二氧化锡对H_2响应值与气体浓度关系的定量研究

为了得出不同焙烧温度、工作温度及Pt负载条件下SnO2材料对H2的响应值与H2浓度间的定量关系。通过溶胶-凝胶法制备了SnO2纳米粉末,用丝网印刷制备以氧化铝陶瓷为基板的SnO2厚膜。分别用SEM、XRD及电化学工作站表征了SnO2的结构与形貌并测试了其气敏性能。结果表明,所制备的纯SnO2平均颗粒粒径约为60 nm,为四方相结构。焙烧温度越高,材料对H2的响应值越低,当焙烧温度为600~800℃时n值(响应值的对数与气体浓度的对数作图的斜率)不变;工作温度在200~400℃时,随着工作温度的升高n值降低;Pt负载SnO2与纯SnO2相比,Pt负载SnO2对H2的响应-恢复时间缩短,响应值提高,n值无明显变化。     

铁磁体/碳复合材料多频干扰性能

制备研究了钴铁磁体/碳和镍钴铜铁磁体/碳复合纳米材料,测试并根据朗伯-比尔定律计算了在紫外/可见光(200~800 nm)和红外波段(2.5~25 m)的质量消光系数,结果如下:铁磁体/碳复合材料焙烧后红外消光性能都有所提高,镍钴铜铁磁体/碳质量消光系数能达到0.36 m2g-1,在3~16 m波段大于0.15 m2g-1。镍钴铜铁磁体/碳与乙炔黑混合比为5:1时,质量消光系数达到1.25 m2g-1,在3~5 m和8~14 m均高于0.90 m2g-1。在紫外/可见光波段,铁磁体/碳复合材料都达到了良好的消光效果。探讨了材料在紫外/可见光和红外波段的主要作用机理。采用弓形法测试2~18 GHz波段反射率,结果表明:碳纤维在加入铁磁体/碳复合材料后,反射率曲线明显向低频移动,增加了吸波频宽。     

SiO2基Mach-Zehnder型传感芯片的制备与敏感性研究

设计并制作了一种基于SiO2/Si材料的Mach-Zehnder干涉仪(MZI)型集成光波导传感芯片.采用不同浓度的NaCl溶液对传感芯片的敏感特性进行了测试分析,研究结果表明,该传感芯片对特定浓度NaCl溶液的响应和恢复时间分别为1.0 s和0.6 s,可测最小折射率变化为2×10-4RIU(单位折射率变化),在Na...     

ZnO纳米片/聚苯胺制备与紫外激发室温气敏性能

采用两步法制备氧化锌纳米片/聚苯胺(ZnO/PANI)复合材料,首先制备ZnO纳米片,然后以此为载体,通过苯胺单体的原位聚合得到最终产物。通过XRD、FTIR、FESEM、氮气吸附-脱附和紫外-可见漫反射对合成材料进行表征,研究了其紫外激发室温气敏性能,分析了可能的紫外激发气敏机理。结果表明,在紫外光激发下,ZnO/PANI复合材料实现了室温检测,乙醇浓度100×10~(-6)(体积分数)时,灵敏度较高达到17.6,响应和恢复时间均在30 s以内。     

产品导购

温度传感元件—薄膜铂电阻 德国JUMO制造 分度号:Pt100 Pt500 Pt1000 各种尺寸:2×2.5mm,2×5mm,2×10mm 温度范围:-50+400℃/-50+600℃ 精度等级:国际IEC751标准A级/B级     

SnO_2 /SnS_2复合材料的制备及NO_2气敏性能研究

<正>本文通过原位热氧法成功制备了SnO_2/SnS_2复合材料,运用X射线衍射图谱和场发射电子显微镜等测试手段对材料结构形貌,组成成分表征。成功开发出SnO_2/SnS_2具备异质结构的复合材料在室温的环境下对NO_2敏感的传感器。通过本文的研究,发现SnO_2/SnS_2复合材料是一种室温的环境下对NO_2具有较好性能的传感材料,并且有较大的发展前景。在环境监测、室内空气质量控制、公共安全和医疗诊断等各种应用中,有效检测和量化有害气体变得极为必要。     

