脉冲电容器在磁力成形及组装工艺中的应用

介绍了以脉冲电容器为储能器件的脉冲磁场成形和组装系统及成形组装工艺的原理和基本组成。对脉冲电容器在该工艺中的一些状态参数进行了讨论 ,简单介绍了脉冲磁场成形和组装系统在工业部门中的典型应用     

碳纳米管超级电容器的研制和应用

文章通过催化裂解法制备碳纳米管材料并采用泡沫镍作为基体制备成电极并采用有机电解液组装了600 F超级电容器,电容器比能量和比功率分别达到0.8 Wh/kg 和1 k W/kg。还采用完全相同的工艺组装了60 F超级电容器并探讨了5 V超级电容器组对锂离子电池GSM(全球移动通讯)脉冲放电性能的改善以及复合电源系统在移动通讯领域的应用前景。     

超级电容器用于建立强脉冲磁场的可行性研究

为解决爆炸磁流体发电机应用设计中储能高压脉冲电容器存在的一些缺点,提出了一种以超级电容器替代高压脉冲电容器作为储能器件建立强脉冲磁场的设计方案。在给出脉冲放电回路中超级电容器的等效电路模型、超级电容器模块的设计原则和储能系统管理方案后,对超级电容器模块振荡放电和非振荡放电两种类型进行了分析计算。超级电容器模块和高压脉冲电容器模块的放电电流仿真波形和模块参数的对比结果表明,在产生同样大的脉冲电流下,超级电容器模块放电持续时间更长,在体积和重量上有一定的优势,用于建立强脉冲磁场是可行的。     

基于双电容器耦合和线性补偿的高稳定度平顶脉冲强磁场调控系统分析与设计

平顶脉冲磁场具备脉冲磁场强度高和稳态磁场稳定度高的双重优势,是现代物理科学研究的重要工具。为满足脉冲场核磁共振、I-V测量等科学实验对平顶脉冲磁场高稳定度的需求,该文提出基于双电容器回路耦合放电和线性补偿的平顶磁场调控方案。为此,理论分析双电容器回路耦合放电过程,建立配置主/辅回路电容电压和放电时序的优化方法,基于IGBT有源区的流控特性,设计线性调节补偿回路和前馈反馈相结合的控制器,研制与主磁体解耦的1 T补偿磁体,对双电容器回路耦合放电产生的背景磁场进行高精度调控,最终实现了强度为45.2 T、持续时间为8 ms以及稳定度为0.02%的平顶脉冲磁场,满足相关固态核磁共振等科学实验需求。     

新技术、新设备在NdFeB稀土磁体生产中的应用之三——磁场取向成形技术和设备

重点介绍磁场取向成形技术和设备,包括可变换极向的脉冲磁场取向设备、脉冲磁场冷态等静压机(CIP)、磁场橡皮模压机(RIP),旨在提高压坯的取向度,即磁体的磁化强度(剩磁),以引起广大磁体厂家对现有工艺技术改进及设备改造的重视。     

高比能脉冲电容器一些问题的探讨

介绍了高比能脉冲电容器的工作原理和发展过程,指出现阶段该产品存在的问题。通过对技术经济指标、设计参数选择、制造工艺、等效串联电阻及电容损失等5个方面的分析,认为脉冲电容器技术经济指标应协调比能、充放电次数和使用年限三者间的关系,并建议高比能脉冲电容器采购前进行技术准备。     

磁场和磁性材料在肿瘤治疗中的应用

首先详细介绍了恒定磁场、脉冲磁场、磁性药物微球和磁性微波吸收剂在肿瘤治疗中的原理和现状,然后分析了磁场和磁性材料在肿瘤治疗中的应用前景。     

一种电容储能器脉冲磁场的设计及仿真分析

为开展高功率微波源单次试验,设计了一满足二极管和速调管研究需要的电容器储能脉冲磁场系统,并介绍了其设计原理,进行了相应的计算机辅助设计,系统储能电容1 mF,螺管线圈分3段共长1. 1 m。有限元仿真软件的仿真结果与设计基本吻合。磁感应强度最大达1. 5 T,轴向均匀度达90%,径向均匀度达99%。     

快前沿脉冲磁场测量系统研制

针对高空核电磁脉冲(HEMP)模拟器建设和效应研究中脉冲磁场测量的需求,介绍了一种快前沿脉冲磁场测量系统的设计、标定和使用过程。首先,依据等效电路分析了电小环天线的测量原理和频率特性;其次,建立了小环天线数值计算模型,研究了其脉冲接收特性;然后,通过电路模拟的方式研究了电路参数对测量结果的影响;最后,设计了一种快前沿B-dot传感器,结合积分器和光纤传输系统构建了一套快前沿脉冲磁场测量系统,测试了其性能指标,并在高空核电磁脉冲模拟器下取得了应用和验证。结果表明:该测量系统上升时间小于1 ns,满足快前沿脉冲磁场测量需求。     

小型脉冲功率装置用特种脉冲电容器研发及应用

文章介绍了一种应用于小型脉冲功率装置中的特种脉冲电容器单元。重点考虑该高电压自愈式脉冲电容器的小型化和轻型化,从产品的设计开发和工程制造两个方面进行介绍,包括产品设计方案、聚丙烯金属化薄膜的加工制造、心子设计以及产品结构等方面。总结了该电容器在研制及生产制造过程中存在的关键问题以及解决办法,并对电容器样机进行了考核试验,各项试验参数均达到指标要求。同时验证了该电容器小型化设计以及加工制造技术的可行性,为高电压自愈式脉冲电容器的小型化设计提供了一种新的设计思路,特别是单只元件实现直流耐压高达65 kV,改变了以往传统的外部串联设计方法。