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近日,中国LED同行密切关注着美国著名芯片厂商Cree公司对华刚光电集团有限公司旗下负责LED封装事业部的华刚光电零件有限公司的并购。美国时间3月12日,美国Cree公司以7000万元现金及1.3亿元股票(20个交易日的平均价格)共2亿美 相似文献
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正COB(ChipOnBoard)与晶粒尺寸封装(CSP)技术,正快速走红发光二极体(LED)照明市场。COB封装可缩小LED光源尺寸,而CSP则能省却后段封装及导线架费用,皆有助大幅降低LED光源的整体物料清单(BOM)成本,因而成为今年磊晶厂积极采用的热门封装技术,包括日亚化学(Nichia)、科锐(Cree)及隆达,皆已陆续发布相关产品。隆达电子照明成品事业处处长黄道恒表示,无封装LED可满足灯具系统开 相似文献
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全球整合式芯片解决方案的领导厂商美满电子科技日前宣布.推出与Cree公司合作开发的最新60瓦可调光A19LED灯的交钥匙参考设计,两家公司的再度联手将继续推动LED照明解决方案的变革。 相似文献
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《电子工业专用设备》2011,40(8):60-60
为开辟材料创新的新天地,汉高电子材料宣布了革命性的银(Ag)烧结技术的成功。该技术无需加压烘烤即可帮助客户实现高功率器件封装的大批量生产。Ablestik SSP2000是第一款使用了汉高银烧结技术的材料,它是一种高可靠性的芯片粘接材料,非常适用于IGBT和高功率LED产品等功率模块。 相似文献
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高功率LED封装探讨与展望 总被引:1,自引:0,他引:1
长久以来,在对LED散热要求不是很高的情况下,LED多利用传统树脂基板进行封装。然而,随着市场应用领域不断扩大,需求层次不断提高,传统的树脂基板在高功率LED世代到来后,已渐渐不敷使用。因此,探讨和展望高功率LED的封装材料,便成为业界关注的热点话题。 相似文献
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介绍了Si衬底功率型GaN基LED芯片和封装制造技术,分析了Si衬底功率型GaN基LED芯片制造和封装工艺及关键技术,提供了产品测试数据。Si衬底LED芯片制备采用上下电极垂直结构与Ag反射镜工艺,封装采用仿流明大功率封装,封装后白光LED光通量达80 lm,光效达70 lm/W,产品已达商品化。与蓝宝石和SiC衬底技术路线相比,Si衬底LED芯片具有原创技术产权,可销往任何国家而不受国际专利的限制。产品抗静电性能好,寿命长,可承受的电流密度高,具有单引线垂直结构,器件封装工艺简单,而且生产效率高,成本低廉。其应用前景广阔,是值得大力发展的一门新技术。 相似文献
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