3B1束线上LIGA掩模的设计研究

BSRF中的 3B1光束线与LIGA实验站过去使用的 3W 1光束线相比 ,其同步辐射X光光谱较软、光强较弱 ,但可实现专用光和兼用光两用。现在LIGA实验站移到 3B1光束线 ,为此必须进行新的LIGA掩模设计、制作。结合此研究目的 ,本文通过使用XOP和Origin两个软件进行设计、计算 ,分别得到了专用和兼用时 3B1光束线在传输过程中的各级能谱图和传输、吸收数据 ,并针对这两种不同的用光情况分别设计、研究了两种不同组合的掩模 :Au PI组合和Au Si组合。     

3B1束线上LIGA掩模的设计研究

BSRF中的3B1光束线与LIGA实验站过去使用的3W1光束线相比,其同步辐射X光光谱较软、光强较弱,但可实现专用光和兼用光两用.现在LIGA实验站移到3B1光束线,为此必须进行新的LIGA掩模设计、制作.结合此研究目的,本文通过使用XOP和Origin两个软件进行设计、计算,分别得到了专用和兼用时3B1光束线在传输过程中的各级能谱图和传输、吸收数据,并针对这两种不同的用光情况分别设计、研究了两种不同组合的掩模:Au-PI组合和Au-Si组合.     

LIGA技术及其在微驱动器中的应用

介绍了LIGA加工工艺以及多层掩模技术、复制技术和外形磨削成型技术的现状。给出LIGA技术在微驱动器中的应用。     

一种采用双面对准的硅LIGA掩模制作研究

深Ｘ射线光刻是制作高深宽比ＭＥＭＳ结构的一个重要的方法。提出一种基于硅工艺和双面对准技术的ＬＩＧＡ掩模技术,工艺十分简单。采用该掩模,可进一步解决深Ｘ射线光刻中的重复对准多次曝光问题,给出了该掩模设计制作工艺过程及深Ｘ射线光刻结果,整个过程包括常常氮化夺、采用Ｋａｒｌ Ｓｕｓｓ双面对准曝光机进行ＵＶ光刻、电化学沉积金吸收体、体硅腐蚀形成支撑等。利用该掩模在北京ＢＥＰＣ的Ｘ射线光刻光束线上进行曝光。     

聚合物阵列波导光栅复用器的研究

介绍了聚合物阵列波导光栅（AWG）复用器的基本原理，进而用Al掩模制做聚合物AWG光波导。结果表明：AWG器件的制做工艺，Al掩模技术明显优于厚胶掩模技术。用这种技术制备的器件，其结构指标与理论设计相符合而且波导在1.55μm处实现了单模传输。     

掩模法激光标记中的物象关系的研究

研究了采用稳定腔和非稳腔Ｎｄ：ＹＡＧ激光器进行激光标记时，掩模和像平面的共轭关系。结果表明，二种腔型的光束性质不同，由此得到的共轭关系也有很大区别。     

利用光波导进行准分子激光打孔的加工系统研究

分析了现有准分子激光打孔系统的优缺点,研究了对经过光波导的光束进行掩模打孔的一套加工系统。对光波导的制作进行了分析,并进行了一系列实验,文中给出了试验结果和分析。     

采用双自由曲面整形的无掩模光刻照明系统

为了实现无掩模光刻系统所需求的矩形准直平顶激光光束照明,提高照明系统的能量利用率,提出了一种利用双自由曲面整形的照明系统设计方法。根据光程守恒原理和折射定律,推导了积分形式的双自由曲面面形方程;采用数值解法求解积分方程,分别设计了含有双自由曲面的双透镜整形单元和单透镜整形单元的照明系统,使用光学设计软件对两种照明系统进行模拟,得到两种照明系统的照明均匀性在93%以上,能量利用率大于91%。结果表明,两种照明系统均能实现无掩模光刻系统的高均匀性、高能量利用率照明。     

光掩模现状与展望

0．09μm工艺用掩模在国外进入批量生产,0．065μm对应掩模成为研发重点,新一代电子束投影曝光技术、低加速电压电子线等倍接近曝光技术、超紫外线曝光技术的候补技术光掩模的研究与开发已成为备受关注的课题。国内光掩模制造业仅能够满足国内中低档产品市场的要求。     

任意三维表面微型光器件的灰度光刻技术

使用传统的微加工技术,如各向异性或各向同性干刻蚀、湿刻蚀只能加工有限形貌的表面,为了克服这一缺点,发展了多层掩模技术、激光三维立体光刻、电子束直接写入技术等许多三维微加工技术。灰度光刻最被看好,它通过灰度掩模把加工光束能量密度分布调制成不同的形状,对光刻胶进行曝光,微型器件一次成形,不需要移动掩模或移动加工晶片,也不需要对光刻胶进行热处理,只需要对掩模版进行一定的编码和标准的光刻设备,容易和其他IC工艺相兼容,实现系统芯片结构的制作。本文分析了它的物理机制、掩模类型、编码过程、约束条件和优化方法。