中高压铝电解电容器阳极箔研究进展

从铝箔杂质和腐蚀液添加剂两个方面概述了国内外在提高中高压铝电解电容器比电容方面的研究进展,其中包括镁、铁、硅、铅等杂质及缓蚀剂和表面活性剂的研究。并介绍了铝电解电容器的几种腐蚀机理,如氯离子的作用机理、腐蚀过程中电流与电位的关系、空位模型。最后预测了铝电解电容器新工艺的可能开发方向。     

铝箔腐蚀工艺的探讨

<正> 一、前言 腐蚀是提高铝电解电容器比容的重要工艺。国外电容器厂家在铝箔腐蚀工艺上花了大量的人力、物力,采取了许多有效措施,使铝电解电容器的水平有了很大提高,有的产品在性能上完全可以代替钽电解电容器。我国的铝电解电容器在近几年有较大的提高,特别是交流腐蚀工艺的出现对生产     

氧化膜形貌对铝电解电容器寿命的影响

对三种高压阳极化成铝箔进行了SEM的形貌和EDS组分分析,用三种铝箔分别制成400 V,6 800 霧电容器并进行了耐久性试验对比,对电容器性能和阳极化成铝箔氧化膜形貌之间的关系进行了探讨。结果表明:隧道腐蚀铝箔的氧化膜残存的杂质离子多,容易击穿;氧化膜表面过多的羟基对电容器的漏电流影响很大。     

铝阳极氧化膜及其铝电解电容器（下）

本文从铝电解电容器的基本性能的主要因素分析与铝阳极氧化膜的关系，包括铝箔的杂质、腐蚀孔形状、表面ＣＬ，氧化膜的缺陷与稳定性。从而分析不同的形成液，形成程序、复合形成及老练等的影响。     

铝电解电容器基本性能与阳极氧化膜的关系

分析铝电解电容器基本性能与铝阳极氧化膜的关系［１］，同时简要分析铝箔的杂质、腐蚀孔形状、表面Ｃｌ－，氧化膜的缺陷与稳定性的影响。从而得出不同形成液、形成程序、复合形成及老练等的影响规律。     

腐蚀工艺与铝箔材料

<正>一、前 言 铝箔腐蚀是生产铝电解电容器的重要工艺,国外早已采用电化学机械联动腐蚀进行生产。我国近几年自制和引进了生产线,使我国铝箔腐蚀工艺水平有了很大的提高。但总的来说,我国目前的水平还比较低,特别是对电化学机械联动腐蚀的实质、机理等研究不够。     

国内外高压电解电容器用铝箔的性能比较

利用XRD、SIMS、SEM、电化学腐蚀等方法,对高压铝电解电容器用铝箔(原箔)进行了比较分析。结果表明,国产铝箔在微量元素设计和杂质控制,立方织构占有率(95%以上)方面已达到国外同类产品的先进技术水平,但在加工质量、表面状态和微量元素的分布控制方面与国外同类产品存在差距,同时提出了国产高压铝电解电容器用铝箔的技术改进方向。     

高纯铝光箔化学成分对直流电侵蚀的影响

以Fe、Si、Cu含量不同的四种铝光箔进行直流电侵蚀对比实验,研究了高纯铝光箔中化学成分对其作为电容器用铝箔侵蚀过程产生的影响。通过对侵蚀样品的SEM表面观察、腐蚀形貌定量分析,对光箔中化学成分与样品效果进行了分析讨论。结果表明,Cu能增强表面蚀孔的产生,Cu含量相对较低的(25×10–6)光箔侵蚀后适用于制作中压铝电解电容器;Cu含量相对较高的[(50～60)×10–6]光箔侵蚀后适用于制作高压铝电解电容器。     

电容铝箔的组织结构特征

本文针对铝电解电容器的性能要求,论述了电容铝箔的内部组织结构特点,分析了组织结构、腐蚀形貌和静电容量之间的关系。     

腐蚀频率对铝电解电容器用低压铝箔性能的影响

采用变频腐蚀工艺以及正交实验法,制备了铝电解电容器用低压铝箔,研究了腐蚀电源频率对所制低压铝箔腐蚀形貌及性能的影响。结果表明:腐蚀孔径随着电源频率的升高而变小,腐蚀电压随着频率升高而降低;频率25Hz为最佳工艺条件,所得腐蚀样品耐压值为83.2V,比容达16.07×10-6F/cm2。     

