水热法制备PZT压电陶瓷粉体

本文报道了水热法制备 Ｐ Ｚ Ｔ 压电陶瓷粉体的研究结果, 给出了 Ｐ Ｚ Ｔ 粉体的结晶性与反应温度、反应时间和氢氧化钾添加量之间的关系, 用 Ｘ Ｒ Ｄ、 Ｓ Ｅ Ｍ 等测试手段分析了实验结果, 表明所得到的 Ｐ Ｚ Ｔ粉体为四方晶相钙钛矿结构, 粒子粒径为０.６ ～２.１μｍ , 呈立方体状     

锆钛酸铅纳米陶瓷粉体的水热合成技术

阐述了水热合成法制备锆钛酸铅纳米陶瓷粉多晶体的原理、工艺过程及其特点,重点分析了水热法制备锆钛酸铅纳米陶瓷粉多晶体的溶解/沉淀和原位合成两种形成机制,以及工艺过程中的影响因素,如反应的温度、碱度、时间、粉体的洗涤、干燥等影响因素。通过分析得出水热法制备锆钛酸铅纳米陶瓷粉多晶体适宜的工艺参数为:反应温度150～220℃,碱度pH7～11.5,反应时间2～4h,采用冷冻干燥法可获得分散性好、粒度均匀的锆钛酸铅纳米粉体。     

水热合成无铅压电陶瓷粉体

简述了水热法在国内外的发展现状,重点介绍了目前水热法制备BaTiO3、(K1-xNax)NbO3、Na0.5Bi0.5-TiO3以及Bi4Ti3O12等4种无铅压电陶瓷粉体的工艺过程,及其在制备4种粉体过程中对粉体尺寸、形貌的控制和独特的优势,同时简要评述了近年来微波水热法制备无铅压电陶瓷粉体的新工艺进展,指出水热法在制备无铅压电陶瓷方面具有一定的优势,可以制备出纯度和结晶性高、颗粒分布均匀、尺寸和形貌可控的高性能简单化合物无铅压电陶瓷粉体。下一步研究的重点和难点为合成组分可控的复杂化合物,为真正实现压电陶瓷和器件的无铅化革命作贡献。     

水热合成PZT热电体结晶粉末工艺及相关性能的研究

研究了水热合成ＰＺＴ热电体结晶粉末及相关性能，考察了合成温度、合成时间和促进剂对结晶性的影响。用ＸＲＤ、ＳＥＭ、ＥＰＭＡ和原子吸收光谱等测试手段分析了实验结果，表明这种结晶粉末的粒子粒径为０．１ｕｍ￣３ｕｍ，呈立方体状。用它制作的ＰＺＴ热电体陶瓷烧结温度１１６０℃左右，比传统的固相法降低６０℃左右，在烧结过程中ＰｂＯ的挥发速率比固相法小得多，有害杂质Ｋ＾＋离子的含量为０．００２％￣０．００６％。     

水热法合成单分散锆钛酸铅压电陶瓷粉体

以硝酸铅、氧氯化锆、钛酸四丁酯、氢氧化钾和氨水为原料,以乙醇和水的混合液为溶剂,采用水热法合成Pb(Zr0.52Ti0.48)O3(PZT)压电陶瓷粉体。通过X射线衍射和扫描电镜对合成粉体进行表征,并研究Pb元素物质的量与Zr及Ti两种元素物质的量之和的比n(Pb)/n(Zr+Ti)和矿化剂KOH浓度对粉体物相和形貌的影响。结果表明:n(Pb)/n(Zr+Ti)=1.4时,可以合成单一晶相的PZT,颗粒的立方体形貌规则清晰且无团聚,结晶良好;在200℃、反应溶剂乙醇和水的体积比为2∶1、n(Pb)/n(Zr+Ti)=1.4的条件下,当KOH浓度由1 mol/L增加到4 mol/L时,立方体形貌的PZT粉体的粒径由1.5μm减小到0.2μm。     

水热法合成PZT粉体的研究

以硝酸铅、氧氯化锆、钛酸四丁酯为反应物前躯体,氢氧化钾为矿化剂,采用水热法合成PZT粉体.系统研究了反应温度、反应时间、矿化剂浓度和引入表面活性剂聚乙烯醇(PVA)对PZT晶体生长的影响.通过XRD和SEM对粉体进行了表征,探索出制备PZT粉体的最佳条件,研究结果表明:在KOH浓度为2 mol/L、180℃反应12 h的条件下可制备得到粒径约为1μm,粒径均匀,晶体发育完整的钙钛矿结构的PZT粉体;在该反应体系中加入适量PVA时得到了棒状纤维结构的粉体.     

