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威盛推出P4X266E芯片组至今也有一段时间了,各大主板厂商也都推出了其相应的主板产品,而我们此次所测试的这款博登P4XE-MVB主板是一款采用P4X266E芯片组的Micro-ATX结构的主板. 相似文献
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《电子与电脑》2001,(11):48-53
随着Pentium 4处理器进入PC主流市场的脚步越来越快,威盛(VIA)与Intel的芯片组之争也愈演愈烈。VIA在被Intel起诉侵犯其技术专利权后毫不示弱,迅速采取动作反诉Intel侵权,并提请法庭禁止Intel Pentium 4处理器的销售。两大业界巨头之争对于主板厂商的影响也是显而易见的。尽管距离VIAP4X266芯片组发布已经有一段时间了,但是能在市面上看到正式销售的产品还是不多。值得注意的是,几乎所有台湾一线的主板厂商都没有P4X266的产品供货。我们搜集了五款采用VIA P4X266芯片组的主板进行了测试。这其中包含了基于Socket 423和Socket 478两种架构的产品。Intel如此大动干戈的对付VIAP4X266,究竟是原因何在呢?我们想通过这次测试的结果,从侧面了解一下技术上的原因。 相似文献
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Fraunhofer HHI正式宣布了下一代视频编解码标准H.266/VVC(Versatile Video Coding),本文利用官方H.266编码模型,编写相关测试程序用于实现8K视频的PSNR及PQA分析,对4K/8K VR的H.266编码进行PSNR损伤及PQA评价,解决现有分析软件均不支持8K分辨率及对应10比特分析问题。 相似文献
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佰钰4PX266A主板采用 P4X266芯片组,可以支持Socket 478结构的Pentium 4系列处理器,系统总线速度可达400MHz。微处理器的工作频率设置,可由主板自动侦测。这款主板内置硬件监控功能,可对CPU温度/电压,系统温度以及风扇转速进行监控,以帮助用户及时解决高速微处理器工作时温度过高,风扇转速太低等问题。 相似文献
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这款艾崴的DVD266-R主板,是目前第一款采用双微处理器结构的Apollo Pro266主板.主板布局为A T X,微处理器插槽形式为Socket 370,扩充槽包含了1条AGP与6条PCI插槽.内存部分,提供4条内存插槽,最高可以安装到4GB的PC2100/PC1600 DDR SDRAM. 相似文献
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报道了利用基于掺镱光纤脉冲激光器1064 nm基频光通过偏硼酸钡晶体(β-BaB2O4,BBO)晶体四次谐波技术获得266 nm的紫外激光输出,利用双晶体空间走离补偿技术在重复频率为80 MHz平均输出功率为2.9 W,532 nm到266 nm的转化效率为36.5%。通过测量266 nm光强的变化发现双光子吸收效应导致了动态色心的形成,以及色心密度与双光子吸收系数随着晶体温度变化的规律,实验数据表明在晶体温度200 ℃的双光子吸收效应比室温时低了3.5倍,提高了266 nm紫外激光的输出功率和稳定度。 相似文献
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此款三帝品牌DDR主板,型号为"PVXEAL",设有3条DDR内存插槽,支持200MHz/266MHz的DDR内存,最大容量竟然可达3GB.主板采用的芯片组为VIAP4X266E/VT8235,支持400/533MHz前端总线,ATX构架,适用于Intel Celeron和P4 Socket478系列的微处理器,最高支持的CPU核心频率为2.53GHz,对当前购买电脑的一般消费者来说绰绰有余. 相似文献
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自从Pentium4问世以来,随着主频以及技术的改变,使其从针脚以及结构上都发生了很大的变化,而这种变化会直接影响到主板上芯片的结构。在主板芯片中Intel从最初的850到I845以及现在的I845D,都在紧随着CPU的发展而推出,但其还有一个有力的竟争对手VIA也不甘示弱。在其P4X266推出的数月后,便又推出了支持DDR的升级产品——P4X266A。 相似文献
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紫外激光照射对硅酸铅玻璃表面结构的影响 总被引:3,自引:0,他引:3
采用四倍频的Nd∶YAG脉冲激光(波长266 nm,脉宽10 ns,脉冲能量密度300 mJ/cm2)对PbO摩尔分数在0.3~0.66的硅酸铅玻璃体样品进行照射,并对照射前后样品的X射线光电子能谱(XPS)进行了测量。研究发现266 nm激光照射前后Pb 4f和Si 2p的结合能没有变化,说明Pb和Si元素的价态没有发生改变;但X射线光电子能谱图上这两个峰的高度却有明显的变化:Pb 4f峰增高而Si 2p峰减小,说明硅酸铅玻璃受266 nm紫外激光照射后表面结构发生变化,PbO含量增大而SiO2含量减少。 相似文献