用万用表测试场效应管

一、相关基本知识目前场效应管的种类很多,但大体上可分为两大类:一类是结型场效应管;另一类是绝缘栅场效应管(通常简称为MOS场效应管,而MOS是英语“M(金属)—O(氧化物)—S(半导体)”的缩写。与晶体三极管有PNP和NPN两种极性类型一样,场效应管也根据其导电沟道(所谓沟道,就是电流通道)所采用的半导体材料的不同,又可分为N型沟道和P型沟道两种。     

场效应管的结构与检测

场效应管按结构可分为：结型场效应管（JFET）、绝缘栅场效应管（IGFET）；按导电沟道可分为：N型沟道、P型沟道场效应管；按栅极数目可分为：单栅、双栅场效应管。     

场效应管的结构与检测

场效应管按结构可分为:结型场效应管(JFET)、绝缘栅场效应管(IGFET);按导电沟道可分为:N型沟道、P型沟道场效应管;按栅极数目可分为:单栅、双栅场效应管。一、结型场效应管1.结型场效应管的结构原理、类型及符号结型场效应管的内部结构如图1所示。在N型半导体两侧是两个高掺杂的P型区,从而构成了两个PN结(又称耗尽层),在两个耗尽层的中间形成一条导电沟道。两侧P型区相连接,引出一个称为栅极(G)的控制极;在N型半导体上下两端分别图2两种结型场效应管的符号图3常见结型管的外形和管脚排列引出漏极(D)和源极(S)。它与普通三极管相比较…     

贴片场效应管介绍(三)

2.绝缘栅型贴片场效应管的检测绝缘栅型贴片场效应管是在一块低掺杂的P型硅片上,通过扩散工艺形成两个相距很近的高掺杂N区,分别作为源极S和漏极D。另外,在两N区之间的二氧化硅(SiO2)绝缘层上蒸发一个金属电极作为栅极G。通常简称MOS场效应管。(1)栅极G的判别将万用表置于100Ω或lkΩ档,分别测量被测管三个电极之间电阻。如果测得某极与其他两电极的电阻均为无穷大,     

电磁炉中部分IGBT管主要参数（上）

IGBT管是功率场效应管与普通双极型（PNP或NPN）管复合后的新型半导体元件,即绝缘栅双极晶体管,简称IGBT管。它综合了场效应管开关速度快、控制电压低、输入阻抗高和双极晶体管输出电流大、反压高、导通时饱和压降小的优点。     

贴片场效应管介绍(三)

2.绝缘栅型贴片场效应管的检测绝缘栅型贴片场效应管是在一块低掺杂的P型硅片上,通过扩散工艺形成两个相距很近的高掺杂N区,分别作为源极S和漏极D.另外,在两N区之间的二氧化硅(SiO2)绝缘层上蒸发一个金属电极作为栅极G.通常简称MOS场效应管.     

国内外部分电气图形符号对照一览表

国别符号名称电感器极性电容器单向击穿二极管半导体二极管电阻器电容器NPN型半导体管PNP型半导体管光电池N沟道结型场效应管P沟道结型场效应管接地接机壳屏蔽电缆中国国委际员电会工美国德国日本(续表)国别符号名称端子插头插座开关及动合触点动断触点动合按钮动断按钮双绕组变压器桥式全波整流器熔断器放大器继电器变换器火花间隙电流表中国国际电工日本委员会美国德国(续表)国别符号名称中国国委际员电会工美国德国日本电压表电度表照明灯信号灯“与”门(续表)国别符号名称中国国委际员电会工美国德国日本“或”门“非门”及反相器“…     

显示器中场效应管工作特点与检测方法

场效应管也是一种由PN结组成的半导体器件,它有P型和N型两种导电沟道,并且还有结型和绝缘栅(金属氧化物)型两种结构。结型是利用PN结在反向偏置下所产生的耗尽区,绝缘栅型则利用栅极电压产生的感应电荷来改变导电沟道的宽窄,从而控制多数载流子在沟道中的漂移运动所产生的漏极电流。所以它属于电压控制类型的器件。从工作性能的角度来看,场     

常用贴片三极管代号、型号、主要参数及用途一览表

说明： 1．材料栏中各符号意义; Si—P,硅材料PNP管;Si—N,硅材料NPN管;Ge—P,锗材料PNP管;Si-P＋R,硅PNP带阻晶体管;Si—N＋R,硅NPN带阻晶体管;Si—N＋D,硅NPN型达林顿管;Si—P＋D,硅PNP型达林顿管;Si-N／P,硅NPN、PNP对管。     

