延迟m序列线性组合的递推算法

在建立延迟ｍ序列产生器的电路模型的基础上，把延迟ｍ序列由ｍ序列产生器某些寄存器级模２和而成的组成问题映射为反反列产生器的状，推导出互反序列产生器状态的递推式，提出了延迟ｍ序列线性组合分析的普遍递推算法。     

多层Gollmann级联的安全性

本文旨在对Ｋ层Ｇｏｌｌｍａｎｎ ｍ－序列级联的安全性进行评估。文中给出了几个理论性结果，这些结果可用来构造单层输入和输出间的条件概率转移矩阵Ｔｎ，同时我们还利用已知的Ｋ层级联的第二层输入串与最后一层输出串间的条件概率转移矩阵Ｓｍ＝Ｔｎ＾Ｋ－１，给出了一个在有效确定率下猜测第一个ＬＦＳＲ之初态的攻击算法。最后，评测抗击这种攻击的多层级联的安全性。最近Ｍｅｎｉｃｏｃｃｉ推测根本不存在对４层以上的Ｇｏｌ     

MBE生长温度对InGaAs／GaAs应变单量子阱激光器性能的影响

采用分子束外延（ＭＢＥ）技术，研制生长了ＩｎＧａＡｓ／ＧａＡｓ应变单量子阱激光器材料，并研究了生长温度及界面停顿生长对激光器性能的影响。结果表明，较高的ＩｎＧａＡｓ生长温度和尽可能短的生长停顿时间，将有利于降低激光器的阈值电流。所外延的激光器材料在２５０μｍ×５００μｍ宽接触、脉冲工作方式下测量的阈电流密度的典型值为１６０ｍＡ／ｃｍ２。用湿法腐蚀制作的４μｍ条宽的脊型波导激光器，阈值电流为１６ｎＡ，外微分量子效率为０４ｍＷ／ｍＡ，激射波长为９７６±２ｎｍ，线性输出功率为１００ｍＷ。     

GaAs／GaAlAs中红外量子阱探测器和双色量子阱红外探测器

本文报道我们在国内率先研制的ＧａＡｓ／ＧａＡｌＡｓ中红外（３～５μｍ）量子阱探测器和双色量子阱红外探测器的制备和性能．ＧａＡｓ／ＧａＡｌＡｓ中红外量子阱探测器是光伏型，探测峰值波长为５．３μｍ，８５Ｋ下的５００Ｋ黑体探测率为３e９ｃｍ·Ｈｚ１／２／Ｗ，峰值探测率达到５×１０１１ｃｍ·Ｈｚ１／２／Ｗ，阻抗为５０ＭΩ．ＧａＡｓ／ＧａＡｌＡｓ双色量子阱红外探测器是偏压控制型的两端器件，在零偏压下该探测器仅在３～５μｍ波段有响应，响应峰值波长为５．３μｍ，８５Ｋ温度下５００Ｋ黑体探测率为３e９ｃｍ     

卫星用AlGaAs／GaAs太阳能电池

介绍了ＧａＡｓ太阳能电池的基本原理，结构设计和制作工艺。用水平液相外延一室分离多片旬延石墨舟研制了ｐ－ＡｌｘＧａ１－ｘＡｓ／ｐ－ｎ－ＧａＡｓ结构的太阳能电池。在ＡＭＯ，１００ｍＷ／ｃｍ＾２２５℃的测试条件下，开路电压（Ｖｏｃ）为９９４ｍＶ，短路电流密度为２３．２ｍｃｍ＾２，填充因子（ＦＦ）为０．７９４，光电转换这１８．２5.     

