混合烧成法制取低温PTCR陶瓷材料的研究

本文提出了用混合烧成制取低温ＰＴＣＲ陶瓷材料折工艺方法，该方法和普通工艺相比，不仅降低ＢａＴｉＯ３陶瓷的工艺温区，而且室温电阻率比普通工艺下的要小，即半导化程度比普通工艺要好。     

电子陶瓷的混合烧成

混合烧成是制造性能优异的电子陶瓷的一种有效方法。本文介绍应用这种方法的两个例子。一是制备高稳定性高耦合系数的压电陶瓷,另一是制备高介电常数高温度稳定性的介电陶瓷。     

低温BaTiO_3PTCR材料的研究

本文介绍了ＢａＴｉＯ＿３半导瓷材料ＰＴＣ效应的产生机理，给出了配方、工艺要点及主要特性多数，提出了改进性能的途径。     

低温BaTiO_3PTCR材料的研究

本文介绍了ＢａＴｉＯ＿３半导瓷ＰＴＣＲ材料的性能，给出了低温ＰＴＣＲ材料的配方、工艺要点及主要特性参数，提出了改进性能的途径。     

高温BaTiO3PTCR材料的研究

本文提出了一种新型的ＢａＴｉＯ３ＰＴＯＲ材料的制备方法。研究了它的导电机理，给出了材料的组分，工艺条件及主要参数，提出了改进性能的途径。     

低BaTiO3PTCR材料的研究

文介绍了ＢａＴｉＯ３半导瓷ＰＴＣＲ材料的性能，给出了低ＲＴＣＲ材料的配方，工艺要点及主要特性参数，提出了改进性能的途径。     

PTCR型（Sr,Pb）TiO3陶瓷材料的半导化研究

研究了半导化元素Ｙ和第二相添加剂ＳｉＯ２对ＰＴＣＲ型（Ｓｒ，Ｐｂ）ＴｉＯ３陶瓷材料电学性能的影响。结果表明，Ｙ和ＳｉＯ２的含量对材料的半导化性能影响显著，它们的较佳的含量（摩尔分数）分别在０．１％～０．６％和０．２％～０．５％之间，最低电阻率可达１０Ω·ｃｍ。借助复平面阻抗分析发现，无论是ＳｉＯ２添加剂还是半导化元素Ｙ都主要是通过影响材料的晶界行为而控制材料的宏观电学性能的。     

高温BaTiO_3PTCR材料的研究

本文提出了一种新型的高温ＢａＴｉＯ３ＰＴＣＲ材料的制备方法。研究了它的导电机理，给出了材料的组分，工艺条件及主要参数，提出了改进性能的途径。     

高T_C低电阻率PTCR陶瓷材料

研究了在制备高ＴＣ低电阻率ＰＴＣＲ陶瓷材料过程中，原材料、少量添加物以及主要生产工艺对电性能的影响规律。经反复试产表明，在隧道窑可以大规模生产出居里点ＴＣ＝１８０～２７０℃、室温电阻率ρ２５＜８０Ω·ｃｍ、电阻温度系数α４０≈１４％℃－１、升阻比Ｒｍａｘ／Ｒｍｉｎ为１０４的高性能ＰＴＣＲ陶瓷材料。此种材料制成高温发热元件能在６～２４Ｖ电压下使用，开拓了ＰＴＣＲ材料新的应用领域。     

低温共烧陶瓷(LTCC)工艺的研究

低温共烧陶瓷（LTCC）技术是近年发展起来的令人瞩目的整合组件技术,已经成为无源集成的主流技术,成为无源元件领域的发展方向和新的元件产业的经济增长点。叙述了低温共烧陶瓷技术（LTCC）的制备工艺以及未来应用前景。     

高性能BaTiO3基PTCR陶瓷的制备与研究

报道了在传统 Ba Ti O3基 PTCR陶瓷基料中间时加入一定配比的 Pb3O4 和 Ba CO3所产生的低阻现象。当 x=2 .5和 Pb/Ba=1.3时 ,陶瓷在 114 0°C保温 6 0 m in条件下获得了高性能的 PTCR瓷体 ,其室温电阻率与升阻比分别为 8Ω· cm和 4× 10 4 。结果表明 ,Pb3O4 和 Ba CO3的添加不仅能显著降低瓷体的室温电阻率 ,且还可以大幅度降低陶瓷的烧结温度。通过 XRD衍射谱分析并未在低阻瓷体中发现 Ba Pb O3相。根据所研究材料系统的一系列固态化学反应与缺陷反应提出了氧空位模型 ,并很好地解释了低阻化现象。     

