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射线数字成像是当前射线检测、诊断技术发展的重要方向,图像降噪增强是提高无损检测图像质量的关键.将基于小波变换的图像增强技术引入到射线无损检测(NDT)图像处理中,介绍了基于小波变换的反锐化掩模法、子带增强法和自适应增强法3种增强算法,并分别用这3种算法对射线NDT图像进行增强处理.通过对实验结果数据进行对比分析得出,相比另外两种小波增强算法,自适应小波增强算法处理后的图像更贴近实际,能够更好地在抑制图像噪声的同时增强图像细节. 相似文献
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工业X射线照相技术的应用与展望 总被引:3,自引:0,他引:3
工业X射线检测是X射线照相技术在工业上的重要应用,其图像的数字化是未来工业探伤的发展方向。文中详细介绍了工业X射线检测数字化的优点、方法以及数字化工业探伤的发展与展望。工业X射线检测的应用将射线检测技术水平提高到一个新的层次,解决了成像无胶片化、计算机存储及传输的数字化、X射线低剂量化、结果判读及评价的远程网络化等一系列传统X射线照相检测不可逾越的难题,并可通过各种图像后处理方法提高图像分辨率和滤除噪声。该技术将逐渐取代传统胶片成为未来工业X射线检测的发展趋势。 相似文献
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《电子工艺技术》2004,25(4)
20 0 4 0 4 0 1 2D/ 3D检测—VdoEFoank .CircuitsAs sembly ,2 0 0 4 ,15 (1) :2 6~ 2 8(英文 )在今天的电子组装中 ,X -射线系统的作用越来越重要。它可以透过材料体探测面阵列器件的隐藏焊点。 2D/ 3DX -射线检测相结合是最佳的设计、生产和质量控制的工具。本文从 2D与 3D图像、2D与 3D相结合和 2D/ 3D检测应用等方面介绍了灵活方便的X射线检测系统。2 0 0 4 0 4 0 2 ODM挑战EMS—BillCoker .CircuitsAs sembly ,2 0 0 4 ,15 (2 ) :34~ 37(英文 )在赢得母板市场后 ,基于亚洲的原始设计制造者 (ODM)已把他们的目光投向… 相似文献
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本文介绍了射线检测的基本原理,分析了射线检测技术实现自动化的难点所在,分析焊缝检测图像的预处理过程和焊缝缺陷的特征提取方法,通过人工智能的方法实现了射线检测的焊缝缺陷自动识别,取得了良好的效果.本文的研究可以为无损检测技术的应用提供借鉴,具有一定的现实意义. 相似文献
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工业X射线计算机实时图像分析系统,克服传统无损检验系统中缺点,利用最先进计算机图像处理技术,使系统具有图像清晰、分辨率高、实时性好、处理功能强等优点,是光、电机一体化的高新产品,是无损监测业发展趋势。 相似文献
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随着全球石油天然气长输管线设计钢级越来越高,输送用钢管管径、壁厚越来越大,对焊接钢管焊缝质量和表观质量要求的不断提高,急需一种新型、高效的检测方法来代替传统的X射线拍片技术。基于探测器阵列的DR直接数字成像技术的新型螺旋焊管管端焊缝无损检测X射线数字成像系统,采用新型线阵探测器,使系统具有较高检测灵敏度和空间分辨率,可以对焊管进行实时动态检测;可以通过软件对检测图像进行正/负片转换、图像放大或缩小、伪彩色增强等一系列变换,便于检测人员对缺陷的识别;检测过程操作简单,缺陷定位准确,提高了检测效率,降低了检测成本,完全可以替代传统胶片法和图像增强器检测法给企业带来了显著的经济和社会效益,具有广阔的推广应用前景。 相似文献
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THz射线成像技术及其应用 总被引:4,自引:0,他引:4
THz射线是介于微波和红外光之间的电磁波,可被用于图像分析系统,实现对物体的无损检测、分析蛋白质等大分子的三维乃至四维结构。本文介绍了THz射线的概念、特点、应用及其发展前景。 相似文献
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通过对不同剂量X射线照射的人上皮样喉癌细胞(HEp-2)的傅里叶变换红外(FTIR)光谱研究发现:不同剂量组HEp-2细胞受到的影响存在较大差异.与对照组相比,HEp-2细胞内部的蛋白质、核酸和脂类的含量在较大剂量组大幅减少;随照射剂量的逐渐增大,部分谱线位置频移较明显,如3314cm-1谱线逐渐红移3~16 cm-1,1454cm-1谱线逐渐蓝移3cm-1,1400cm-1谱线逐渐红移3cm-1,2847cm-1谱线逐渐蓝移4~8 cm-1,表明这些谱线对应的基团内部构象发生变化.另外,从相对峰强比I1654/I1542,I1454/I1400,I2958/I2847随照射剂量的变化关系发现,同对照组相比,HEp-2细胞在8Gy组内部蛋白质、核酸、脂类的含量和构象改变最为明显,癌化程度最弱,说明在所设定剂量组中8Gy X射线照射对HEp-2细胞的影响相对最好,这忖为将来进一步寻找射线作用于癌细胞的最佳剂量提供了一定的实验依据. 相似文献
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提出一种由X-射线发生器、光学光纤、荧光光谱仪组成的用于测定X-射线发光材料的新装置.该设备可以测定X-射线发光材料的荧光强度随着波长的变化曲线、荧光强度随着激发时间的变化曲线、余辉衰减随着时间的变化曲线以及余辉时间等.研究了X射线发光材料在不同时间段的光谱特征. 相似文献
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Device-to-Device(D2D)是一种在LTE-A系统中通过重用小区内宏蜂窝用户的资源来实现端到端通信的新型技术。本文从实际应用的角度出发,首先对D2D技术的原理和应用进行了分析,然后讨论D2D技术应用于LTE-A系统中的优缺点,接着通过仿真验证了D2D技术在LTE-A系统中的优势。最后阐述了D2D技术在LTE-A系统中应用可研究的方向及技术展望。 相似文献
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终端到终端(device-to-device,D2D)的直通通信实现了联合蜂窝和移动自组网的无缝操作,大幅提高了系统频谱效率和网络容量.介绍了D2D局域网的理论概念和在实践中的应用挑战;并着重论述了跨层资源管理在解决D2D通信中于扰避免问题的重要性,给出了一个无线资源管理实例.数据结果显示,所提出的算法性能接近穷举搜索最优算法,并具有相对较低的复杂度.目前,D2D通信技术表现出能够获得系统高容量和充分利用无线资源的巨大潜力. 相似文献
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Dmitry Lebedev Jonathan Tyler Gish Ethan Skyler Garvey Teodor Kosev Stanev Junhwan Choi Leonidas Georgopoulos Thomas Wei Song Hong Youl Park Kenji Watanabe Takashi Taniguchi Nathaniel Patrick Stern Vinod Kumar Sangwan Mark Christopher Hersam 《Advanced functional materials》2023,33(12):2212568