PLT/PbO铁电薄膜的制备及性能研究

采用射频磁控溅射技术,在室温溅射、后续退火条件下,以PbO为过渡层,在Pt(111)/Ti/SiO2/Si(100)衬底上制备出具有完全钙钛矿结构的(Pb0.90La0.10)Ti0.975O3(PLT)铁电薄膜;比较了在Pt(111)/Ti/SiO2/Si(100)衬底上有无PbO过渡层的PLT薄膜的微结构和铁电性能。实验结果表明,在Pt(111)/Ti/SiO2/Si(100)衬底上增加PbO过渡层提高了PLT薄膜的相纯度,并且所制备的PLT/PbO/Pt(111)/Ti/SiO2/Si(100)薄膜具有优良的介电和铁电性能,其剩余极化强度Pr为21.76μC/cm2,室温热释电系数p为2.75×10-8C/cm2.K。     

退火参数对p型GaAs欧姆接触性能的影响

采用磁控溅射的方法在p型GaAs衬底上沉积了Ti/Pt/Au金属薄膜,研究了退火工艺参数(温度和时间)对p-GaAs/Ti/Pt/Au欧姆接触性能的影响。结果表明:p-GaAs上制作的Ti/Pt/Au金属系统能在很短的退火时间(60 s)内形成很好的欧姆接触。过分延长退火时间,并不能改善系统的欧姆接触性能。退火温度在400~450℃时均可得到较好的欧姆接触。当退火温度为420℃,退火时间为120 s时,比接触电阻率达到最低,为1.41×10–6.cm2。     

退火参数对p型GaAs欧姆接触性能的影响

采用磁控溅射的方法在p型GaAs衬底上沉积了Ti/Pt/Au金属薄膜,研究了退火工艺参数(温度和时间)对p-GaAs/Ti/Pt/Au欧姆接触性能的影响。结果表明:p-GaAs上制作的Ti/Pt/Au金属系统能在很短的退火时间(60 s)内形成很好的欧姆接触。过分延长退火时间,并不能改善系统的欧姆接触性能。退火温度在400~450℃时均可得到较好的欧姆接触。当退火温度为420℃,退火时间为120 s时,比接触电阻率达到最低,为1.41×10–6.cm2。     

n型4H-SiC上Ni/Pt和Ti/Pt欧姆接触(英文)

研究了Ni/Pt和Ti/Pt金属在n型4H-SiC上的欧姆接触。在1 020℃退火后,Ni/Pt与n型4H-SiC欧姆接触的比接触电阻为2.2×10-6Ω·cm2。Ti/Pt与n型4H-SiC欧姆接触的比接触电阻为5.4×10-6Ω·cm2,退火温度为1 050℃。虽然Ni的功函数比Ti的功函数高,但是Ni比Ti更容易与n型4H-SiC形成欧姆接触。使用能谱分析仪(EDX)分析了Ni/Pt和Ti/Pt金属与4HSiC接触面的元素,观察到C原子相对于Pt原子的原子数分数随退火温度的变化而不同。实验验证了在n型4H-SiC中退火导致的碳空位起施主作用是有利于欧姆接触形成的主要原因。     

多步退火对(Pb,La)(Zr,Ti)O_3反铁电厚膜的影响

采用溶胶-凝胶技术,在Pt(111)/Ti/SiO2/Si(100)基底上制备Pb0.97La0.02(Zr0.95Ti0.05)O3反铁电厚膜材料,研究了单步和多步退火工艺对反铁电厚膜结构及电学性能的影响。结果表明:与传统的单步退火方式相比,多步退火工艺制备的反铁电厚膜材料晶粒尺寸较大,结构致密性好,室温下反铁电态更稳定,具有良好的择优取向度(100)、较高的介电常数(达529)和饱和极化强度(达42μC/cm2)。其反铁电-铁电和铁电-反铁电的相变电场强度分别为198和89 kV/cm,反铁电-铁电相变电流密度达2×10-5 A/cm2,多次退火工艺可提高反铁电厚膜的成膜质量。     

