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提出了一种微型化Ka频段带线带通滤波器设计方案.采用带有调谐枝节的环形谐振腔和带线耦合结构,利用低温共烧陶瓷(LTCC)技术设计并研制了一个相对带宽约10.4%的Ka频段带通滤波器,典型性能为在中心频率26.99 GHz处插入损耗小于1.3 dB,带内驻波比小于1.20:1,损耗起伏小于0.30 dB,滤波器的尺寸为4... 相似文献
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介绍了一种400~520MHz耦合度为-20dB的LTCC多层片状耦合器的设计。该耦合器由两个高耦合系数多层电感相互耦合而成,它的应用频率范围是400~520MHz。用标准LTCC工艺实现的耦合器尺寸仅1.6mm×3.2mm×0.76mm,耦合度-20±2dB,隔离度-35dB,反射损耗小于-20dB。 相似文献
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针对现有雷达高频接收组件尺寸大、集成度不高的情况,采用低温共烧陶瓷(LTCC)多层基板、单片微波集成电路(MMIC)芯片和微组装技术,设计和实现了C波段LTCC高频前端模块。该模块采用二次混频方案,包含限幅器、放大器、滤波器、衰减器、混频器等;其中主要器件用MMIC芯片实现,滤波器埋置在LTCC多层基板中实现,极大减小了模块的尺寸,模块最终尺寸为64 mm×20 mm×1.1 mm,比现有的接收组件尺寸减小了50%。经测试,该LTCC高频前端模块的增益大于40 dB,带内平坦度小于2 dB,噪声系数小于5 dB,镜像抑制度优于51 dB。可将高频前端模块应用于雷达高频接收组件中,从而减小组件尺寸。 相似文献
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通过对自主设计流片的Ka波段LTCC滤波器的分析,总结出了一套行之有效的Ka波段LTCC模块的设计方法。试验结果表明,这种将电磁场仿真和实际测试相结合的方法,有效地减小由于模型和工艺误差带来的电路性能的降低,其最终测试结果为在26~30GHz的4GHz带宽范围内带内损耗为1.3dB,输入输出驻波均小于1.5dB。 相似文献
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在LTCC 多层电路结构中,不同形式的信号传输线之间往往采用垂直通孔互连,但由于互连通孔在高频时会
带来电感效应,且加工后会因变形而引入许多寄生参量,因此可选择耦合形式的互连过渡来实现不同传输线之间的互
连。本文针对微带线到共面波导,设计了一种可应用于LTCC 工艺的宽带耦合互连过渡结构,着重研究了耦合金属面
的宽度和耦合金属面侧边对地间隔对过渡结构频率特性的影响,并优化这些尺寸,得到了理想仿真结果:4.3GHz 到
12.7GHz 的频带内,回波损耗大于10dB,插入损耗最小到0.346dB,辐射损耗系数在小于12GHz 时,小于8.56%。 相似文献
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本文采用共面波导/槽线混合环研制了一种宽带单平面平衡混频器,并得到了较好的实验结果。混频器的最佳变频损耗小于5.5dB,信号端口和本振端口的隔离度在4.0~5.2GHz频带内约为20.0dB,信号端口电压驻波比在3.8~5.5GHz频带内小于2.0,中频输出端口的电压驻波比在中频低于550MHz时小于2.0。 相似文献
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为减小北斗用户机的体积,降低终端成本,缩短终端系统调试时间,文中采用北斗卫星导航系统专用射频芯片,设计了一款新型的北斗用户机模块。该模块体积仅为27mm×19mm。调试后的测试结果为:接收通道噪声系数小于4.5dB,AGC(自动增益控制)范围大于55dB,中频输出幅度为峰峰值1V,输入驻波比小于1.5;发射通道功率调整范围达到-10dBm~5dBm,输出1dB压缩点大于10dBm,本振抑制大于30dB,本振相位噪声误差小于0.9°。测试结果表明射频模块性能全部满足整机要求。 相似文献
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文中设计了一种超宽带双通道正交可切换接收模组,采用射频多功能基板和一体化集成金属化管壳的SiP(System in Package)封装方案,实现了传统微波频段多通道组件的低成本、轻小型化封装集成。该接收模组工作频带覆盖P、L、S波段近5.5倍频宽度,实现双通道接收限幅、低噪声放大、通道间正交切换和时延调制功能。经实物测试,接收模组全频带噪声系数优于1.6 dB,单通道小信号增益大于27 dB,带内增益平坦度优于+/-1.6 dB,输入输出端口驻波系数优于1.6,正交通道间相位不平衡度小于8°,幅度不平衡度小于0.8 dB,整个双通道接收模组(含金属管壳封装)外形尺寸47 mm×47 mm×5.6 mm,重量13g。 相似文献
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基于90 nm栅长的InP高电子迁移率晶体管(HEMT)工艺,研制了一款工作于130 ~140 GHz的MMIC低噪声放大器(LNA).该款放大器采用三级级联的双电源拓扑结构,第一级电路在确保较低的输入回波损耗的同时优化了放大器的噪声,后两级则采用最大增益的匹配方式,保证了放大器具有良好的增益平坦度和较小的输出回波损耗.在片测试结果表明,在栅、漏极偏置电压分别为-0.25 V和3V的工作条件下,该放大器在130~ 140 GHz工作频带内噪声系数小于6.5 dB,增益为18 dB±1.5 dB,输入电压驻波比小于2:1,输出电压驻波比小于3:1.芯片面积为1.70 mm×1.10 mm.该低噪声放大器有望应用于D波段的收发系统中. 相似文献
