微波功率器件动态试验系统

为开展微波功率器件动态加速寿命试验,建立了一套由计算机实时监测的微波动态试验系统.采用微带电路剥离以及加热部件与其他电路的隔热连接等方法,实现了对每个器件进行独立的内腔式加热,从而单独提高受试器件环境温度,保证了高温应力下微波动态电路的稳定性和可靠性.同时编制了计算机程序软件,解决了参数校准、参数提取等方面存在的误差修正及提高测试精度等技术问题,实现了对试验过程的实时监测和数据的完整保存.     

GaN HEMT微波功率管直流和射频加速寿命试验

分别选用南京电子器件研究所研制的1.25mm栅宽GaN HEMT和12mm栅宽GaN功率管,对小栅宽器件进行三温直流加速寿命试验,评估其直流工作可靠性,试验结果表明该器件在125℃沟道温度条件下工作的失效率为1.86×10-9/h;对大栅宽器件进行脉冲射频加速寿命试验,评估其射频工作可靠性,试验结果表明该器件在125℃沟道温度条件下工作的失效率小于1.02×10-7/h。     

GaAs微波功率FET的可靠性与功率特性的关系

采用射频最大饱和漏电流和射频击穿电压解释了影响GaAs微波功率FET功率特性的主要因素,GaAs FET栅漏间半导体表面负电荷的积累在引起器件电流偏移的同时还导致器件微波功率特性的退化,GaAs微波功率FET的可靠性和功率特性相互关联,高可靠的GaAs微波功率FET一定具有高性能的功率特性。在器件工艺中对表面态密度和陷阱能级密度严格控制是实现GaAs微波功率FET的高功率特性和高可靠性的关键。     

集成电路动态老化新技术的实施

在集成电路的可靠性评估试验中,动态老化项目是最重要的试验之一。文章提出了利用新技术对集成电路进行动态老化测试的全新方法,该新方法可以对老化线路板的关键电路信息和老化环境进行多路全面测试的监控,全面提高监控范围,及时发现老化过程中的工作异常,并减少人工,提高评估试验的可靠性,和其他方法相比有独特的优势。文中在技术上就集成电路具体实施动态老化试验过程中的技术细节和功能的实现进行探讨,分析和介绍老化技术中老化信号的生成和加载方法以及实时监控、数据采集方案。     

一种新型微波射频开关(4×2)的设计与应用

介绍了一种新型利用pin diodes的4输入2输出射频开关的设计,给出了设计思想和详细的电路图,并介绍了这种射频微波器的印刷电路板的设计及其电磁兼容特性.准确分析了器件良好的散射和传榆性能.该射频开关稳定性高,微波特性良好,能够准确应用于测试系统中电路的切换.目前,该射频开关已应用于某核磁共振测试系统中,效果良好,可靠性高.     

FPGA电路动态老化技术研究

近年来,随着FPGA电路在军工和航天领域的广泛应用,用户对FPGA电路的可靠性要求也越来越高。在集成电路的可靠性评估试验中,动态老化试验是最重要的试验之一,FPGA动态老化技术的实现可以提高FPGA电路的可靠性。文章通过研究FPGA电路内部结构和功能模块,讨论FPGA电路加载配置过程的原理和流程,通过对动态老化和静态老化的对比试验和结果分析,研究出FPGA电路动态老化试验方法,并在工程实践中得到了成功实现和应用。     

微波器件的可靠性及失效分析

微波器件的可靠性直接影响整机系统的可靠性,失效分析工作可以显著提高微波器件的质量与可靠性,从而提高整机系统的质量与可靠性。同时,失效分析工作会带来很高的经济效益,对元器件的生产方和使用方都具有重要意义。微波器件失效的主要原因有两个方面:固有缺陷和使用不当,固有缺陷由生产方引起,使用不当主要由用户引起。微波器件可以分为微波分立器件、微波单片电路以及微波组件三大类,文章分别对三类微波器件的主要失效模式和失效机理做了较为全面的分析和概括。     

有源相控阵射频系统稳定性设计与评估

有源相控阵的核心是微波射频系统,包含T/R组件和延时放大组件。T/R组件具有高效率、高幅度相位稳定性、高可靠性、低成本、小型化等优点。在组件小型化的同时提供了极高的射频增益,其稳定性设计与评估就显得十分重要。文中介绍了有源相控阵射频系统稳定性常见的问题以及评估方法,用此方法确保了微波射频系统的稳定性,同时极大提高了雷达的可靠性和安全性,为有源相控阵雷达长期稳定运行提供了有力的技术保证。     

固体微波器件高可靠性电应力试验研究

本文叙述了固体微波器件高可靠性静态电应力试验中条件的保证与样管安全问题,分析了高可靠性器件开展动态电应力试验的必要性,指出作为可靠性工程的实践基础以及研究可靠性电应力试验的现代技术的必要性。     

射频微机电系统器件质量评价方法分析

在分析射频MEMS器件面临的可靠性问题的基础上,结合器件结构特点及应用环境要求,提出射频MEMS器件的可靠性试验项目以及筛选、鉴定和质量一致性检验的质量评价程序和方法.     

