金属钙及高纯钙制备技术

简述了目前国内外工业金属钙的两种主要制备方法:电解法和热还原法,重点综述了真空蒸馏法制备高纯金属钙的工艺、设备及进展。电解法和热还原法属于化学提纯方法,难以制备出纯度较高的金属钙。以工业钙为原料,采用真空蒸馏法可以制备出纯度超过99.999%(5N)的高纯金属钙。     

高纯碲的制备方法

对制备高纯碲的两种方法———电解精炼法和真空蒸馏法 ,从理论依据到工艺参数的控制以及生产实践中存在的问题分别进行了阐述 .以二氧化碲为原料采用电解精炼法制备碲 ,其纯度为 99 99%;粗碲真空蒸馏制备高纯碲的方法具有流程短、碲回收率高、生产成本低以及劳动环境好等优点 ,此法制备的碲的纯度达 99 999%以上 .根据原料的不同及对产品碲的纯度的要求选择不同的生产方法 .     

高纯碲的制备方法

对制备高纯碲的两种方法--电解精炼法和真空蒸馏法,从理论依据到工艺参数的控制以及生产实践中存在的问题分别进行了阐述.以二氧化碲为原料采用电解精炼法制备碲,其纯度为99.99%;粗碲真空蒸馏制备高纯碲的方法具有流程短、碲回收率高、生产成本低以及劳动环境好等优点,此法制备的碲的纯度达99.999%以上.根据原料的不同及对产品碲的纯度的要求选择不同的生产方法.     

真空蒸馏-籽晶定向凝固工艺制备半导体用高纯铟

采用真空蒸馏-籽晶定向凝固工艺制备6N及以上高纯铟,考察了蒸馏温度、凝固速度及凝固次数对杂质脱除率的影响,并对半导体用高纯铟进行了表面分析及其纯度测定。结果表明,真空蒸馏温度1 273 K、保温时间60 min、定向凝固温度150~170 ℃、籽晶转速5 r/min、坩埚转速15 r/min、凝固速度20 mm/h、凝固次数3次条件下,高纯铟产品纯度达到6N及以上超高纯铟标准,该工艺所得金属铟结晶度高,呈现出片状结构,金属呈单晶相,实现了6N及以上金属铟的稳定结晶,并且金属铟没有腐蚀和表面氧化,该半导体用高纯铟制备工艺所得产品纯度高、制备过程能耗低和效率高,利于实现产业化。     

真空蒸馏法制备高纯金属钙的热力学及工艺研究

对真空蒸馏法制备高纯金属钙的热力学及动力学进行了详细的计算,对预蒸馏及蒸馏分别进行试验研究,优化了高纯钙真空蒸馏提纯工艺。确定了预蒸馏温度700℃,预蒸馏时间40 min;蒸馏温度850℃,蒸馏时间60 min。同时,研究发现不锈钢蒸馏装置内壁镀铬能有效的防止蒸馏装置材质对蒸馏产物的污染,经过一次蒸馏即可获得纯度高达99.998%的高纯金属钙。     

高纯金属钙的制备

在前期研究的基础上,进一步对冷凝温度进行了理论分析与计算,并自行设计制造了适合工业生产的金属钙真空蒸馏提纯装置。对不同装置材质的试验研究表明,在304系列不锈钢罐体内壁镀铬后,可以有效地降低装置材质对金属钙提纯效果的影响。结合前期研究结果,经一步蒸馏试验,即获得了纯度高达99.99%、活性钙含量高达99.5%,且气体含量较低(C0.002%,N0.002%,O=0.012%)的高纯金属钙。     

高纯二硫化钼的制备工艺

高纯二硫化钼是制备高级固体润滑剂的重要原料之一。本文对高纯二硫化钼制备工艺的机理、技术条件、适用范围及相关范例进行了述评 ,根据各工艺流程的特征进行了制备方法的分类 ,指出了具有发展前景并值得探索和完善的制备工艺。     

高纯二氧化硅制备的研究

本文介绍了国内外制备高纯二氧化硅的现状,研究了在硅石制取高纯二氧化硅过程中,压力与温度对硅石浸出过程的影响,酸种类和螯合剂对产品纯度的影响,以及酸度、陈化条件对二氧化硅粒度的影响。实验表明:在最佳工艺条件下,可制得纯度为99.9604%,平均粒度为18.37μm的二氧化硅。     

高纯铟的制备方法

介绍了由粗铟生产制备高纯铟的几种方法, 包括升华法、区域熔炼法、真空蒸馏法、金属有机物法、离子交换法、萃取法、电解精炼法等。采用预先纯化和电解精炼相结合的方法, 控制电解液成分以及电解条件, 可除去粗铟中的大部分杂质, 所得铟产品的纯度符合国家In-05 标准。     

我国高纯石英制备技术现状

高纯石英是制备光导纤维、石英坩埚、大口径石英管、单晶和多晶硅的重要原料,并在光纤通信、光伏、功能陶瓷、电子、航空航天等高新技术产业中具有不可取代地位。本文阐述了高纯石英的基本特性,对国内高纯石英制备技术现状进行概述,并对我国高纯石英制备工艺的发展方向提出科学的建议。     

荧光级高纯氧化铝的制备和应用

以工业低铁级硫酸铝、工业硫酸铵为原料,先制备出高纯的硫酸铝铵,再用碳酸氢铵将它转化成碳酸铝铵,经高温煅烧后可制得纯度高,ω(Al_2O_3)>99.99％,分散性好的氧化铝粉体(D_(50)0.5μm),以该氧化铝为原料,制备的灯用稀土三基色荧光粉,其发光亮度和粉体性能均达到或超过了三基色粉的国家标准。     

荧光级高纯氧化铝的制备和应用

以工业低铁级硫酸铝、工业硫酸铵为原料,先制备出高纯的硫酸铝铵,再用碳酸氢铵将它转化成碳酸铝铵,经高温煅烧后可制得纯度高,w(Al2O3)＞99.99%,分散性好的氧化铝粉体(D500.5 μm).以该氧化铝为原料,制备的灯用稀土三基色荧光粉,其发光亮度和粉体性能均达到或超过了三基色粉的国家标准.     

高纯铝制备技术研究进展

与工业铝相比,高纯铝具有更好的耐腐蚀性、延展性、电导率和反射性,是用在航空航天与电子工业领域的最主要材料之一.随着科技水平的不断提升,各行业对铝的纯度要求越来越高,对高纯铝的需求量将逐年增加.总结了目前国内外现有的高纯铝制备技术,并对高纯铝绿色环保的提纯方法进行了展望.     

高纯Al2O3陶瓷的研究进展

重点论述了Al2O3粉料的制备、烧结助剂及烧结工艺等,并对它们的发展前景进行了展望.     

高纯Al_2O_3陶瓷的研究进展

重点论述了Al2O3粉料的制备、烧结助剂及烧结工艺等,并对它们的发展前景进行了展望.     

真空蒸馏法制备高纯镁的热力学及工艺

本文对工业金属镁的真空蒸馏提纯效果及相关热力学数据进行了理论分析与计算,并在自行设计制作的蒸馏塔中进行了真空蒸馏实验研究。研究表明,控制蒸馏塔上、中、下三段的温度分别为450℃、650℃和700℃时,产物高纯镁的分布较为集中,几乎全部凝结在冷凝塔中间部位塔盘上,且蒸出率高达94.5%,经过一次蒸馏即可获得纯度高达99.9995%的高纯金属镁。