炭基/锌掺杂铁磁体复合材料制备及其消光性能研究

为了实现抗红外烟幕高效环保的要求,同时实现质轻、宽波段吸波性能,采用一步水热法制备了炭基-锰锌铁氧体/镍锌铁氧体/钴锌铁氧体复合材料的前驱体,并在500~900 ℃的温度区间进行焙烧得到了炭基/锌掺杂铁磁体复合材料。通过X射线粉末衍射仪（XRD）、傅里叶红外光谱仪（FT-IR）、扫描电子显微镜（SEM）等表征方法,分析了复合材料的物相和形貌。根据朗伯比尔定律,采用傅里叶红外光谱仪的KBr压片法测试并计算了各材料在2.5~25 μm区间的红外消光系数,并且研究了焙烧温度对材料消光性能的影响。研究结果表明:炭基/锌掺杂铁氧体前驱体焙烧后生成的炭基/锌掺杂铁磁体复合材料的红外消光性能均有所增强,经过700 ℃焙烧后的炭/钴锌铁磁体红外消光系数最大,为0.25 m2/g,具有较好的红外消光性能。     

8～14微米碲镉汞材料电参数与光电导探测器性能的关系

本文阐述不同退火温度下获得的材料电学参数。选择合适的退火温度,可以得到性能优良的电学参数材料。同时较详细地列出了退火后的材料在低温(77K)和室温电阻率变化及光电导样品在低温(77K)和室温电阻值的变化对光电导探测器探测率的影响。电阻率相对变化在10倍左右的材料可以制得性能较好的光电导探测器样品,最高黑体探测率D_(bb)~＊=2×10~(10)厘米·赫~(1/2)瓦~(-1)。     

几种1-3-2型压电复合材料温度弯曲形变及相关参数测试研究

利用光纤光栅传感法,对压电陶瓷/618环氧树脂、压电陶瓷/9110T有机硅树脂、压电陶瓷/9110B有机硅树脂和压电陶瓷/HASUNCAST有机硅树脂四种1-3-2型压电复合材料进行实时温度弯曲形变测试,并对其相关温度稳定性电参数进行测试分析。结果表明,压电陶瓷/9110T有机硅树脂和压电陶瓷/HASUNCAST有机硅树脂压电复合材料的介电损耗极大;压电陶瓷/9110B有机硅树脂与压电陶瓷/618环氧树脂相比,其温度弯曲形变及频率常数、相对介电常数的温度变化率小,温度稳定性更高,是提高现行压电陶瓷/618环氧树脂压电复合材料高温耐受性的良好替代材料。     

Pt/CdS Schottky紫外探测器的光电性能研究

制备了Pt/CdS Schottky紫外探测器,对Pt/CdS Schottky紫外芯片对中波红外(3~5μm)的透过率进行了研究,并对器件光电性能进行了测试分析。通过优化Pt电极制备条件及对SiO2增透膜的研究,使Pt/CdS Schottky紫外芯片对中波红外波段的透过率达到85%。室温300 K下,所制备Pt/CdS Schottky紫外探测器在零偏压处的背景光电流为-0.063 nA,在+6 V时的暗电流密度为7.6×10-7 A/cm2,R0A达到7.2×104Ω·cm2,其50%截止波长为510 nm。     

