光电耦合器内部气氛长期贮存变化的研究

根据气密封装器件的内部气体流动原理,对光电耦合器内部气氛含量的初始状态进行了分析,对长期贮存的变化状态进行了预测,随后采用内部气氛分析仪验证预测结果,证明了气体流量原理能够有效预测光电耦合器封装内部的气氛含量,并且能够将封装工艺的薄弱环节暴露在检测初始阶段。通过分析测量漏率与真实漏率之间的关系,对提高预测光电耦合器内部气氛含量长期贮存变化的准确性提出了建议。     

抗辐射光电耦合器试验研究

针对光电耦合器中使用的发光二极管(LED)进行了不同的方案设计,并对相关的光电耦合器进行了钴-60γ总剂量试验研究,比较了光电耦合器的主要参数——电流传输比辐照前后的变化,从而得到了优化的发光二极管设计。采用自主设计生产的发光管材料制作了发光二极管,同时利用中国电子科技集团公司第十三研究所研制的探测器、晶体管以及陶瓷管壳制作了光电耦合器。在4 mA偏置下,经过300 krad(Si)γ(辐照剂量率为50 rad(Si)/s)电离总剂量辐照后,电流传输比平均下降了31.5%,优于国外光电耦合器的已知水平。在抗辐射光电耦合器中,采用正装、小发散角结构的发光二极管可进一步提高其抗辐射性能。     

一种抗辐照的光电探测芯片设计

光电耦合器的核心模块是光电探测芯片。介绍了一种抗辐照光电探测芯片的设计,该电路基于0.5 μm标准互补金属氧化物半导体(CMOS)工艺研制,内部包含跨阻放大器(TIA)、基准源和比较器等模块电路,并通过电路结构和版图设计进行抗辐照加固。测试结果表明,抗总剂量能力达到200 krad(Si),同时,该芯片数据传输速率可达10 MBd,其输入高电流范围为6~18 mA。     

集成电路内部水汽含量的控制

简要叙述了集成电路封装内部水汽的形成；指出集成电路封装内部水汽主要是由封装环境气氛中的水份以及封装管壳和芯片表面吸附的水汽所造成的；论述了内部水汽引起集成电路电性能的退化，从而影响建成电路的可靠性。并介绍了纯氮气气氛保护封装、增加红外烘烤等控制集成电路内部水汽含量的措施。     

气密性金属封装内的水汽及气氛研究

从封装管壳、贴片材料、固化烘烤处理方式等方面,研究了封装内部的水汽和气氛。结果表明,管壳清洗后烘焙的水汽含量低于清洗后不烘焙的水汽含量。粘结材料(环氧树脂、氰酸酯树脂等)吸附于器件表面,其排放对封装内的水汽有严重的影响。对于环氧树脂H35和氰酸酯树脂JM7000两种导电胶,烘焙后的效果要好于未烘焙,且随着烘焙时间的延长,水汽含量逐步降低。对外壳清洗后进行150℃/8h的烘焙,对水汽和气氛都有好处。由于储能焊对导电胶的热冲击不大,两种导电胶的水汽和气氛排放并无明显差别。     

一种四通道贴片式高速光电耦合器

研制了一种新型的四通道贴片式高速光电耦合器.介绍了该光电耦合器的结构、工作原理、参数设计、特点和参数曲线,并简述了其制作工艺.设计中采用独立腔体分隔技术,将四条光路完全从物理上分离,彻底杜绝多路光信号间相互干扰.该光电耦合器采用SOIC-16金属陶瓷管壳气密性封装,具有工作速度快、功耗低和体积小的特点.     

电子器件

0524619压电陶瓷换能器在超声波测距仪中的应用[刊,中]/毛剑波//合肥工业大学学报.—2005,28(6).—696-698(C)0524620光电耦合器内部水汽含量控制[刊,中]/胡琳//半导体光电.—2005.26(3).—202-204(D2)     

光电耦合器关键技术及其进展

光电耦合器（OCD）是众多光电子器件中应用范围最为广泛的器件,受到人们的关注。本文就电耦合器的构形,制作工艺,红外发光二极管（IRLED）寿命,光敏探测器稳定性,封装形式与稳定性等关键技术作了论述,并介绍了光电耦合器的最新进展和发展趋势。     

反射式光耦的CTR工艺控制

文章介绍了光电耦合器结构及其CTR参数,分析红外发光芯片和光敏接收芯片对光耦CTR值影响,重点讨论了工艺上内点胶操作与CTR的关系,提出了内点胶操作所形成光学通道的椭圆模型理论和各种点胶方式,并用实验进行验证和说明。最后总结出在生产过程中控制CTR值的芯片配对方案和工艺操作方法。     

连续波80W大功率SiC MESFET

在高纯半绝缘(HPSI)衬底上外延生长了SiC材料,自主开发了SiC MESFET器件制作工艺,实现了单胞栅宽27 mm芯片的制作。优化了芯片装配形式,通过在管壳内外引入匹配网络提升了芯片输入阻抗及输出阻抗。利用管壳外电路匹配技术,采用管壳内匹配及外电路匹配相结合的方法对器件阻抗进行了进一步提升。优化了管壳材料结构,采用无氧铜材料提高了管壳散热能力。采用水冷工作的方式解决了大功率器件散热问题,降低了器件结温,可靠性得到提高。采用多胞芯片匹配合成技术,实现四胞4×27 mm芯片大功率合成。四胞芯片封装器件在连续波工作频率为2 GHz、Vds为37.5 V时连续波输出功率达80.2 W(49.05 dBm),增益为7.0 dB,效率为32.5%。