吸杂区内缺陷密度基本是稳定的。     

一种改进的测量硅片亚表面损伤的角度抛光方法

提出了一种改进的角度抛光方法来测量硅片的亚表面损伤.其原理是:经过研磨和化学机械抛光后,起保护作用的陪片靠近胶黏剂的一端形成一个无损伤的、完整的劈尖,劈尖的棱边作为测量亚表面损伤的基准;角度抛光的倾斜角可通过劈尖上面产生的干涉条纹准确地测量得到.采用这种方法可以方便、准确地测量硅片由切割、研磨和磨削引起的亚表面损伤,其能够测量的最小损伤深度为几百纳米.     

用化学剥离方法检测硅片表面的机械损伤

抛光片表面的平整度和完整性是硅单晶片的重要参数之一.晶片制备过程中残留在表面的划痕、浅坑等机械损伤,不仅可直接造成Pn结不平坦,而且还是硅器件工艺中二次缺陷的成核中心.抛光的目的便是要为器件制造提供尽可能完美的、无机械损伤和杂质沾污的镜面表面.硅片表面损伤的检测已经发展了多种的分析方法.但是由于这些检测方法大多设备昂贵、操作复杂、周期长.目前国内仅用于科研中.工厂中对抛光片表面质量的检     

提高硅片氧化均匀性的一种方法

采用加大硅片的片与片之间距离的方法，通过氧化通量模型，证实了加大硅片氧化时的间距能使氧化剂气流更好地硅片表面均匀反应，提高了氧化层的均匀性，在实际生产中取得了很好的效果。     

硅片划片加工

<正> 硅片制备后经过一系列半导体工艺,制成规则排列的器件。最后采用划片工艺,将器件切割分离,供线焊封装。划片方法有划裂、激光划片、金刚石划片。古老的划裂法无法得到整齐切缝,致使高速粘片机无法准确取放,并常常伴有裂纹倾向。划裂后还要作第二步裂片,生产率低。激光划片速度很快,但是设备投资、维修费用很高,划片中     

一种掩模与硅片的底面自动对准方法

硅片对准标记中心位置的求解是掩模与硅片底面自动对准的重要环节.对于对称标记图像,提出了基于矩的中心位置求解方法;对于非对称标记图像,采用Hough变换和聚类分析的方法求解标记中心位置.在此基础上,提出了掩模与硅片底面自动对准的方法.仿真实验证明了该对准方法的有效性.     

一种新型的电火花加工间隙伺服检测方法

本文首先对间隙平均电压检测法进行了简单介绍,并在此基础上提出了一种新型的电火花加工间隙伺服检测方法——数字平均脉宽电压检测方法,然后对数字平均脉宽电压检测法的整体结构设计和实现做了详细介绍,最后通过实验来验证数字平均脉宽电压检测法的稳定性和检测效果。     

线切割硅片表面探究

硅片的表面损伤层,关系到切割后破片率及面的形状等。通过对硅片表面分析,发现硅片表面呈蜂窝状,有大孔、小孔和微孔。硅片侧面边缘呈山峰山沟状,并伴随有裂纹,从外向里分为表面镶嵌层和缺陷应力层。通过对硅片表面损伤的形成机理研究,发现通过以下调整可以减小表面损伤和提高表面质量:一是减小切割时的晶体所受到的垂直压力;二是调整碳化硅的直径分布系数,圆度系数,堆积密度。     

一种容易实现的硅片分类机

本着实现半导体硅片分类机全部自主知识产权的目的，这里介绍一种关键零部件国内设计、制造的200mm（8英寸）以上的半导体硅片分类机。本分类机用紧凑的结构（包括单个机械手和两套硅片标识识别装置），采用了较好的图像处理软件和可靠的字符标识识别软件．实现了制造成本低、识别成功率高、可靠性好、便于实现的结果。介绍了分类机的试验样机经过试验．已经证明了其主要功能的有效性。因此，此分类机具有产品化可能。     

