MgSe薄膜的相结构研究

我们采用ＭＯＣＶＤ外延技术首次在ＧａＡｓ（１００）和（１１１）衬底上成功地生长了ＭｇＳｅ单层薄膜．利用Ｘ射线衍射技术观察到了它的ＮａＣｌ结构、纤锌矿结构和闪锌矿结构三种相结构，并首次实验测量出了闪锌矿结构ＭｇＳｅ的晶格常数     

InP表面等离子体CVD淀积SiO2膜的界面结构及C—V特性

报道了以正硅酸乙酯（ＴＥＯＳ）为源，采用等离子体增强化学汽相淀积（ＰＥＣＶＤ）技术在ＩｎＰ表面低温生长ＳｉＯ２钝化膜。对ＳｉＯ２／ＩｎＰ界面态进行了Ｘ射线光谱（ＸＰＳ）分析和Ｃ－Ｖ特性研究。     

MBE－GaAs／Si材料晶体质量对少子扩散长度的影响

对于ＧａＡｓ／Ｓｉ材料由于晶格失配和热膨胀系数失配，外延时必然会出现大量的失配位错等缺陷进入外延层，为了更有效地消除或减弱由于以上二种失配所引入的失配位错等缺陷，本文采用高温快速热退火的方法，结合表面光伏（ＳＰＶ），微波光电导谱（ＭＰＣＳ），双晶衍射（ＤＣＲＤ）等测试手段在整个高温热退火区域寻求一个对具有一定ＧａＡｓ层厚度的ＧａＡｓ／Ｓｉ材料最佳热退火温度Ｔｏ，经此温度Ｔｏ快速热退火后，由ＳＰＶ，ＭＰＣＳ所测得的ＧａＡｓ外延层少子扩散长度Ｌｐ数值达最大，ＤＣＲＤ所测得双晶衍射半峰竞也明显变窄，各项指标均有     

用XPS对CdTe（111）面进行化学特性分析

用ＸＰＳ化学位移和定量分析方法，研究了露于室温空气中的ＣｄＴｅ（１１１）面的化学特征。首次报道了经机械抛光表面上形成的表面化合物为ＴｅＯ２（Ｔｅ３ｄ５／２５７５．８ｅＶ，Ｏ１ｓ５３０．１ｅＶ）和Ｃｄ（ＯＨ）２（Ｃｄ３ｄ５／２４０５１ｅＶ．Ｏ１ｓ５３１．４ｅＶ）。并与基体里的ＣｄＴｅ共存；经２％Ｂｒ－乙醇溶液化学抛光，表面上形成的化合物为ＣｄＴｅＯ４（Ｃｄ３ｄ５／２４０５．３ｅＶ，Ｔｅ３ｄ５／２５７６５ｅＶ，Ｏ１ｓ５３１．２ｅＶ）和ＴｅＯｘ（ｘ＜１）（Ｔｅ３ｄ５／２５７４～５７５ｅＶ，Ｏ１ｓ５２８１ｅＶ），并且ＸＰＳ谱中没有基体里的ＣｄＴｅ的特征，其中ＴｅＯＸ为Ｔｅ氧化物的过渡态。结果表明，在相同氧化环境中，表面上形成的化合物强烈依赖表面状况。     

LP－MOCVD生长InGaN单晶薄膜

报道了以Ａｌ２Ｏ３为衬底在ＧａＮ薄膜上ＬＰ－ＭＯＣＶＤ外延生长ＩｎＧａＮ单晶薄膜，并研究了ＩｎＧａＮ的生长特性。实验给出了ＩｎｘＧ１－ｘＮ合金的固相组分与汽相组分和生长温度的变化关系，并应用Ｘ射线衍射（ＸＲＤ）、Ｘ射线回摆曲线（ＸＲＣ）和室温光致荧光（ＰＬ）谱等技术对外延层的晶体质量、完整性和发光特性进行了分析。发现ＩｎＧａＮ／ＧａＮ系统中保持适当的压应力有助于提高外延层的晶体完整性，减少非故意掺杂杂质的引入，能改善外延层的发光特性。     

直接光CVD类金刚石碳膜的初期成膜结构

以微波激励氙（Ｘｅ） 发射的真空紫外光（ＶＵＶ） 作光源,乙炔（Ｃ２Ｈ２） 作反应气体,采用直接光化学汽相淀积（ＣＶＤ） 工艺,在硅（Ｓｉ） 、钼（ Ｍｏ） 及玻璃衬底上,１２０ ℃的低温下进行了类金刚石碳（ＤＬＣ） 膜的试生长。用Ｘ 射线光电子能谱（ＸＰＳ） 、扫描电子显微镜（ＳＥＭ） 等手段进行了初期成膜结构的测试分析。测试结果表明,在所有三种衬底上均能淀积生成ＤＬＣ 膜。其中Ｃ１ｓ 态原子的含量在６９ ．９８ ％ ～７４ ．６０ ％ 之间,相应的键合能为２８５ ．０ ～２８５ ．６ ｅＶ。淀积膜是以ＳＰ２ 键结构为主的ＤＬＣ膜。实验结果也表明,氧在成膜过程中是影响最大的因素。     