一种用于微波系统的输入电压控制电路

随着射频技术的不断发展,微波系统对功率密度、可靠性的重视程度不断提高。以氮化镓为基础的微波功率器件的应用取得了很大的进步,对微波系统的供电时序也提出了更高要求。根据微波系统对脉冲电压及电源时序控制的要求,设计了一种电压控制电路,实现直流输入电压的脉冲输出和上电、掉电时序的控制,并通过实验电路对设计原理进行了验证。     

高温正向栅电流下Ti/Pt/Au栅SiC MESFET的栅退化机理

SiC MESFET器件的性能强烈依赖于栅肖特基结的特性,而栅肖特基接触的稳定性直接影响其可靠性.针对SiC MESFET器件在微波频率的应用中射频过驱动导致高栅电流密度的现象,设计了两种栅极大电流的条件,观察栅肖特基接触和器件特性的变化,并通过对试验数据的分析,确定了栅的寄生并联电阻的缓慢退化是导致栅肖特基结和器件特性退化,甚至器件烧毁失效的主要原因.     

L波段Si微波脉冲功率晶体管射频加速寿命试验

Si微波功率器件应用十分广泛,其可靠性直接影响使用设备的性能.以L波段Si微波脉冲功率晶体管为例,提出了一种基于Arrhenius模型的Si微波功率晶体管可靠性寿命评价方案.采用L波段Si微波脉冲功率晶体管在射频脉冲工作条件下(f=1.3 GHz,Pin=40 W,TW=150 μs,D=10%)进行了壳温为200℃的高温加速老化试验,应用Arrhenius模型对试验结果进行了分析和计算.推导得出了L波段Si微波脉冲功率晶体管在室温(25 ℃)工作条件下的平均寿命为6.2×106 h.     

自动测试系统中的射频与微波开关

电子信息技术快速发展,射频、微波设备的应用日渐广泛,在航空航天、消费电子等领域中得到了很好的应用。随之而来的,测试系统中的应用射频和微波特性测试的仪器也实现了良好的发展和进步。新型的自动测试系统中,射频和微波开关产品是极具特点的,其结构、功能以及器件原理都有自身的特点。本文就自动测试系统中的射频与微波开关进行简要的阐述与分析。     

改善微波功率器件可靠性的方法

微波功率器件因其具有体积小、可靠性高等优点而被广泛地运用在了微波通讯系统、遥测系统、雷达、电子对抗和导航等领域.但是,由于硅微波双极功率器件的结比较浅、基区比较窄,因而其击穿电压往往较低,从而对器件的大功率输出和抗烧毁能力造成了一定的不利影响.因此,从提高击空电压、镇流电阻设计、降低基区电阻设计、预匹配的选择和宽带半导体材料的采用等方面对提高硅微波双极功率器件的可靠性的具体措施进行了研究,对于改善硅微波双极功率器件的性能、提高其可靠性具有重要的指导意义.     

微波功率器件动态寿命试验方法和技术研究

介绍了对微波功率器件开展的动态加速寿命试验方法和技术的研究。主要阐述了实现振荡式微波动态寿命试验的方法 ,以及不同于常规的对受试功率器件进行内部式加热控温的技术研究。     

微波晶体管可靠性预测

本报告给出了73.2～74.4所做的关于估价微波功率晶体管失效机理的结果,并给出了这些器件预期的可靠性和寿命结果。根据详细的失效分析进行了一系列加速射频寿命试验。估价了金和铝两种金属化系统器件。早期的工作是在 MSC1315和 PHI1510器件上进行的。PHI 型金金属化器件可在340℃结温下工作长达2000小时而不失效。MSC 型铝金属化器件在250℃结温下工作800小时或在310℃结温下工作10小时失效。其主要失效机理是电徙动。     

小型宽带连续波行波管

微波系统的设计者经常处于困境,不得不使他的创造性仅限于反映现有可用微波器件的水平。显然,获得现有器件的功率、频率和频宽等方面的技术发展状况决定了整个系统所能达到的性能。用于此领域的器件通常不再是实验室的珍品,提交成批生产之前,必须对这些器件进行试验和分析,以确定其再生产的能力、成本和可靠性。此外,在系统定型之前就必须确定基本的设计原则:是采用固体器件还是采用电子     

脉冲功率器件直流和动态热特性探测

介绍了针对影响微波脉冲功率器件可靠性的热性能问题，应用红外热分析技术。对比探测微波脉冲功率器件在动态和直流状态下的温度分布，峰值结温，热阻及其变化规律。     

微波光子滤波技术

微波光子滤波器(MPF)是在光域内实现对微波/射频(RF)信号进行滤波的器件.由于微波光子滤波器在射频系统中具有带宽大、快速可调谐、可重构、无电磁干扰(EMI)、低损耗和重量轻等优点,因而这一类器件已经引起了越来越多的人们的兴趣.在概述微波光子滤波器基本原理基础上,分别介绍了现阶段对微波光子滤波器可调谐性、负抽头等问题基本方法的实现,并简要比较了不同方法的优缺点.最后展望了微波光子滤波技术的发展方向和技术难点.