用于合成孔径辐射计的集成接收机设计

采用0.13μm GaAs pHEMT工艺,提出一种Ka波段低噪声下变频单片式微波集成接收机,可满足合成孔径辐射计应用要求。该设计由4级低噪声放大器模块和由双平衡混频器组成的镜像抑制混频器组成。仿真结果显示,在输入信号频率为29~34GHz时,芯片的变频增益为17~20dB,镜像抑制度超过20dBc,噪声系数为2.6~3dB。     

高镜像抑制带通滤波器的优化设计

研究卫星天线射频信号优化问题,因镜频干扰在变频接收系统中影响很大,通常采用高品质的镜像抑制带通滤波器来处理高频信号.为了提高带通滤波器的镜像信号抑制能力和减小噪声系数,进一步减小多种干扰,提出微带带通滤波器设计方法和ADS软件优化设计高镜像抑制方法.方法通过对传输零点的准确定位,可实现选择性地抑制镜像信号.理论分析和仿真结果表明,所设计的带通滤波器性能和理论值一致,具有高镜像抑制能力、噪声系数低,同时还可以满足带内插损和带外抑制的设计要求,对工程应用有一定的指导意义.     

导航系统中频滤波器的设计

针对导航系统射频接收机中中频滤波器只能接收单频段信号的问题,采用TSMC RFCMOS 0.18μm工艺,设计了一款带外抑制高、带内平坦度低和线性度好的六阶切比雪夫中频滤波器,用于接收北斗卫星导航系统的B1频段信号和全球定位系统(Global Positioning System,GPS)的L1频段信号的射频接收机中。该滤波器以具有增益的双极点节结构为基础,通过采用三阶级联的方式实现。利用Cadence软件中Spectre对电路进行仿真表明,该滤波器的中心频率为4MHz,-3dB带宽为4 MHz,有源增益为13dB,增益平坦度±1dB,在28MHz时衰减大于20dB,运放增益大于45dB,运放带宽大于190 MHz,运放的相位裕度大于60°,1dB压缩点为-14dBm。     

低电压高增益下变频混频器设计

本文设计一个低电压高增益下变频混频器。为了降低电源电压,本文采用了LC-tank折叠结构,同时为了提高混频器线性度,采用了开关对共源节点谐振技术。在低电源电压和高线性得到保证的情况下,本文用ADS2009软件重点对混频器的转换增益进行优化、仿真,结果表明:工作电压1.4V,RF频率2.5GHz,本振频率2.25GHz,中频频率250MHz,转换增益7.325dB,三阶交调点6.203dBm,单边带噪声系数3.823dB,双边带噪声系数2.868dB,功耗14.028mW,本文所设计的混频器可用于无线通信领域的电子系统中。     

2.4GHz下变频双平衡混频器设计

采用TSMC 0.18μm CMOS工艺,设计了一个基于Gilbert单元、工作在2.4 GHz的下变频双平衡混频器,该混频器具有良好的150MHz中频输出特性.经仿真在1.8V电压下,电路匹配良好,并取得转换增益为8.275 dB、单边带噪声系数(NFssb)为8.431dB、为7.146dBm、功耗低于20 mW的较好结果.     

一种带有巴伦电路的24 GHz上混频器设计

设计了一个24 GHz上变频混频器,基于吉尔伯特结构全集成了3个片上巴伦电路。采用gm/I方法协调晶体管大小为了获得较好的转换增益、隔离度与电路耗散功率。电路实现采用厦门三安0.5μm PHEMT工艺,5 V电压供电,在本振LO为0 dBm时,转换增益为9 dBm。工作在24 GHz频段时,1 dB压缩点为-20 dBm,混频器的最大输出功率为-10 dBm,射频输出端口与本振的隔离度大于32 dB,整个电路直流功耗40 mW,芯片面积为1 mm×1.3 mm。     

基于温度自动补偿的直接上变频发射机中IQ不平衡校准方案

本文针对信号发射过程中，由基带信号经过正交调制后的正交 (in phase-path and quadrature-path, IQ)信号不完全正交且具有不同的幅度增益而产生的镜像干扰问题，提出了一种新的对IQ不平衡信号的校准参数进行估计的算法。通过建立不理想的信道模型，基于信号的二阶统计特性，计算发射信号和接收信号的相关矩阵，用所提算法估算出补偿参数，结合温度传感技术，对信号进行数字预校准，并对该算法的有效性进行验证。经过测试，不同温度环境下IQ不平衡信号经过校准后在理想接收端一侧的镜像抑制比(image rejection ratio, IRR)能稳定在50dB左右。     

一种优化的射频IC接收电路

简要介绍射频IC系统的结构,并针对现有射频IC系统接收电路的不足,通过调整混频器增益、混频管之间距离和工作频率等方法,实现对接收电路的优化。通过仿真,证明了优化的有效性。     

低压低功耗混频器的设计

本文对常见的混频器结构进行了调整,提出了一种新的混频器结构--低压低功耗混频器,分别降低了跨导级、本振级与输出负载正常工作时所消耗的直流电压降,从而达到降低电源电压的目的.采用1.5v TSMC 0.35 μm CMOS工艺进行仿真,该混频器仿真结果表明,电路转换增益为-10.5 dB,噪声系数为20.648 dBm,1 dB压缩点为-5.764dBm,三阶输入交调点为4.807 dBm.     

基于GSM接收机的集成多相滤波器设计

本文介绍了用于GSM接收机的低中频多相滤波器的设计,采用有源RC电路架构且单片全集成.设计采用TSMC0.18um CMOS工艺,通过spectre仿真,滤波器的中心频率为110kHz,带宽200kHz,增益30dB,镜像抑制比38dB.