用Ti（OC2H5）4制备Ti（CN）涂层研究

本文叙述了采用金属有机物钛酸四乙酯（Ｔｉ［ＯＣ２Ｈ５］４取代四氯化钛，运用ＰＣＶＤ外加热法沉积Ｔｉ（ＣＮ）涂层，并对涂层进行了Ｘ射线衍射（ＸＲＤ）、扫描电镜（ＳＥＭ）、Ｘ光电子（ＸＰＳ）分析，其显微硬度可达到１６００ｋｇ／ｍｍ２，膜层结构仍为柱状晶     

GaInP材料生长及其性质研究

用Ｘ光双晶衍射、Ｈａｌｌ和光致发光研究了ＭＯＣＶＤ生长的ＧａｘＩｎ１－ｘＰ（ｘ＝０．４７６～０．５０５）外延层．发现Ｇａ组分随Ｖ／Ⅲ比的增大略有下降，认为是由于Ｇａ－Ｐ键比Ｉｎ－Ｐ键强所造成的．７７Ｋ下电子迁移率达３３００ｃｍ２／（Ｖ·ｓ）．Ｇａ０．５Ｉｎ０．５Ｐ的载流子浓度随生长温度升高、Ｖ／Ⅲ比的增大而降低，提出磷（Ｐ）空位（Ｖｐ）是自由载流子的一个重要来源．１７Ｋ下ＰＬ峰能和计算的带隙最大相差１１３ｍｅＶ，这可能与ＧａＩｎＰ中杂质或缺陷以及其中存在有序结构有关．     

α—Fe2O3薄膜的制备,结构和气敏特性

采用等离子增强化学气相淀积工艺（ＰＥＣＶＤ）制备出了Ｆｅ２Ｏ３薄膜，用Ｘ射线衍射（ＸＲＤ）和扫描电子显微镜（ＳＥＭ）分析了薄膜的结构、表面形貌和粒度，研究了薄膜对乙醇、液化石油气、煤倔和氢气的敏感特性。结果表明所研制的薄膜对乙醇有较高灵敏度，共检测下限可达１ｐｐｍ，而对液化石油气、煤气和氢气不太敏感，具有优良的选择性。     

半导体异质结构材料的X射线晶体衍射测试分析

本文介绍Ｘ射线晶体衍射的测试原理，讨论了半导体薄片异质结构材料Ｘ射线晶体衍射测量中正、负失配，晶片微弯曲，摇摆曲线的对称性，复杂曲线的分解、干涉带等问题。指出了晶体衍射测试结果对ＭＯＣＶＤ、ＬＰＥ工艺调整的重要性。     

Praseodymium Silicate as a High‐k Dielectric Candidate: An Insight into the Pr2O3‐Film/Si‐Substrate Interface Fabricated Through a Metal–Organic Chemical Vapor Deposition Process

Praseodymium‐containing thin films have been deposited on Si(001) substrates by metal–organic chemical vapor deposition (MOCVD) from the Pr(tmhd)₃ (H‐tmhd = 2,2,6,6‐tetramethyl‐3,5‐heptanedione) precursor. The structural, compositional, and morphological film characterization has been investigated using X‐ray diffraction (XRD), angle‐resolved X‐ray photoelectron spectroscopy (AR‐XPS), and transmission electron microscopy (TEM). Detailed studies of the deposition parameters indicate that the MOCVD process is governed by a kinetic regime and that some reactive phenomena occur at the film/substrate interface, forming a praseodymium silicate layer. A possible explanation for interfacial interaction has been proposed, taking into account the diffusion of Si from the substrate towards the bulk and that of oxygen from the film surface toward the substrate/film interface. Finally, the electrical characterization of the praseodymium silicate layer has been carried out in order to evaluate its potential implementation as an alternative dielectric. Its dielectric constant has been evaluated to be ～ 8.     

