MEMS封装朝向晶圆级发展

传统的MEMS长期依赖陶瓷封装，虽然行之有效，但MEMS产业已经酝酿向晶圆级封装（WLP）技术转变，而这一转变的部分驱动力则来自于越来越多的晶圆代工厂开始涉足于MEMS领域。     

一种晶圆级封装的MEMS数控衰减器

设计实现了一种晶圆级封装的三位MEMS数控衰减器,工作频段DC～15 GHz,衰减范围0～35 dB,步进5 dB。衰减器采用MEMS工艺实现,信号传输采用共面波导（CPW）结构,6个直接接触式悬臂梁MEMS开关对称放置实现不同衰减量的切换,每个开关带有三个触点,电阻网络采用T型结构,整个衰减器实现晶圆级封装。测试结果显示,DC～15 GHz频段内实现了8个衰减态,衰减器插入损耗小于1.7 dB,回波损耗小于-15 dB,衰减平坦度小于±5%,功耗几乎为零。芯片尺寸为2.7 mm×2.7 mm×0.8 mm。     

松下电工公布高亮度LED照明器具

松下电工公布了亮度约为原来的1．4倍、光通量提高至900lm的白色LED照明器具——“配备新型MFORCE的LED吸顶灯”。将其设置在高3m的天花板上时，地板的照度达到500lx以上，地板向上1m位置（即天花板向下2m处）的照度为800lx。按照照明亮度的JIS照度标准，该产品能够确保办公室、诊疗室、会议室、电梯厅及电扶梯等所需要的亮度。     

晶圆级封装微凸点脱落失效分析

随着晶圆级封装的技术发展,其可靠性倍受关注,微凸点的制备作为晶圆级封装实现高密度引出端的关键技术,其制备过程及可靠性至关重要,明确微凸点相关失效的原因对于提升微凸点的可靠性十分关键。针对晶圆级微凸点的拉脱异常失效进行了分析,采用SEM和FIB等分析手段,确定凸点拉脱强度由不足是UBM金属层失效所致,针对UBM失效的根本原因进行了分析,确定存放环境中的水汽对UBM种子金属的侵蚀情况,明确了失效机理,并提出了相关的改进措施,对于提高晶圆级封装微凸点制备的可靠性具备一定的指导作用。     

临时键合技术在晶圆级封装领域的研究进展

随着5G、人工智能和物联网等新基建的逐步完善,单纯依靠缩小工艺尺寸来提升芯片功能和性能的方法已经难以适应未来集成电路产业发展的需求。为满足集成电路的多功能化及产品的多元化,通过晶圆级封装技术克服摩尔定律物理扩展的局限性日趋重要。目前,在晶圆级封装正朝着大尺寸、三维堆叠和轻薄化方向发展的背景下,临时键合与解键合（TBDB）工艺应运而生。针对晶圆级封装领域可商用的TBDB技术,论述了不同TBDB工艺在晶圆级封装领域的研究进展及应用现状,明晰了不同TBDB技术所面临的挑战和机遇,提出了相应的解决方案,并展望了未来的研究方向。     

基于晶圆键合的MEMS圆片级封装研究综述

为提升微机电系统（MEMS）器件的性能及可靠性,MEMS圆片级封装技术已成为突破MEMS器件实用化瓶颈的关键,其中基于晶圆键合的MEMS圆片级封装由于封装温度低、封装结构及工艺自由度高、封装可靠性强而备受产学界关注。总结了MEMS圆片级封装的主要功能及分类,阐明了基于晶圆键合的MEMS圆片级封装技术的优势。依次对平面互连型和垂直互连型2类基于晶圆键合的MEMS圆片级封装的技术背景、封装策略、技术利弊、特点及局限性展开了综述。通过总结MEMS圆片级封装的现状,展望其未来的发展趋势。     

亮度相当于白炽灯、演色性媲美荧光灯的松下电工新型LED装置

松下电工现已开发出亮度和60W白炽灯相当、演色性媲美荧光灯的照明用LED装置“MFORCE”（图1）。     

CMOS图像传感器的光学晶圆级封装

光学晶圆级封装技术结合了传统的晶圆级技术和专门的玻璃合成与光学技术。仍在不断膨胀的数码相机市场的核心是图像传感器——一种用于捕捉光子并将它们转换成电子的硅基半导体器件。     

一种MEMS陀螺晶圆级真空封装工艺

为了提高MEMS陀螺的品质因数(Q值),提出了一种晶圆级真空封装工艺。先在陀螺盖帽晶圆上刻蚀出浅腔,然后在浅腔结构上制备钨(W)金属引线,再通过PECVD工艺淀积介质层,在介质层上制备钛/金(Ti/Au)键合环,最后将盖帽晶圆与制备好的结构晶圆完成金硅共晶键合,并利用吸气剂实现晶圆的长久真空封装。经测试,采用本方案的封装的气密性与金属层厚度紧密相关,调整合适的金属层厚度后可使真空泄漏速率小于2.0×10-12 Pa·m~3·s-1。此外,设计了一种特殊的浅腔阵列结构,该结构将金硅键合强度从小于20 MPa提升至大于26 MPa,同时可防止键合时液相合金向外溢流。对陀螺芯片的性能测试表明,该真空封装工艺简单有效,封装气密性良好,Q值高达168 540,满足设计指标要求。     

