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采用化学还原法,以草酸、亚硫酸钠和抗坏血酸(VC)等为还原剂,以PVP(聚乙烯吡咯烷酮)为分散剂还原雷酸金制备了亚微米球形金粉,利用SEM对所制金粉进行了表征。讨论了还原剂种类对金粉形貌的影响,优选出了弱还原性的VC作为制备亚微米球形金粉的还原剂。探讨了金溶液质量浓度、pH值、PVP用量对金粉粒径的影响。结果表明:当金溶液质量浓度为30 g/L,pH值为3.5,质量比ζ(PVP:Au)=0.5:1.0时,所制备的金粉具有规则的球形形貌和约0.3μm的粒径。该金粉制备的金导体浆料具有优良的导电性能。 相似文献
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超细金粉在电子浆料中的应用 总被引:3,自引:0,他引:3
讨论了#1和#2两种超细金粉在电子浆料中的应用。#1超细金粉用于印刷型金导体浆料中,线分辨率高,性能稳定。#2超细金粉应用于焊接型金导体浆料,满足欧姆接触和附着力的要求。 相似文献
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出于对健康和环境的考虑,限制铅、镉和含有其它有毒物质在混合集成电路产品应用的需求越来越大。根据2006年7月1日生效的欧盟禁令(即RoHS)这些物质是禁用的,电路生产商急于找到可以替换现有含铅和镉的产品。镉氧化物在厚膜金浆料中可以起到很好的粘附作用。金厚膜浆料主要用于要求高机械强度的领域,比如医疗器械,军事应用和高频电路。现在的挑战是开发一新的和传统的含镉浆料具有相同性能的无镉导体金浆料。在过去的10年中,贺利氏超前地研发了无铅无镉厚膜产品。到目前,贺利氏已经开发并且打入一些环保型厚膜产品市场。讨论一种新开发的厚膜导体金浆料,给出了在96%氧化铝基板和绝缘体基板上分别焊接金线和铝线的线键合数据。数据显示无铅无镉金导体和RoHS规定的可锡焊导体之间的匹配性,结果表明它可以应用于混合金属电路。 相似文献
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在大气气氛中烧成的铜导电浆料,通过降低导电相粒子直径和改进工艺,摸索出了一套适合此材料的厚膜工艺技术,使此材料的性能有所提高。其主要指标是:方阻3~5mΩ,附着强度14N/mm~2,分辨率0.15mm,专用焊接良好。 相似文献
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电子浆料用球形银粉的制备 总被引:6,自引:1,他引:5
介绍了化学沉淀法生产球形银粉的工艺技术,采用该工艺制备的球形银粉具有良好分散性、合适的粒径、适当的比表面积,可以广泛应用于电子浆料. 相似文献
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A silver-based active (titanium-containing) brazing alloy, namely 63Ag-34.25Cu-1.75Ti-1.OSn, was found to serve as a totally
metal (no glass) thick film conductor which exhibited lower electrical resistivity, much greater film/substrate adhesion,
much lower porosity, similar solderability, and lower scratch resistance compared to the conventional silver-glass thick film.
