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随着应用频率的提高,微波芯片与基板间的互连更多地采用了倒装焊。文中用HFSS(高频结构仿真器)有限元软件对凸点变换及倒装互连结构进行建模、仿真和优化,提取了凸点变换的等效集总电路模型,介绍了凸点制作工艺和倒装焊结构互连的微组装过程,并完成了试验样品的测试。最后,对微波倒装焊的前景进行了展望。 相似文献
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针对面阵列倒装焊封装结构内部互连工艺质量检测难度大的问题,提出了适用于倒装焊封装典型工艺缺陷的检测方法,阐述了光学二维视觉检测、X射线检测等常用缺陷检测技术的原理和工艺适用性,为倒装焊封装工艺质量提升提供有效技术参考. 相似文献
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介绍了Au-In键合在MEMS芯片封装中的应用.根据现有的工艺设备和实验条件对制备铟凸点阵列进行工艺设计,对铟凸点制备技术进行了研究,最终在硅圆片上制备了6 μm高的铟凸点阵列.在150~300℃下成功的进行了Au-In倒装键合实验.在300℃,0.3 MPa压力下键合的剪切强度达到了5 MPa. 相似文献
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倒装焊互连开始出现于各种封装结构中,倒装芯片封装(FCIP)现在已从30引线的CSP发展到2000引线以上的BGA中,该技术并不是一门新技术。倒装焊芯片最早是30多年前IBM公司推出,一直是在所生产的一些最高性能计算系统的核心。这个概念很简单,将一个小的焊料凸点从芯片的有源面直接到基板上。这种连接在电性能上远远优于线连接,因为它大大缩减了路径长度和相关的电感。其次,芯片与基板之间的导体连接点是同时完成,而不像丝焊封装那样一个接一个 相似文献
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利用氧化铟易于溶于酸性溶液的性质,提出了在倒装焊接之前使用酸性溶液对铟柱进行酸洗.在未进行酸洗和进行酸洗的条件下,对比了样品在焊接之后的拉力以及在经过热循环后的盲元率,结果显示酸洗能够降低表面氧化层的影响,有效地改善倒装焊接的质量. 相似文献
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文章主要介绍了倒装片技术从起源到现在的发展状况,并对倒装片的工艺优点及电气方面的优点作出评价,提出倒装片将成为今后大型计算机组装工艺中的关键技术。 相似文献
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热超声倒装焊在制作大功率GaN基LED中的应用 总被引:2,自引:0,他引:2
设计了适合于倒装的大功率GaN基LED芯片结构,在倒装基板硅片上制作了金凸点,采用热超声倒装焊接(FCB)技术将芯片倒装在基板上.测试结果表明获得的大面积金凸点连接的剪切力最高达53.93 g/bump,焊接后的GaN基绿光LED在350 mA工作电流下正向电压为3.0 V.将热超声倒装焊接技术用于制作大功率GaN基LED器件,能起到良好的机械互连和电气互连. 相似文献
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随着红外焦平面技术的发展,红外探测器探测波段已由单波段变为双色及四色波段,半导体元件的封装数量由最初的数十个发展到数百万个,I/O输出密度不断增大,传统微互联技术如引线键合技术、载带自动焊技术等已根本无法满足器件要求。倒装焊技术以其封装尺寸小、互联密度高、生产成本低的特点越来越受到人们的亲睐。倒装互连工艺主要包括:UBM 制备、铟膜沉积、回流成球、倒压焊、填充背底胶。介绍了各工艺步骤的发展状况,并对铟膜沉积、铟柱增高工艺进行详细阐述。 相似文献