低温烧结非线性Zn-Bi/Sn系压敏瓷料的研究

为了在较低烧成温度条件下制备电性能优异的压敏电阻器,通过制备Bi2O3/SnO2合成粉的方法在870~950℃的温度范围内研制出压敏场强为210~260 V/mm,漏电流小于1 mA,非线性系数大于40的压敏电阻器。本文系统研究了Bi2O3/SnO2合成粉含量及不同烧结温度对ZnO压敏电阻材料结构和电性能的影响。用高分辨率扫描电镜对瓷体结构进行了分析;依据液相烧结理论和双肖特基模型对实验结果进行了讨论。     

Co-Ni-Sr-O系低温热敏陶瓷材料研究

着重研究了工作温度范围为20~77K的低温热敏电阻器的生产工艺参数。利用先进的半导体陶瓷工艺,合成了新的低温NTC热敏陶瓷材料SrCoO3-δ,并用不同量的Ni取代Co对其掺杂改性,得到了不同阻值、不同B值的陶瓷材料,同时研究了烧结温度和恒温时间对Co-Ni-Sr-O系NTC热敏材料参数的影响。在材料粉体合成中,采用固相烧结、共沉淀法、溶胶凝胶法、Pechini法等不同方法制备,讨论了不同方法的基本原理与特点,并对一些具体制备方法进行了比较。     

Co-Ni-Sr-O系低温热敏陶瓷材料研究

着重研究了工作温度范围为20-77K的低温热敏电阻器的生产工艺参数。利用先进的半导体陶瓷工艺，合成了新的低温NTC热敏陶瓷材料SrCoO3-δ，并用不同量的Ni取代Co对其掺杂改性，得到了不同阻值、不同B值的陶瓷材料，同时研究了烧结温度和恒温时间对Co-Ni-Sr-O系NTC热敏材料参数的影响。在材料粉体合成中，采用固相烧结、共沉淀法、溶胶凝胶法、Pechini法等不同方法制备，讨论了不同方法的基本原理与特点，并对一些具体制备方法进行了比较。     

中低温金属化配方的研制及应用

讨论了在不使用二氧化锰及不熔炼玻璃相的前提下,确定以钼为主体,锰-铝-硅为三元玻璃相,添加一定添加剂改变性态的方式,研制了1380～1420℃的金属化配方,并成功应用于生产。降低了生产成本,在技术上增强了金属化膏剂工艺的稳定性及可控制性,质量上可提高产品的一致性。     

低温烧结高居里点PTC陶瓷的研究

综述了近年来高居里点ＰＴＣ陶瓷研究和ＰＴＣ低温烧结研究的进展。着重讨论了（Ｂａ,Ｐｂ）ＴｉＯ３ 系高居里点ＰＴＣ陶瓷中Ｐｂ 的影响以及改善其性能的研究,并对ＰＴＣ低温烧结作用机制及其途径进行了论述。     

低温烧结微波介质陶瓷

在制备多层微波元件过程中,为使用Cu、Ni等低熔点导体,必须降低微波介质陶瓷的烧结温度。本文介绍了通过液相烧结降低致密化温度的BaTi4O9、Ba2Ti9O20及(Zr,Sn)TiO4陶瓷,这类材料的烧结温度已降至1 000℃以下;也介绍了掺加(V2O3+CuO)的BiNbO4基陶瓷,其致密化温度已低至880℃左右。文中还列出了陶瓷组成、低熔点氧化物或玻璃的组成及相关材料的微波介电性能。     

低温烧结多层叠片式压电陶瓷变压器

介绍了普通压电陶瓷变压器的结构和工作原理，分析了低温烧结PZT压电陶瓷材料的配制及其主要性能，以及如何利用其来实现低温烧结型多层叠片压电陶瓷变压器，最后对低温烧结型多层叠片压电陶瓷变压器的主要应用、空载和负载特性进行了讨论。