水热合成纳米氧化锡粉体工艺因素研究

以SnCl4·5H2O和氨水为原料,通过正交实验并借助于XRD、TEM等手段,研究了前驱物浓度、反应温度、保温时间和氨水滴加速率等工艺因素对水热合成纳米SnO2粉体的影响。     

湿法合成PZT粉体的研究

以硝酸铅、氧氯化锆、钛酸四丁酯为反应物前躯体,氢氧化钾为矿化剂,采用水热法和溶剂热法合成PZT粉体。系统研究了两种方法得到的PZT晶体物相和形貌的区别,通过XRD和SEM对粉体进行了表征。研究结果表明:在KOH浓度为2mol/L,200℃反应6h的条件下两种方法均得到了粒径约为1μm,粒径均匀的钙钛矿结构的PZT粉体;在两种反应体系中引入PVA,都得到了径向尺寸约为100nm的棒体结构。但是两种方法得到的PZT粉体的形貌有很大的不同。     

水热合成法制备银-氧化锡复合粉体备

采用水热合成法,以亚硫酸钠为还原剂,用硝酸银、氨水和锡酸钠为原料制备银-氧化锡复合粉体,对制备的粉体进行X射线衍射、扫描电镜和能谱分析。结果表明:采用水热合成法可以制备出银-氧化锡颗粒,颗粒近似球形,粒径约为400 nm;该粉体由银和氧化锡两种物相组成,银的衍射峰非常明显,银元素和锡元素在粉体中均匀分布,可以推断银和氧化锡的分布是均匀的。     

PZT陶瓷粉体及其PVDF压电复合材料的制备与性能

采用溶胶-凝胶法合成PZT压电陶瓷粉体,经XRD和SEM分析显示,陶瓷颗粒已形成了钙钛矿型结晶相,颗粒大小在0.1~1μm之间。采用溶液共混法将PZT粒子均匀分散于PVDF基体中,制备了PZT/PVDF压电复合材料。结果表明,增加PZT含量有利于复合材料压电性能的提高,当陶瓷体积分数达70%时,复合材料的压电常数最高。     

水热法制备PZT纳米晶体微粉结构与热效应的分析

本文报道了水热条件下制备的ＰＺＴ纳米晶体微粉结构和热效应分析的研究结果，认为ＰＺＴ纳米晶粒尺寸为１２～１４ｎｍ，ＰＺＴ纳米晶体微粉粒度１３０ｎｍ左右，产生最显著的热效应和热失重时的温度分别为８１１．２６℃和９２４．７１℃，用传统固相法制备的ＰＺＴ微粉产生最显著的热效应和热失重时的温度分别为１２４３．４７℃和１２１３．２９℃，这对有效地降低ＰＺＴ陶瓷材料的烧结温度和有效防止ＰｂＯ的挥发有重要意义。     

水热法制备A型沸石粉体中的聚合生长

通过水热法制备A型沸石粉体实验和粉体表征,对水热条件下粉体晶粒的生长过程进行较深入的研究,提出了水热体系中A型沸石晶粒同时存在聚集生长和聚合生长。聚集生长是物粒从小尺寸粒子向大尺寸粒子输运的重结晶过程,而聚合生长则是小晶粒之间通过聚合作用形成粒度更大的晶粒的作用过程。两者的热力学驱动力都是由于晶粒平均粒度的增大降低了体系总的表面自由能。水热体系A型沸石晶粒的形成经历了前驱物溶解成核并形成纳米小粒子晶粒的聚合生长晶粒的聚集生长4个阶段,最后得到的晶粒以聚合生长为主,同时伴随着聚集生长的综合结果。     

Microwave Hydrothermal Synthesis PZT of Nanometer Crystal

It was focused on the applications and developments of microwave hydrothermal synthesis piezoelectric ceramic powder. The microwave hydrothermal vessel was designed and manufactured. The microwave hydrothermal synthesis system was established and the PZT piezoelectric ceramic powder was synthesized. XRD and TEM have been used to characterize the products in detail. The diameter of the PZT powder particle is from 40 to 60 nm.     

单分散纳米氧化铟锡粉末的水热合成

以金属铟和锡为原料,于碱性环境240℃水热合成12h并经500℃煅烧2h得到了 粒径为70±10nm,比表面积为11 m²／g的高纯氧化铟锡(ITO)粉末.由SEM、激光粒度测试 仪和BET三种方法分析得到的粉末平均粒径相吻合,证明制备的粉末是单分散状态的.研究 还发现,提高铟锡初始浓度和氢氧化钠过量浓度均有利于小粒径单分散ITO粉末的制备,但 过高的氢氧化钠过量浓度会使粉末出现团聚.     

水热盐溶液卸压法制备氧化物粉体

本文采用一种新的水热粉体制备方法-水热盐溶液卸压法,制得了α-Al₂O₃粉体、AlO（OH）纤维以及ZrO₂和AlO（OH）复合氧化物粉体．发现以1mol／LAl（NO₃）₃溶液作为前驱物,0．2mol／LFe（NO₃）₃为添加剂,在300℃可制得α－Al₂O₃粉体．以1mol／LAl（NO₃）₃溶液为前驱物;1mol／LKBr为添加剂,在350℃可制得长径比为13：1的AlO（OH）纤维．当采用AlCl₃、ZrOCl₂溶液为前驱物,Zr/Al的比例为1：3时,在240℃可制得纤维状AlO(OH)颗粒和球形ZrO₂颗粒的复合氧化物粉体．