微微秒光电子开关的光电导

利用研制成的微微秒光电子开关，采用Nd：YAG超短激光脉冲序列，并选出单脉冲作为光源，选用GaAs、inp、p型Si和N型Si四种材料作为光电子开关中的介质，观察了它们的微微秒光电导现象。在直流偏压Vo下，     

千伏微微秒光电子开关和普克尔盒

最近用微微秒光脉冲在硅传输线结构中所产生的光电导,已实现基本的电子学功能,例如开关和闸门。本文介绍这种技术应用于千伏电信号开关,用作快速普克尔盒的光开关。在传输线结构中通过开关电压与行波普克尔盒的半波电压匹配,已能产生具有极高速度的有效的光开关作用。     

微微秒半导体全光开关

日本NEC公司成功地进行了半导体全光开关的实验，这种全光开关可以在半导体激光器或光纤放大器发出的低功率光下工作，并可适应于约1Tbit／s的超高速脉冲。     

微微秒光电子取样技术及其应用

本文综述了超高速光电子取样耐量技术的发展状况以及它们在超高速半导体电子器件和光电子器件测试中的应用。     

微微秒高功率开关及其应用

使用在高电阻率半导体中激光感生光电导以产生与微微秒光脉冲同步的髙功率电脉冲，这一技术已获得了许多新的重要应用。这些应用包括无抖动条纹相机的操作，微微秒时间尺度的主动式脉冲整形，主动式预脉冲抑制，以及最近的微微秒微波脉冲的产生和主动锁模。此外，当前已证实，一种新的光电子开关技术能使灵敏度提高超过纯光电导开关。在这种应用中，激光感生的一万五千电子伏的光电子微微秒脉冲，被用作产生具有微微秒上升时间同步电信号的半导体开关的激励源。本文评述这些应用，包括最新发展并对微微秒光电子开关胜过普通光电子开关的一些优点予以评价。     

微微秒光导开关及其应用

高速光导开关是七十年代中期发展起来的一种半导体器件。利用微微秒激光脉冲和这种新颖器件,可以产生微微秒电脉冲,测量微微秒光、电脉冲,检测各种材料和器件的瞬态特性,也可以产生和控制几个GHz至毫米波段的超短脉冲。这种正在发展的光电子学方法,噪声低、抖动小、组成线路的频率范围可以从几百兆赫提高到几兆兆赫,成为微微秒光电子学的重要组成部分。本文将扼要介绍光导开关的工作机理及其几种典型应用,讨论了它的优缺点和发展前景。     

GaAs微微秒光导开关的研究

采用离子注入高纯ＬＥＣＧａＡｓ材料，设计研制了共面线和微带线两种结构微微秒（ｐｓ）光导开关．其输出电脉冲响应时ＩＮＦＷＨＭ为８—１０ｐｓ，当光强为１ｍＷ时，电脉冲幅度为０．２Ｖ     

在超短脉冲作用下Cr掺杂GaAs的光电导性与微微秒光电子开关

利用高阻半导体在超短光脉冲作用下的光电导性可以获得超短电脉冲,这种光电器件的上升时间快,精度高,无抖动,可直接产生数千伏高压,在微微秒技术中有许多重要应用。 本实验中,利用一台被动锁模Nd:YAG激光器,经过单脉冲挑选,放大和倍频得到1.06微米和0.53微米的单个微微秒脉冲,脉冲的能量可以在10~(-7)到10~(-3)焦耳范围内变化,并用一台高灵敏硅光电池探测器来监测每个脉冲的能量,用Cr掺杂高阻GaAs材料做成微微秒光电子开关,用快响应示波器测量开关输出电脉冲的幅度和脉宽。     

微微秒技术

锁模激光器很快成为近代光谱学的重要工具。各种脉冲和连续激光器可以通过锁模在红外3微米和近紫外300毫微米之间产生多个波长的微微秒脉冲。为了研究物质的光学性质，用锁模激光器得到的亚微微秒脉冲,巳达到了迄今为止的最髙时间分辨率。     

微微秒探测器

仪器技术有限公司出售超高速光电二极管,其结构有雪崩和PIN,光谱响应范围从0.54μm到1.65μm。该器件可用于超短光脉冲的测量(典型上升时间为50微微秒)。探测器的安装经特殊设计以抑制谐振效     

砷化镓表面自旋极化光电子发射

本文详细地介绍了在圆偏振光作用下,NEA GaAs表面发射目旋极化光电子的原理,及NEA GaAs表面的制备和装置。介绍了表面Cs-O激活的方法。在用此法激活的NEA GaAs(100)表面上可得到灵敏度为8A/mW,极化度约用35%以上的光电子束。发现清洁的GaAs表面覆盖以50%60%Cs单原子层时,光电子的发射出现第一个极大值,同时发现稳定的发射取决于铯吸附量。     

硅光电子开关

我们用Nd:YAG锁模激光辐照硅,实现了光电子开关的“开”和“关”。开关结构见图1。硅薄片(～7000欧姆·厘米)上光刻微带,具体尺寸是:间隙d=0.34毫米,厚度h=0.43毫米,微带宽度W=0.34毫米。W和h尺寸的选取是使微带与传输电缆为50欧姆阻抗匹配。实验装置见图2。当开关一端加90伏直流偏压时,用0.53微米单脉冲照射,引起硅表面导电,通过传输线,在输出端测得电信号如图3,即完成开关的“开”。以后,用与0.53微米有一定光路延迟的1.06微米光随后照射。因为硅对1.06微米光吸收深,引起导电穿透硅片,形成电信号短     

砷化镓光控半导体开关

光控半导体开关在脉冲功率等方面具有广泛的应用前景,越来越受到人们的重视。本文对光控半导体开关进行了简要介绍,包括ＧａＡｓ：Ｓｉ：Ｃｕ开关的原理和应用;ＧａＡｓ：Ｓｉ：Ｃｕ基本材料的制备;开关过程中的锁定现象及其机理;以及设计和实验中的几个问题．     

用高速光电子快门获得脉宽为5微微秒的电脉冲

最近研制了频率达100 GHz的超高频电子器件。这些器件扩大了微微秒激光研究法的应用范围。此外，弄清楚了电荷传移过程和结构变化常常是在微微秒和毫微微秒时间间隔中发生的。因此，获取相应脉宽的电脉冲是必要的，例如用于测量超髙频电子器件的响应函数。1975年提出了利用半导体在超短光脉冲下导电性的变化来获得这种电脉冲的思想。研制了硅、砷化镓、非晶态硅、CdS、InP等材料制成的高速快门。     

用作选择单一微微秒激光脉冲的快速电光开关

充满高压气体的火花隙产生的快速上升的高压脉冲可以用来激励克尔盒。激光使气体击穿触发火花隙,提供了激光与触发精确同步。     

用于高速克尔盒和普克尔盒的微微秒精度高功率开关

本文报导用光控制的硅开关的最新成果。幅值10千伏电压,可在微微秒内开关。这个电压阶梯用作激励行波克尔盒和快速普克尔盒。     

毫微微秒脉冲技术

本文综述了毫微微秒脉冲技术的理论和实验结果。     

170微微秒热电探测器

设计和测试了响应时间不到200微微秒的LiTaO_3热电探测器。探测器元件敷有光谱响应平坦的快速热吸收的黑色涂层,并与-13千兆赫带宽Tektronix S-4取样头在阻抗上匹配。用峰值功率在54千瓦时脉冲为100微微秒的Q开关模锁Nd:YAG激光源测量了在1.06微米时的响应。所测量的上升时间为170±30％微微秒,比元件的50微微秒的时间常数长。