碳化硼的显微组织研究

采用直接合成法合成碳化硼粉,并用合成的碳化硼粉进行热压烧结.采用金相显微和扫描电子显微镜(SEM)对碳化硼烧结体的显微组织进行了研究.     

碳化硼的粒度与点阵常数

采用X射线衍射和扫描电子显微镜测定了碳化硼粉的粒度和点阵数.结果表明:用直接合成法,适当的温度和保温时间能获得粒度、纯度高的碳化硼粉末,并能较好地控制B/C.     

粒度级配比对B4C制品性能的影响

研究了真空热压烧结碳化硼制品过程中粒度级配比对碳化硼制品性能的影响.结果表明,合适的粒度配比(20%W5 80%W3.5)将有利于烧结的进行,在此条件下烧结可使碳化硼制品的体积密度达2.514g·cm-3(理论密度为2.52g·cm-3),抗弯强度达434MPa,显微硬度达27.66GPa.这些数据将为工业化生产提供理论依据.     

聚丙烯与碳化硼共混体系的纺丝与性能研究

讨论了聚丙烯／碳化硼共混体系中碳化硼粒度、助剂种类和用量、温度等因素对该体系流变性能及可纺性的影响，并对纤维和织物的性能进行了测试．     

机械化学法制备碳化硼及其晶体结构的研究

以氧化硼、镁粉和石墨粉为原料,通过机械合金化与镁热法相结合,制备了碳化硼材料:在氧化硼、镁、石墨的质量比为10:11:1、行星式球磨机转速为200 rpm、研磨时间为72 h、研磨罐温度略高于室温的条件下,诱导了化学反应,合成制备了碳化硼颗粒材料。由酸洗和水洗产物后粉末的XRD谱图,证明粉末的主要成分为碳化硼。用三线法和最小二乘法,对所制备的碳化硼粉末的晶体结构及晶格常数进行了分析计算,结果表明碳化硼的晶系为六方晶系,晶胞的晶格常数a=0.562 8 nm,c=1.218 6 nm,与文献报道的结果相一致。     

影响碳化硼陶瓷致密化的因素

从纯碳化硼的无压烧结、添加烧结助剂、烧结时加压等方面介绍了碳化硼陶瓷活化烧结致密化的方法，综述了国内外在不同的烧结工艺下制备的碳化硼陶瓷材料的性能，进而分析了各种方法提高碳化硼陶瓷致密度的机制，比较了各种烧结方法的优缺点。结果表明：通过综合各种措施可以提高碳化硼陶瓷的致密度。     

氧化锆对白榴石基烤瓷粉性能的影响

采用两种不同方法引入氧化锆合成牙用白榴石基复合烤瓷粉。方法一是以钾长石、碳酸钾和氧化锆为主要原料,通过高温固相法一步合成烤瓷粉;方法二是先合成白榴石基烤瓷粉,然后再加入氧化锆合成烤瓷粉。利用X-射线衍射仪和扫描电镜分析烤瓷粉的物相结构;利用万能试验机测试烤瓷粉的弯曲强度;利用热膨胀仪测定烤瓷粉的热膨胀系数。结果表明,后一种方法不利于提高烤瓷粉的性能,而前一种采用一次性合成的复合烤瓷粉中,氧化锆的加入既有利于烤瓷粉的弯曲强度的提高,又有助于调节烤瓷粉的热膨胀系数。当氧化锫的添加量为8％、合成烤瓷粉的煅烧温度为1200℃、烤瓷粉的熔附温度为900℃时,样品的弯曲强度为112MPa。高温固相一步合成法具有原料成本低、制备方法简单、产品性能良好等优点。     

碳化硼粉末制备方法的研究进展

碳化硼制备复杂,属高能耗产业.本文主要探究了碳化硼粉末的制备方法.     

间歇式推舟-CVD法制备竹节状氮化硼纳米管

以平均粒径在250 nm左右的超细碳化硼粉为前驱体,控制反应气氛为氨气,在1 150～1 250℃下利用间歇式推舟-化学气相沉积法制备竹节状氮化硼纳米管(BNNTs)。采用扫描电子显微镜、透射电子显微镜、X射线衍射、拉曼光谱和傅里叶转换红外光谱分析仪对产物的结构和形貌进行表征,结果表明,BNNTs的直径在150～450 nm范围内,平均长度约为5μm。该方法工艺简单,合成温度低,BNNTs的纯度高。     

WC-TiC-Al2O3复合粉的制备

以铝粉、钨酸、钛酸和石墨粉为原材料,利用埋碳保护法铝热还原碳化合成WC-TiC-Al2O3复合粉.研究了温度对于生成WC-TiC-Al2O3复合粉的影响.结果表明,煅烧温度在1 150℃时能合成WC-Al2O3粉,WC-Al2O3-TiC复合粉的合成温度在1350℃左右.