X射线衍射、X射线光电子能谱对PtSi薄膜形成机理的研究

促使物相尽可能地向Pt2Si和PtSi 转化,是PtSi薄膜工艺研究中的重要工作。文中通过用X射线衍射（ XRD）、X射线光电子能谱（XPS）微观分析手段对PtSi薄膜形成物相分步观察,研究了长时间变温退火、真空退火以及真空和保护气体（N2和H2）退火等工艺条件对溅射PtSi薄膜物相形成的影响。结果表明,氢气气氛退火能提高薄膜质量;真空退火可以减少氧元素对成膜的影响。     

以注氮SiO_2作为铜互连技术中的新型阻挡层

采用给 PECVD Si O2 中注入氮的方法 ,形成一薄层氮氧化硅 ,以此作为一种新型的扩散阻挡层 .不同热偏压条件下的 C- V测试结果和 XPS分析结果表明 ,该方法能起到对铜扩散的有效阻挡作用     

Surface Oxidative Characterization of LPE HgCdTe Epilayer Studied by X-ray Photoelectron Spectroscopy

Ｔｈｅｃｈａｒａｃｔｅｒｉｓｔｉｃｓｏｆｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒｓｓｕｒｆａｃｅａｎｄｉｎｔｅｒｆａｃｅｐｌａｙａｄｅｃｉｓｉｖｅｒｏｌｅｉｎｍａｎｙｄｅｖｉｃｅｔｅｃｈｎｏｌｏｇｉｅｓ．Ｔｈｅｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙｏｆｉ...     

低压MOCVD生长ZnO单晶薄膜的制备与性质

利用 LP-MOCVD生长技术 ,采用 Zn(C2 H5) 2 作 Zn源和 CO2 作氧源 ,在 (0 0 0 2 )蓝宝石衬底上获得了沿 c轴取向高度一致的 Zn O单晶薄膜。通过对其吸收谱的曲线拟合 ,得到室温下 Zn O薄膜的光学带隙为 3 .2 45e V。在样品的室温光荧光谱 (PL)中观察到对应于带边发射的较强的发光峰 ,对样品中蓝带的产生原因进行了讨论     

计算机X光影像仪图像采集卡的设备驱动程序

简述了计算机X光影像仪（CR）的特点，介绍了CR系统中X光图像的数字化方法，给出数字化的X光图像数据采集的硬件电路。简要说明了WindowsNT及其核心模式驱动程序的结构，阐释了在WindowsNT下I／O请求的工作原理。利用NT DDK开发出计算机X光影像仪图像采集卡的核心模式设备驱动程度，通过软，硬件相结合的方法实现了对X光图像数据的实时采集和存储，经长时间的实验证明该方法可行，可靠，完全满足技术指标要求。     

多缓冲层对MOCVD生长的GaN性能的影响

采用多低温缓冲层法和高低温联合缓冲层法在 MOCVD系统上生长 Ga N外延膜 .对薄膜进行了 X射线衍射和光致发光谱 (PL)测试 ,(0 0 0 2 ) X射线摇摆曲线和 PL 谱的半高宽与常规的单低温缓冲层法制备的薄膜相比均有不同程度的改善 .实验结果表明改进的缓冲层法能提高 MOCVD生长的氮化镓外延膜晶体质量     

CdTe钝化介质膜的溅射沉积及其X射线光电子能谱研究

用Ar^ 束溅射沉积技术实现了CdTe薄膜的低浊沉积生长。用X射线光电子能谱（XPS）分析技术对溅射沉积C dTe薄膜以及CdTe体晶中的Cd元素、Te元素化学环境进行了对比实验研究。实验表明：溅射沉积CdT e薄膜具有很好的组份均匀性,未探测到有元素（Cd、Te)沉积存在。     

Zn_(1-x)Mg_xO薄膜的低压MOCVD生长与性质

利用低压金属有机物气相沉积 (L P- MOCVD)技术 ,采用两步生长法 ,在 (0 0 0 1 )蓝宝石衬底上获得了纤锌矿结构的 Zn1 - x Mgx O合金单晶薄膜 .实验发现随着 Mg原子的增多 ,Zn Mg O的晶格常数逐渐减小 .X射线衍射谱中未出现除 (0 0 0 2 )峰之外的其他峰位 ,表明该合金薄膜具有很强的择优取向和较好的晶体质量 .室温透射谱与光致发光谱显示 ,其吸收边或带边发光峰随 Mg原子浓度的增加首先出现红移然后出现蓝移 .该反常现象与 Zn Mg O薄膜中产生的杂质缺陷的行为有关 .研究表明在 MOCVD生长 Zn Mg O合金薄膜过程中 ,必须优化与控制反应条件 ,以抑制杂质缺     

GaN薄膜的微区Raman散射光谱

报道了低压 MOCVD生长的同一 Ga N薄膜不同位置的微区 Raman散射光谱 .观测到了微区结构不完整对 Raman谱的影响 .通过 X射线衍射分析 ,证实了该样品晶体质量是不均匀的 ,而且微结构缺陷的存在是导致回摆曲线展宽的主要原因 .结合 Hall测量结果 ,对 Ga N薄膜的 Al( L O)模式的移动进行了电声子相互作用分析 ,认为 A1 ( LO)模式的移动可能与电声子相互作用无关 ,而是受内部应力分布不均匀的影响所致 .