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本文介绍了一种基于LTCC(低温共烧陶瓷)技术的Ka 波段三阶窄带滤波器,中心频率35.78GHz,带宽0.8GHz(2.24%),带内插损小于0.1dB(未考虑介质和金属损耗)。并且在输入输出端口、各枝节之间引入交调耦合分量,在带外形成三个传输零点,带外抑制EM 仿真结果为:>20dB@f>36.9GHz,>30dB@f<34.9GHz。此滤波器可用于毫米波收发
组件中,对镜频信号和杂波进行抑制。 相似文献
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This paper presents the design and fabrication of a highly integrated Low Temperature Co-fired Ceramic (LTCC) receiver front-end module. This LTCC module is a dual channel receiver module, works at Ka-band, and fabricated including six Ferro A6M dielectric layers and five metal layers, contains eight embedded resistors and eight MMICs. All MMICs are mounted into pre-making cavities on the top surface of the LTCC substrate. Three slot coupled waveguide-to-microstrip transitions are integrated at LTCC substrate to realize RF and LO signal input. The developed module is highly integrated and reliable, which has a compact size of 58 × 50 × 22 mm3 (including the metal cavity). Each channel of the receiver has the noise figure of less than 9 dB and the gain of more than 24 dB at Ka-band. 相似文献
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采用LTCC工艺进行手机天线开关滤波器的设计,用于手机天线开关发射端GSM850/900MHz、GSM1800/1 900MHz。整个LTCC滤波器体积为2.5mm×3.2mm×0.75mm,其中包含两个低通滤波器,用于二次谐波和三次谐波的抑制。GSM850/900通带插损小于0.75dB,带内二次谐波抑制度大于23dBc,三次谐波抑制度大于40dBc;GSM1 800/1 900通带插损小于0.7dB,带内二次谐波抑制度大于26dBc,三次谐波抑制度大于28dBc。 相似文献
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戴水胜 《电子科学学刊(英文版)》1993,10(3):279-283
A novel Ku-band low noise amplifier with a high electron mobility transistor (HEMT)and a GaAs monolithic microwave integrated circuit (MMIC) has been demonstrated. Its noisefigure is less-than 1.9dB with an associated gain larger than 27dB and an input/output VSWRless than 1.4 in the frequency range of 11.7-12.2GHz. The HEMT and the microwave series in-ductance feedback technique are used in the first stage of the amplifier, and a Ku-band MMIC isemployed in the last stage. The key to this design is to achieve an optimum noise match and a min-imum input VSWR matching simultaneously by using the microwave series inductance feedbackmethod. The B J-120 waveguides are used in both input and output of the amplifier. 相似文献
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本文介绍了一种具有高电子迁移率晶体管(HEMT)和砷化镓单片微波集成电路(GaAs MMIC)的Ku波段低噪声放大器。在11.7~12.2GHz频率范围内,该放大器的噪声系数小于1.9dB,相关增益大于27dB,输入和输出驻波比小于1.4。放大器第一级采用了HEMT和微波串联电感反馈技术,放大器未级采用了Ku波段GsAs MMIC。设计的关键是采用微波串联电感反馈方法同时获得最佳噪声和最小输入驻波匹配。放大器的输入端和输出端均为BJ-120波导。 相似文献
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介绍了一款自主设计采用0.25μm GaAs PHMET开关工艺制作的的S波段六位数控移相器芯片和金属陶瓷表贴管壳内的设计方法和研制结果.该移相器在工作频带2.8~3.6 GHz内64个移相态的移相精度RMS<1.0°、插入损耗IL<5 dB、输入输出驻波比VSWR<1.5、幅度均衡△IL<0.3 dB、1分贝压缩输入... 相似文献