重复频率40Hz高能量倍频调Q Nd：YAG激光器

在对圆棒形ＹＡＧ棒内热效应进行详细分析的基础上，报导了一种闪光灯泵浦、调Ｑ倍频ＹＡＧ激光器。当重复频率为４０Ｈｚ时，１．０６４μｍ最大单脉冲能量为４６２ｍＪ，０．５３２μｍ最大单脉冲能量为２５０ｍＪ；当每秒一次工作时，０．５３２μｍ激光能量为３８０ｍＪ／脉冲，倍频效率大于６９％。     

新型寻呼机射频电路模块

采用表面安装单片ＵＡＡ２０８０Ｔ研制的寻呼机射频电路模块，经电路调试，性能达到：传输速率为１２００ｓ－１，频道间隔２０～３０ｋＨｚ，灵敏度为－１２６ｄＢｍ，功率２．７ｍＡ（２Ｖ电压）。     

LP－MOCVD制作InGaAs／InPPIN光电二极管

采用ＬＰ－ＭＯＣＶＤ制作了ＩｎＧａＡｓ／ＩｎＰ平面型ＰＩＮ光电二极管。器件光敏面直径为７５μｍ，采用Ｚｎ扩散形成ＰＮ结，－６Ｖ偏置下其暗电流低达８～１３ｎＡ；反向击穿电压为６０Ｖ（１μＡ）。在没有增透膜时，对１．３μｍ注入光响应度为０．５６Ａ／Ｗ，光谱响应范围为０．９０～１．７０μｍ。     

二级管泵浦的Q开关Nd：YAG激光器及测距样机

研究了电光调Ｑ及Ｃｒ４＋：ＹＡＧ被动Ｑ开关的二极管泵浦Ｎｄ：ＹＡＧ激光器，获得了１１ｍＪ的电光调Ｑ及被动Ｑ开关激光脉冲，Ｑ开关效率分别为７５％和３２％。以Ｃｒ４＋：ＹＡＧ被动Ｑ开关的激光器为基础，研制了二极管泵浦的Ｎｄ：ＹＡＧ激光测距机样机。以＜３ｍＪ的激光脉冲，无发射天线压缩发射，采用等效口径为Φ２６ｍｍ的接收天线。在～３Ｋｍ的能见度下，实现了３３９Ｋｍ的测距。最大测程为４７Ｋｍ（５Ｋｍ能见度），整机工作频率为１６ｐｐｓ，自然传导冷却。     

三路八位数／模转换芯片MAX512／513

三路八位数／模转换芯片ＭＡＸ５１２／５１３空军电讯工程学院赵光潘小峪ＭＡＸ５１２／５１３是美国ＭＡＸＩＭ公司推出的廉价、三路８位电压输出型数／模转换器，与ＣＰＵ采用串行接口，具有功耗低、体积小（１４脚ＤＩＰ／ＳＯ封装）、使用方便、接口灵活等特点。ＭＡ...     

可见光量子阱半导体激光器的研制

研制出的波长为７７８ｎｍ的可见光量子阱半导体激光器，室温脉冲激射平均线性光功率大于２０ｍＷ，最低阈值电流为３０ｍＡ，阈值电汉密度４００－６００Ａ／ｃｍ＾２。     

低阈值基横模脊形波导GaAs／AlGaAs单量子阱激光器

本文报道了脊形波导结构ＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ量子阱激光器的研究成果．我们采用湿法化学腐蚀方法，通过对器件结构参数的优化，制备了性能优越的脊形波导ＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ量子阱激光器，器件的阈值电流低于１０ｍＡ，最低值为７．３ｍＡ，而且实现了基横模工作，这是国内报道的该结构激光器的最好水平．     

2 μm波段InGaAsSb/AlGaAsSb宽条多量子阱激光器

报道了用ＭＢＥ生长的ＩｎＧａＡｓＳｂ／ＡｌＧａＡｓＳｂ多量子阱材料做成的宽条激光二极管的性能。室温下以脉冲方式工作，实现了８３ｍＷ的峰值功率输出，阈值电流为２５０ｍＡ，典型峰值波长为２．００μｍ左右。     

一种RISC单片机的分块结构寄存器堆

介绍了一种用于ＲＩＳＣ单片机ＰＩＣ１６Ｃ５７的寄存器堆，讨论了为降低功耗所采用的分块结构，详细说明了译码逻辑、ＳＲＡＭ单元、读／写电路和文件选择寄存器等电路的形式及其工作原理     

