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《固体电子学研究与进展》2017,(5)
针对ESD保护器件SCR的维持电压和触发电压难以调整的问题,设计了一种SCR版图形式,这种新型的SCR版图形式可以将维持电压和触发电压进行最优化的调整,同时不改变原有的高压工艺的特点。从而解决了在高压ESD保护领域,使用SCR做ESD保护器件容易引入闩锁效应的问题,是目前高压ESD保护领域较好的解决方案。 相似文献
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RS-232接口标准是由电子工业协会(EIA)和电信工业协会(TIA)制定的,已广泛应用于低速短距离的计算机终端和外设之间的连接。RS-232标准规定正负电源代表逻辑0和1,而计算机和终端内部的高低电平来表示逻辑状态,所以需要RS-232接口电路提供电平转换。RS-232接口电路的关键特性包括可靠性,低功耗和ESD保护。MAXIM公司最早将自动关断功能引入RS-232接口电路,把静态功耗降低到1μA,1994年首创带有±15KV静电保护(ESD)的RS-232接口电路,随后将这种ESD保护结构应用在3V供电的RS-232接口电路中。在接口电路方面MAXIM处于业内领先地位,所生产的接口器件具备高可靠性和高品质。下面介绍MAXIM公司在ESD保护方面的特殊优势和产品。 相似文献
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用于双极电路ESD保护的SCR结构设计失效分析 总被引:1,自引:0,他引:1
针对目前双极电路的ESD保护需求,引入SCR结构对芯片进行双极电路ESD保护。通过一次流片测试,发现加入SCR结构的电路芯片失效,SCR结构的I-V特性曲线未达到要求。从设计问题和工艺偏差两方面入手,分析了失效原因,通过模拟仿真,验证了失效是因为在版图设计时为节省版图面积,将结构P阱中NEMIT扩散区域边上用来箝位的电极开孔去掉造成的,并非工艺偏差导致的。通过二次流片测试,验证了失效原因分析的正确性,SCR器件结构抗ESD电压大于6kV,很好地满足了设计要求。 相似文献
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基于SCR的双向ESD保护器件研究 总被引:1,自引:0,他引:1
可控硅整流器件(SCR)结构用于集成电路的静电放电(ESD)保护具有提高保护效率,减小芯片面积和降低寄生参数的优点.对基于SCR的双向ESD保护器件进行了研究;建立了一种ESD保护器件仿真设计平台,对该器件的结构、关键参数和性能进行了系统的仿真和优化.得到的改进器件不仅对ESD人体模型(HBM)的保护性能好,引入电路的寄生效应小,而且ESD保护的各关键性能参数也可以方便地进行调整. 相似文献
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电容式触摸感应检测按键电路是一类对静电特别敏感的电路,因此静电放电(ESD)保护结构的选择问题对这一类电路显得特别重要。一方面要确保所选择的ESD保护结构有足够的抗静电能力,另一方面这种ESD保护结构又不能使芯片的面积和成本增加太多,基于此要求,介绍了3种应用在电容式触摸感应检测按键电路中的ESD保护结构。主要描述了这3种结构的电路形式和版图布局,着重阐述了为满足电容式触摸感应检测按键电路的具体要求而对这3种结构所作的改进。列出了这3种改进过后的ESD保护结构的特点、所占用芯片面积以及抗静电能力测试结果的比较。结果表明,经过改进后的3种ESD保护结构在保护能力、芯片面积利用率以及可靠性等方面都有了非常好的提升。 相似文献
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硅控整流器SCR作为晶闸管常用于功率器件,具有再生性和从高阻态到低阻态切换的能力.因此合理设计的SCR能成为非常高效的ESD保护电路.文章介绍了SCR的基本机制,SCR、MLSCR、LVTSCR和SCR组合保护电路的结构,并介绍了具有更好ESD性能的设计和版图. 相似文献
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ESD保护电路的设计 总被引:1,自引:0,他引:1
静电放电(ESD)会给电子产品带来致命的危害,它不仅会降低产品的可靠性、增加维修成本,而且不符合欧洲共同体规定的EN61000-4-2标准,产品就不能够在欧洲销售。所以,电子设备制造商通常会在电路设计的初期就考虑ESD保护问题。本文将讨论ESD保护电路的各种方法。 相似文献
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视频图形接口
在计算机市场上有两种广泛应用的重要图形接口,即VGA端口和DVI端口.VGA端口由模拟和数字信号组成,用于母板和某些笔记本电脑.…… 相似文献
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静电释放(ESD)是指电荷在两个电势不等的物体之间转移的物理现象,它存在于人们日常工作生活的任意环节。随着集成电路特征尺寸不断减小、集成度不断增高,芯片对ESD也变得越来越敏感。为了用尽可能小的版图面积来实现ESD防护,利用晶闸管结构(SCR)来实现集成电路的ESD防护已成为当下的研究热点。但传统SCR的维持电压和维持电流都很低,若直接将其应用于电源ESD防护则会导致严重的闩锁效应(latch-up)。基于高维持电流设计窗口,提出一种可用于15 V电路的抗闩锁SCR器件,并通过混合仿真验证了该器件的有效性。 相似文献
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基于0.35 μm CMOS混合信号工艺,实现了一种用于ESD保护的MDDSCR器件。通过堆叠MDDSCR单元来调整维持电压,结合TLP测试结果,说明了关键尺寸和不同的衬底连接方式对器件特性的影响。堆叠DDSCR正向触发电压(Vt1)和维持电压(VH)随着堆叠器件数量的增加而线性增加,但因为存在额外寄生通路,负向Vt1和VH分别维持在20 V和6 V左右。该器件可实现6 kV以上HBM ESD保护能力,广泛应用于汽车电子、无线基站、工业控制等电源或者信号端的双向ESD保护。 相似文献
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应用于ESD防护的低压触发SCR组件,当受到电路噪声干扰时,极易造成SCR组件的误导通,进而影响到电路的正常功能,严重时可以产生持续的闩锁效应,造成SCR组件烧毁。通过改进SCR的结构,提高该SCR组件的触发电流,或者提高该SCR组件的保持电压,使其抗噪声干扰能力大大增强。另外,文中对触发电流与温度的关系、保持电压与N+区宽度的关系也做了分析。 相似文献
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ESD电路保护设计中的若干关键问题 总被引:2,自引:0,他引:2
兼顾ESD抑制器件的电容和布局因素的超高速数据传输线路保护电路设计师在设计实用而可靠的产品过程中面临着许多静电放电(ESD)问题。不仅如此,电子产品市场向更高数据吞吐量和信号速度发展的趋势更使这本已复杂的问题雪上加霜。ESD保护基本上分为两类:即在制造过程中的保护以及在“现实”环境中的保护。 相似文献
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对采用多指条形GGNMOS结构的ESD保护电路的工作原理进行分析,并对其进行ESD测试实验.理论分析了影响ESD性能的一些因素,提出一种栅耦合技术保护电路方案,并达到了设计要求.实验结果显示,其性能已达到人体放电模式(HBM)的2级标准(2 000~4 000 V). 相似文献