一种加热炉炉管表面红外检测温度的修正方法

加热炉炉管表面温度检测的准确性直接关系到加热炉的运行状态和生产安全,利用红外热像仪测量炉管温度时易受到火焰和烟气、邻近炉管、炉墙辐射等因素的强烈干扰。为了实时准确获取炉管表面的真实温度,以某炼油厂加热炉为例,首先给出了炉管表面热红外检测温度的干扰分析,进而提出一种基于现场参数的实时温度校正模型,并结合该模型给出一套判别某厂加热炉炉管状态的专家规则,最后将这套软件应用于实际工程检验。研究结果表明,该方法有效实现了炉管表面的温度修正。     

硅片的磨割加工

<正> 硅片的切割质量对集成电路制造过程有很大影响。集成电路制造业的发展,又促进了硅片磨割加工的发展。目前,国内外普遍采用的是内圆磨割工艺与钢丝锯割。 内圆磨割的基本关系 内圆磨割采用特殊的内圆刀片作切割工     

一种快速鲁棒的光学表面划痕高精度检测方法

为了提高光学零件表面划痕定位测量和宽度测量的精度,采用基于离散正交多项式曲面拟合的亚像素边缘检测与宽度测量的算法,通过对边缘点及其邻域进行曲面拟合代替了只对边缘点梯度方向进行曲线拟合,实现了亚像素边缘检测;采取感兴趣区域加速策略与基于离散正交多项式曲面方程参量快速求解方法串联进行的加速方案,大大减少处理时间;在宽度计算方面,根据划痕长度自适应分段,分别计算每段分段点之间欧氏距离并作为其宽度,比较后取最大宽度作为划痕宽度。结果表明,该算法测量精度较高且具有较强的鲁棒性,同一划痕在不同视窗下测得宽度误差均值不超过5.2%,且标准差不超过0.3;在求解曲面模型参量的时间方面,该方法计算时间约为最小二方法的7.35%,处理效率显著提高。该方法能够满足工程应用中快速、高精度的测量要求。     

表面贴装元件识别的一种亚像素边缘检测方法

亚像素算法是一种高精度的边缘检测算法.分析了亚像素边缘检测的原理及现有算法的优缺点,根据现有用亚像素对表面贴装元器件图像检测的算法,提出了三次样条插值的亚像素算法进行边缘提取.通过实验比较,认为该方法提高了边缘提取的精度,满足了贴片机视觉检测的要求.     

半导体硅片表面缺陷光反射“魔镜”检测技术

本文报道应用古代“魔镜”成像原理和现代激光技术发展起来的一种新的光反射“魔镜”检测技术。采用这项技术可以非常直观,方便地观测到直径小于１５０ｍｍ的硅抛光片及硅外延片表面存在的缺陷情况,其分辨率为０．５μｍ,由于光反射“魔镜”检测技术是一种新型的光学无损检测技术,具有探测灵敏度高,快速,无破坏性,大面积检测等优点,该项技术检测将会有更加广泛的应用前景。     

硅片加工中的光刻技术

光刻是在半导体、金属及其他精密的表面加工中常用到的一种技术。尤其是在半导体工业中,为了制造二极管、晶体管、集成电路(IC)和大规模集成电路(LSI),采用光刻的方法,把非常复杂和精细的图形做在硅片上。     

硅片表面微粗糙度的研究进展

报道了用氦离子注入智能肃离形成ＳＯＩ结构硅片的新技术,介绍了这种技术的工艺和用剖面透射电镜研究的结果。氦离子用等离子体浸没离子注入技术注入硅片中。     

硅片加工及材料发展趋势

尽管半导体工业最近呈现严重下降趋势,但器件、电路和加工技术的改进,在过去两年却加快了步伐。当前经过的一切重大事件和近期未来的一些预兆就是表明这种重大发展的实例。 本文只限于预测今后五年内半导体制造中一些主要发展趋势和不断变化的要求,以及一些与材料和设备有关的问题。     

大直径硅片加工技术

对硅片直径的发展趋势进行了预测，简述了几种新型加工技术的机理和方法。