铝电解电容器阳极腐蚀造成产品失效问题的探讨

通过对铝电解电容器的铝箔、电解纸、盖板、电解液进行分析 ,从而找出铝电解电容器阳极腐蚀的原因 ,并提出解决方法。     

国产化铝电解电容器生产线设备

本文对近年来国营706厂研制开发的铝电解电容器生产线设备进行了概括的介绍。重点介绍:铝箔腐蚀。铝箔赋能、铝壳制造、引线闪光对焊、引线成型、引线装盒、引线与铝箔刺铆、刺铆针刃磨、芯包卷绕、真空浸渍、电容器封口、套管打印、外套热缩、联动装配等设备。     

电解电容器用铝箔现状及其发展趋势

对铝电解电容器用铝箔的现状及其发展趋势进行了概述，介绍了引进腐蚀生产线的情况、电容器铝箔的研制及质量状况。     

电沉积Zn预处理对高压阳极铝箔电解腐蚀行为的影响

恒定电流下在酸碱预处理后的铝箔表面电沉积微量Zn,得到电沉积改性预处理铝箔,对其进行直流电化学腐蚀。使用EDS能谱分析电沉积Zn铝箔表面元素;利用金相显微镜与扫描电镜从断面、表面观察样品铝箔腐蚀形貌;利用极化曲线、失重率、减薄率观测样品铝箔的腐蚀电位、腐蚀效果,研究不同预处理工艺对高压阳极铝箔电解腐蚀行为的影响。结果表明:电沉积Zn预处理后,由于沉积在铝箔表面的Zn和Al存在电位差,形成Al-Zn微电池促进铝箔腐蚀发孔,其腐蚀电位由酸碱预处理铝箔的-0.83 V下降到-0.87 V,铝箔腐蚀后隧道孔数量较多,分布更加均匀,减薄率下降,失重率上升,得到了比表面积更大的铝电解电容器用阳极腐蚀箔。     

UZ系列片式铝电解电容器

<正> 日本Nichicon公司制成高温负荷105℃、500h的片式铝电解电容器。产品使用了热稳定性好、比电阻低的工作电解液;高倍率铝箔腐蚀及其铝介质氧化膜生长技术,制备得极好的电极铝箔;又采用高精度自动组装设备。产品适应高密度封装技术,最适用于产业机器及高可靠电子设备使用。     

全球片式电容器面面观(之三)

一、片式铝电解电容器 在各种片式电子元器件中,铝电解电容器的片式化可算是难度最大的一类,这是因为铝电解电容器是以阳极铝箔、阴极铝箔和衬垫材料多圈卷绕而形成的电容器芯子为基本结构,要实现片式化必须以小圆柱形为基础,在     

低压铝箔手工腐蚀工艺的改进

<正> 在铝电解电容器的生产过程中,用来腐蚀阳极铝箔的手工腐蚀工艺具有简单易行、投资少、见效快、耗酸量少、对环境污染较轻等优点。但采用传统的手工腐蚀工艺所腐蚀的铝箔,其腐蚀系数较低、机械强度较差。目前,国外已很少采用这种腐蚀工艺,但国内尚有不少厂家仍在采用。 为了在现有的生产条件下提高铝箔的腐     

全球片式电容器技术质量动态与2000年展望(下)

３．片式铝电解电容器在各种片式电子元器件中,铝电解电容器的片式化可算是难度最大的一类,这是因为铝电解电容器是以阳极铝箔、阴极铝箔和衬垫材料多圈卷绕而形成的电容器芯子为基本结构,要实现片式化必须以小圆柱形为基础,在外部再加一个带两电极的平面机械和电子联接部件。现在日本各大电解电容器厂家如松下、尼康、ＣＨＥＭＩ－ＣＯＮ、ＥＬＮＡ都在其最新版的产品目录上把片式铝电解电容器列在最引人注目的前几页。１９９６年,日本片式铝电容产量为５４亿只,片式化率为２３％。估计１９９９年片式化率可达３０％以上,２０００年…     

全球片式电容器面面观（之三）

一、片式铝电解电容器 在各种片式电子元器件中,铝电解电容器的片式化可算是难度最大的一类,这是因为铝电解电容器是以阳极铝箔、阴极铝箔和衬垫材料多圈     

国产高纯铝箔的隧道腐蚀——Ⅰ.电化学转化膜的应用原理

本文针对目前国内中高压铝电解电容器用国产阳极箔的生产情况,较系统地介绍了对铝箔适应性较强的应用电化学转化膜促进结晶化高纯铝箔隧道腐蚀的基本原理,并对应用此方法的主要技术给予了讨论。