畅销产品

ＡＤ６９３４０～２０ｍＡ环馈电流传感器变送器特点仪表放大器前端环馈工作方式预校准输入范围３０ｍＶ或６０ｍＶ输出范围和零点可独立调整预校准输出范围：４～２０ｍＡ单极性，０～２０ｍＡ单极性，１２８ｍＡ双极性预校准１００ＲＴＤ接口可提供高达３．５ｍＡ电流的６．２Ｖ基准电压提供一个备用的放大器可外接旁路三极管以降低自热误差ＴＭＰ－０１低功耗可编程温度控制器特点工作范围－５５～＋１２５规定温度范围内精度，典型值　０．５　输出电压与温度成正比用户可编程温度设定点用户可编程滞后失调电压２０ｍＡ集电极开路设定点…     

输出可调的小功率DC—DC变换器LP2950／2951

输出可调的小功率ＤＣ－ＤＣ变换器ＬＰ２９５０／２９５１西安邮电学院李哲１．概述ＬＰ２９５０／ＬＰ２９５１为小功率稳压器，静态电流小（典型值７５μＡ），输入输出压差低（典型值：轻负载时为４０ｍＶ，负载１００ｍＡ时为３８０ｍＶ），适合电池供电系统，当电池...     

低压差线性稳压器MAX603/MAX604及其应用

１ＭＡＸ６０３／ＭＡＸ６０４的功能特点ＭＡＸ６０３／ＭＡＸ６０４是ＭＡＸＩＭ公司生产的低压差线性稳压器 ,具有预置５Ｖ(ＭＡＸ６０３)／３．３Ｖ(ＭＡＸ６０４)或可调两种输出方式 ,其输出电流可达５００ｍＡ。ＭＡＸ６０３在５Ｖ／５００ｍＡ输出时的压差为３２０ｍＶ,在５Ｖ／２００ｍＡ输出时的压差为１３０ｍＶ;ＭＡＸ６０４在３．３Ｖ／２００ｍＡ输出时压差为２４０ｍＶ。这两款器件的功耗很低 ,静态电流典型值为１５μＡ ,最大为３５μＡ ,关断模式下的最大电流只有２μＡ。同时 ,还可以用电阻对其输出电压进行调节 ,其输出电…     

漫谈手机电池

随着经济的发展，我国的移动通信事业得到了飞速发展，移动通信网也由过去单一的模拟网，发展到现在的模拟网、数字网并存。伴随着移动通信的突飞猛进，电池行业也是日新月异，从过去单一的镍镉电池，发展到现在的镍镉电池、镍氢电池、锂离子电池３大系列电池并存，互相竞争，共同发展。镍镉电池由过去的５００ｍＡｈ（ＡＡ型）发展到现在的８００～９００ｍＡｈ，镍氢电池由开始的 ９００～１　０００ｍＡｈ（ＡＡ型）发展到 １ ２００ｍＡｈ，而现在常用的锂离子电池是１ ３００ｍＡｈ（１８６５０型）。电池技术的发展，也推动了我国通信…     

低压MOCVD外延生长InGaAsP／InP应变量子阱材料与器件应用

本文报道用低压有机金属化合物化学气相淀积（ＬＰ－ＭＯＣＶＤ）外延生长ＩｎＧａＡｓＰ／ＩｎＰ应变量子阶材料，材料参数与外延条件的关系，量子阱器件的结构设计及其器件应用．用所生长的材料研制出宽接触阈值电流密度小于４００Ａ／ｃｍ２（腔长４００μｍ），ＤＣ－ＰＢＨ结构阈值７～１２ｍＡ的１．３μｍ量子阱激光器和宽接触阈值电流密度小于６００Ａ／ｃｍ２（腔长４００μｍ），ＤＣ－ＰＢＨ结构阈值９～１５ｍＡ的１．５５μｍ量子阶激光器以及高功率１．３μｍ量子阱发光二极管和ＩｎＧａＡｓＰＩＮ光电探测器．     

LD泵浦Nd：YAG微片激光器的单纵模运转

继去年我们在国内首先实现了ＬＤ泵浦Ｎｄ：ＹＡＧ微片激光器的室温连续单横模运转之后，最近又观测到了稳定的单纵模输出。当泵浦电流从７００ｍＡ增加到９００ｍＡ，或当上下左右平移微片时，无论是脉冲工作，还是连续运转，均能输出单纵模，波长为１．０６４μｍ且无跳模。