Nemotek技术公司向SUSS订购多项光刻设备,用于图像传感器晶圆级封装

2009年4月22日,德国便携式晶圆片级照相机零部件生产商Nemotek技术公司购买了SUSS的多项光刻设备。SUSS是三维集成、先进封装、MEMS、纳米技术等创新方案的设备供应商。此次订购包括200mm生产性光刻机、涂胶台、烘烤、显影设备。     

Ti基吸气剂制备及其在MEMS晶圆级真空封装中的应用

采用倾斜溅射工艺制备了一种Cr/Ti/Ni三层金属吸气剂薄膜,其中Ti薄膜作为主吸气层,Cr薄膜为沉积在Ti下方的阻挡层,Ni薄膜为覆盖在Ti上方的保护层.在350℃高温激活后,吸气剂初始吸气速率大于100 cm3·s-1·cm-2,30 min内吸气容量大于40 Pa·cm3·cm-2,接近国外先进吸气剂的吸气性能指...     

基于硅基扇出(eSiFO?)技术的先进指纹传感器晶圆级封装工艺开发

传统的晶圆级芯片封装(WLCSP)是一种标准的扇入式封装结构。随着I/O数的增加,无法为重布线层(RDL)提供足够的区域。近年来,在芯片周围形成扇出区域的嵌入式封装技术发展起来,其具有I/O数目高、成本低、集成灵活、体积小等优点。晶圆扇出型封装(FOWLP)通常采用环氧塑封复合料(EMC),其面临翘曲、各层热膨胀系数(CTE)不匹配、成本高昂等难题。报道了一种全新的晶圆级嵌入式硅基扇出技术,名为eSiFO^?,其用于实现电容式指纹传感器封装。在这个创新的集成器件中,一个5.6 mm×1.0 mm的ASIC芯片被减薄到90μm,然后嵌入到硅基槽中重建一个新的晶圆。在整个工艺过程中,金属的覆盖面积达80%以上,但晶圆的翘曲小于2 mm。整个晶圆级封装工艺使用了10个掩模版,其产品良率达到98%。该产品通过了包括预处理测试、温度循环(TCT)测试、高加速温湿度应力试验(u-HAST)和高温贮存试验(HTST)在内的标准可靠性测试。     

松下电工上市在大型商业场所也可设置的下射型LED照明灯具

业界消息，松下电工于2008年8月6日上市了屋檐下用的下射型LED照明灯具——“配备MFORCE—H的LED屋檐下射灯”。该灯具共有白色。“NNN21115”和灯泡色“NNN21116”2种，采用了即使在屋檐下也可使用的防雨型构造。     

面向三维集成应用的Cu/SiO2晶圆级混合键合技术研究进展

Cu/SiO₂混合键合技术被认为是实现芯片三维集成和高密度电学互连的理想方案,但由于其需兼顾介质和金属两种材料的键合,目前鲜有自主开发且工艺简单、成本低廉的混合键合方案的报道。文章归纳了现有的晶圆级键合技术,包括直接键合、活化键合以及金属固液互扩散键合,分析了其应用于混合键合技术的可能性。进一步总结了近年来部分Cu/SiO₂混合键合技术的研究进展,从原理上剖析该工艺得以实现的关键,为国内半导体行业占领此高端领域提供一定的参考。     

松下电工展出新光电板光导波技术

松下电工开发出了用于拥有电路和光路的印刷底板的光导波路薄膜材料和加工方法，并证实可通过1m长的布线传输10Gbps信号。原来的光导波路可证实的布线长度，仅为10cm左右的短距离。使用此次开发的技术，不仅是布线长度较短的便携设备和微处理器周边印刷底板，伺服器和路由器等通信设备的印刷底板均可采用光导波路。松下电工在2008年1月16日东京有明国际会展中心“第九届印刷布线板EXPO”上展示了试制品。     

松下电工：采用MIPTEC技术实现元器件的超小型化

松下电工的产品覆盖了控制机器、电子材料等支撑尖端电子技术的产品和照明、电器等与生活密切相关的商品.     

世界覆铜板新品种新技术赏析（4）——松下电工PPE树脂基MEGTRON 6

文章概述了PCB基板的信号传输速度和传输损失相关内容,介绍了松下电工PPE树脂基覆铜板MEGTRON6对原材料的选择,分析了MEGTRON6的介电性能、通孔可靠性、耐CAF和眼图等性能特点。     

松下电工低介电常数高耐热基板材料MEGTRON4剖析(Ⅰ)

本文简介了聚苯醚树脂的优缺点和松下电工的基材发展战略,详细分析了松下电工新开发的PCB基板材料MEGTRON4的诸多性能,包括高频性能、眼图测试、通孔可靠性、耐CAF性能、IVH充填性能、无铅兼容性能、钻孔性能和去胶渣性能等,MEGTRON4具有低热膨胀、高可靠性和良好加工性,主要应用于网络设备（服务器、路由器）、测量仪器等领域。