场效应晶体管的分类及鉴别

本刊04/9/P29已谈到“场效应管电极质量的判别方法”,但原文仅限于 N 沟道耗尽型的场效应管,尚有 N 沟道增强型、P 沟道场效应管并未提及。面对多种场效应管,单一种测试方法无法应对,且会引起误判。另外,原文中关于增强型场效应管的图形符号画法有误,这里一并补正。1.各种场效应晶体管(FET)的符号场效应管的符号、结构、导电类型及简要特性参见表1所示。其中的图形符号为基本的,有些大功率场效     

MP3/MP4播放器常用三极管及场效应管介绍(上)

一、三极管1.三极管的概念、图形符号、标识及分类半导体三极管也称为晶体三极管,可以说它是电子电路中最重要的器件。它的最主要功能是电流放大和开关作用。顾名思义,三极管具有三个电极。二极管是由一个PN结构成的,而三极管由两个PN结构成,共用的一个电极称为三极管的基极(用字母b表示),其他的两个电极称为集电极(用字母c表示)和发射极(用字母e表示)。根据组合方式的不同,形成NPN型三极管和PNP型三极管。这两种类型的三极管从工作特性上可互相弥补,所谓OTL电路中的对管就是由PNP型和NPN型配对使用。     

从电子、家用电器元器件到基本电路(廿七)

2.绝缘栅场效应管结缘栅型场效应管与结型场效应管的不同点在于它们的导电结构:结型场效应管是利用导电沟道之间耗尽层的宽窄来控制漏极电流,而绝缘栅型场效应管是利用感应电荷的多少来改变导电沟道的性质。绝缘栅型场效应管的结构是由金属—绝缘体—半导体三层材料构成的,目前应用最广泛的绝缘体是二氧化硅(SiO_2氧化物),故其结构又变为金属—氧化物—半导     

从电子、家用电器元器件到基本电路(廿六)

除N沟道结型场效应管外,还有P沟道结型场效应管,其结构及符号如图198所示。P沟道管中参与导电的是“空穴”,它的工作情况与N沟道管类似,只是各电源的极性接得相反。管子栅极箭头方向也要反过来(向外),P沟道结型场效应管的应用不如N沟道管普遍。 (3)结型场效应管特性曲线与主要参数     

大功率直流电机速度伺服系统的设计与实现

基于增强型51单片机STC12C5A60S2、高压半桥控制芯片L6384、高压N沟道增强型场效应管IXFK150N10,设计并实现了一种新型大功率直流电机闭环速度伺服系统。实验表明,该系统具有硬件电路简单、驱动能力强等特点,能在智能车、移动机器人等多种应用中发挥作用。     

部分D系列贴片数字晶体管型号、代码及主要参数一览

说明：（1）数字晶体管又称状态转换三极管或带阻晶体管,是一种电压控制元件。贴片数字晶体管在平板彩电、笔记本电脑、平板电脑、MP4、MP5等电子产品中均有应用。（2）极性栏中“单P”表示该管为一只PNP型管,“双P”表示该管内含二只PNP型管,“N＋P”表示该管内含一只NPN型和一只PNP型管。     

双向可控硅的检测与使用注意事项

双向可控硅是由NPNPN五层半导体材料构成,三个电极分别为主电极T_1、T_2和门极(或控制极)G,如图1所示。习惯上把接在P型半导体上的主电极记为T_1,接在N型半导体上的主电极记为T_2。其特点是触发后可控硅双向导通。一、双向可控硅的检测     

安森美半导体推出新型低压沟道MOSFET

安森美半导体推出8款新型N沟道和P沟道、低压沟道MOSFET，进一步丰富了其业内领先的沟道技术器件系列。这些器件降低了漏极和源极之间的电阻，整体电源电路效率比其它同类封装的解决方案提高30％。     

用万用表测量场效应管技巧

1．极性的判别 使用万用表R×1kΩ档,测量其PN结的正、反向电阻可以确定出哪一个是栅极。首先用负表笔接触其中一个电极,用正表笔依次碰触另外两个电极,如果两次测得电阻很大,说明测量结果都是反向电阻;颠倒表笔再试,结果应当都比较小,则说明首先用负笔接触的电极为栅极,其他两个极分别为漏极和源极;并且可以判定该管为N沟道场效应管。如果首先用负表笔接触的电极与其他两个电极之间的阻值比较小,说明测量结果都是正向电阻,颠倒表笔之后再测,     

VDMOS功率效应管及检测

VDMOS功率场效应管根据导电载流子的不同,分为N沟道和P沟道两类,其中以N沟道应用为多。下面以N沟道为例介绍VDMOS功率场效应管及检测。     

FET用于放大器温度补偿

结型场效应管的漏极电流是随温度变化而变化的。利用两个相反的效应,选择适当的偏置点,则有可能达到相互补偿。首先,在沟道中,载流子的迁移要随温度的降低丽减少,致使导电性降低和漏极电流减小。随着温度的增加,漏极电流减少的百分数