2D magnetic materials hold promise for quantum and spintronic applications. 2D antiferromagnetic materials are of particular interest due to their relative insensitivity to external magnetic fields and higher switching speeds compared to 2D ferromagnets. However, their lack of macroscopic magnetization impedes detection and control of antiferromagnetic order, thus motivating magneto-electrical measurements for these purposes. Additionally, many 2D magnetic materials are ambient-reactive and electrically insulating or highly resistive below their magnetic ordering temperatures, which imposes severe constraints on electronic device fabrication and characterization. Herein, these issues are overcome via a fabrication protocol that achieves electrically conductive devices from the ambient-reactive 2D antiferromagnetic semiconductor NiI2. The resulting gate-tunable transistors show band-like electronic transport below the antiferromagnetic and multiferroic transition temperatures of NiI2, revealing a Hall mobility of 15 cm2 V−1 s−1 at 1.7 K. These devices also allow direct electrical probing of the thickness-dependent multiferroic phase transition temperature of NiI2 from 59 K (bulk) to 28 K (monolayer). 相似文献
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Room temperature ferroelectric thin films are the key element of high-density nonvolatile memories in modern electronics. However, with the further miniaturization of the electronic devices beyond the Moore’s law, conventional ferroelectrics suffer great challenge arising from the critical thickness effect, where the ferroelectricity is unstable if the film thickness is reduced to nanometer or single atomic layer limit. Two-dimensional(2D) materials, thanks to their stable layered structure, saturate interfacial chemistry, weak interlayer couplings, and the benefit of preparing stable ultra-thin film at 2D limit, are promising for exploring 2D ferroelectricity and related device applications. Therefore, it provides an effective approach to overcome the limitation in conventional ferroelectrics with the study of 2D ferroelectricity in van der Waals(vdW) materials. In this review article,we briefly introduce recent progresses on 2D ferroelectricity in layered vdW materials. We will highlight the study on atomically thin α-In2Se3, which is an emergent ferroelectric semiconductor with the coupled in-plane and out-of-plane ferroelectricity. Furthermore, two prototype ferroelectric devices based on ferroelectric α-In2Se3 will also be reviewed. 相似文献
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Organic-inorganic hybrid perovskite solar cells (PSCs) with unique properties exhibit their powerful competitiveness in the photovoltaic field over the past few years. However, the challenges of stability for perovskite devices limit the commercialization and further development. The 2D/3D hybrid structures combine the superior efficiency of bulk perovskites and the superior stability of layered perovskites and gradually get hotspots of the photovoltaic field. In addition, there remains a lack of comprehensive understanding and systematic summary of the function of 2D perovskite attributed to the complex nature of 2D/3D structures. Here, the latest progress of 2D/3D hybrid structures and focus on the functionality of 2D phases in mixed structures and the underlying mechanism from the perspective of their different distributions in the perovskite layer is summarized. Then, the insight and vital factors for overall improvements in the stability of 2D/3D structures are thoroughly discussed. Finally, it is expected that this review will contribute to the present challenges and future research prospects in the photovoltaic industry. 相似文献