基于SiC肖特基二极管温度特性的研究

碳化硅(SiC)作为第三代宽带隙半导体材料,其因优异的物理特性而被广泛研究。针对SiC器件在高温环境下可能会因为不理想的散热导致器件失效从而引发可靠性问题,文中采用仿真的方法对铂Pt/SiC肖特基二极管器件进行了测试,并研究了该型器件在高温下的伏安特性。结果表明,Pt/SiC肖特基二极管器件在正偏的情况下,随着温度的升高,器件的电流水平会逐渐降低;器件反偏时,反向电流水平则随着温度的升高而急剧增大。同时在高温下器件的反向电流基本趋于饱和,热电子发射电流占据主导地位,且200℃时电子的迁移率仅为500 cm2/(V·s)。     

应用于DRAM的BST薄膜制备与性能研究

BaxSr1-xTiO3(BST)是动态随机存取存储器(DRAM)中常规电容介质SiO2的替代材料。用溶胶-凝胶(Sol-Gel)法在Si及Pt/Ti/SiO2/Si基片上制备出了较高品质的BST薄膜。系统地研究了在不同退火条件下薄膜的结晶情况、微结构和电学性能。在室温100kHz下,薄膜的介电常数为230。在3V的偏压下,薄膜的漏电流密度为1.6×10-7A/cm2。利用HCl/HF刻蚀溶液成功获得了分辨率达到微米量级的BST薄膜微图形。     

分子束外延高性能P型GaAs单晶薄膜

用国产分子束外延设备生长出性能优良、表面平整光洁的GaAs。不掺杂的P型GaAs空穴浓度为 2-8×10~(14)cm~(-3),室温迁移率为360-400cm~2/V·s.使用国产材料,纯度为 2N5并经我们“提纯”的 Be作为 P型掺杂剂.掺 Be的 P型GaAs空穴浓度范围从1.0 × 10~(15)至6×10~(15)cm~(-3).其室温迁移率与空穴浓度的关系曲线与国外文献的经验曲线相符.当空穴浓度为1—2 ×10~(15)cm~(-3)时,室温迁移率达 400cm~2/V·s.低温(77K)迁移率为 3500—7000cm~2/V·s.在4.2K下对不同空穴浓度的P型GaAs样品进行了光荣光测量和分析.     

强束流离子注入形成SOI结构时的温升效应的计算

本文考虑了瞬态的热传导过程,用有限差分方法计算了恒流、脉冲、扫描三种离子注入形成SOI结构时的温升效应。计算结果表明,当能量大于150keV和注入剂量率超过1×10~(15)/cm~2·s时,对于一般的散热系统来说(传热系数H≈2×10~(-2)W/cm~2K),温升效应将是严重的。恒流、脉冲、扫描三种注入方式比较起来,以扫描注入的温升和温度波动为最严重,恒流注入为最低。目前,在低束流情况下,大多采用热靶(400—700℃)来制造 SIMOX或SIMNI材料,本文的计算结果指出,当剂量率超过8×10~(14)/cm~2·s时,晶片温度将超过1000K(H取2×10~(-2)W/cm~2K),这时将没有必要再用热靶,用室温靶就能满足温度要求。本文给出的理论计算方法对其它材料(如金属、陶瓷等)仍可应用。     

Ni/Si,Pt/Si,Ir/Si系的As离子注入和退火

本文用RBS,AES,TEM和X射线衍射等实验方法,分析比较了Ni/Si,Pt/Si,Ir/Si系统在室温下As离子混合和热退火的行为.得出在Ni/Si系统中,硅混合量Q_(s1)与剂量Φ的平方根成正比,形成Ni_2Si相.在Pt/Si系中,硅混合量也与剂量的平方根成正比,先后形成Pt_3Si和Pt_2Si相.对Ir/Si系,Q_(s1)与Φ则是线性关系:Q_(s1)=aΦ+b,未测到化学相.实验表明:离子束混合能大大增强金属和硅化物的化学反应.在离子混合和退火形成硅化物的过程中,注入杂质As的分布有显著变化.