The brazing alloy film was formed by screen printing a paste containing the alloy particles and then firing at 880°C in vacuum. 相似文献
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本文讨论了国产厚膜导体材料的微波性能。用国产Au浆料和Pd—Ag浆料,通过传统的厚膜工艺,在99%Al_2O_3陶瓷基片上制作了一组特性阻抗为50欧姆的微带线。用薄膜技术制作了几条和厚膜微带线一样的薄膜微带线。使用HP8410S网络分析仪测出了频率在2~12GHz范围内各条微带线的散射参数的幅度和相位。对微带线的损耗测量值和理论值进行了比较。用台阶测试仪测绘出了微带线中心导体的截面膜厚分布图。实验结果表明:在频率8GHz下,国产Au厚膜微带线的损耗和薄膜微带线的损耗几乎相等。另外,用国产Au浆料制作了一个3dB分支线定向耦合器,器件的性能良好。 相似文献
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介绍了AlN基片所用厚膜浆料的产品性能。从金属粉体的制备,粘结方式探索和烧结工艺的改进等方面综述了该领域的研究进展。目前粉体制备还是以化学还原为主。粘结方式中,玻璃相粘结具有较高的可靠性;反应粘结因导热性和热应力等方面的优势,使其成为AlN基板厚膜浆料粘结的重要方式。 相似文献
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Pt-Pd-Ag厚膜导体的粗Al丝键合 总被引:2,自引:0,他引:2
采用破坏性拉力试验和焊点接触电阻测量两种方法测试Pt-Pd-Ag三元合金导体的粗Al丝超声键合的性能。分别在124℃,1000h和300℃,10h条件下进行热老练和温度循环等环境试验,然后测量焊点的键合强度。在室温和125℃高温条件下,观察了Al/Pt-Pd-Ag超声键合系统抗电流冲击的能力。试验结果表明:Pt-Pd-Ag厚膜导体适于粗Al丝超声键合,键合强度能满足要求。 相似文献
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The sintering behavior of thick film reactively bonded Au films was studied using electrical re-sistance measurement and scanning
electron microscopy. Isothermal firings were conducted at 350‡ to 850‡C for times up to three hours. The sintering process
consists of three portions: 1) Burnoff of the binding resin at 350‡ to 450‡C. 2) A second stage involving neck growth between
the gold particles with an activation energy of ∼ 15 Kcal/mole and a time exponent of 5.5 to 6.5 corresponding to surface
diffusion control and 3) a third stage of densificat ion by pore annihila-tion and grain growth. The activation energy in
stage III of 35–45 Kcal/mole agrees closely with bulk diffusion control. Electrical resistance change appears to be a useful
method for studying particularly the initial stages of sintering. 相似文献
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目前国内尚缺乏与LTCC相配套的厚膜电阻浆料。实验证明,厚膜电阻浆料的导电相、玻璃相及添加剂等对LTCC基板表面厚膜电阻在常温下的稳定性有一定影响。厚膜电阻浆料的膨胀系数随其导电相、玻璃相及添加剂的组分的变化而变化。当厚膜电阻浆料的热膨胀系数与LTCC基板的热膨胀系数之差异大到一定程度时,厚膜电阻在常温下的稳定性就会受到影响。X射线衍射图谱说明,厚膜电阻与LTCC基板之间生成的方石英相会降低厚膜电阻在常温下的稳定性。 相似文献
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A spherically concentric model of the earth is employed to obtain expressions for the surface impedance matrix at the surface. It is shown the surface impedance is a function of both the earth's electrical parameter and the source field configuration. In some cases the latter dependence is of minor consequence. 相似文献
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在(100)单晶Si 衬底上,采用MEMS 工艺和丝网印刷方法制作了锆钛酸铅(PZT)厚膜热释电红外探测器,深入研究了PZT 厚膜材料的制备方法与器件加工工艺。采用四甲基氢氧化铵(TMAH)溶液腐蚀Si 衬底制备硅杯结构。为防止Pb 和Si 相互扩散,在Pt 底电极与SiO2/ Si 衬底之间通过射频反应溅射制备了Al2O3 薄膜阻挡层。采用丝网印刷在硅杯中制备了30 m 厚的PZT 材料,并用冷等静压技术提高厚膜的致密度,实现了PZT 厚膜在850℃的低温烧结。PZT 厚膜在1 kHz、25℃下的相对介电常数与损耗角正切分别为210 和0.017,动态法测得热释电系数为1.510-8Ccm-2K-1。最后制备了敏感元为3 mm3 mm 的单元红外探测器,使用由斩波器调制的黑体辐射,在调制频率为112.9 Hz 时测得器件的探测率达到最大值7.4107 cmHz1/2W-1。 相似文献