晶圆片级封装技术（WLP）概述

本文简要叙述了晶圆片级封装技术及其优越性，并概述了国内外对晶圆片级封装技术的研究状况和应用前景。     

电子元器件封装技术发展趋势

晶圆级封装、多芯片封装、系统封装和三维叠层封装是近几年来迅速发展的新型封装方式,在推动更高性能、更低功耗、更低成本和更小形状因子的产品上,先进封装技术发挥着至关重要的作用。晶圆级芯片尺寸封装(WCSP)应用范围在不断扩展,无源器件、分立器件、RF和存储器的比例不断提高。随着芯片尺寸和引脚数目的增加,板级可靠性成为一大挑战。系统封装(SIP)已经开始集成MEMS器件、逻辑电路和特定应用电路。使用TSV的三维封装技术可以为MEMS器件与其他芯片的叠层提供解决方案。     

晶圆级CSP技术的发展展望

简要阐述了集成电路的封装的发展趋势,对晶圆级CSP封装的现状和未来进行了简要论述。     

声表面波器件小型化技术发展概述

以EPCOS生产的声表面波(SAW)芯片级封装和晶圆级封装为例,介绍了声表面波器件小型化发展的趋势.着重介绍了声表器件芯片级封装技术发展的各个阶段器件的结构特点.详述采用倒装、贴膜和晶圆键合技术将声表面波器件的尺寸减至最小及后续声表面波器件组件化封装的趋势.     

高可靠先进微系统封装技术综述

在人工智能、航空航天、国防武器装备电子系统小型化、模块化、智能化需求驱动下,系统级封装设计及关键工艺技术取得了革命性突破。新型的系统封装方法可把不同功能器件集成在一起,并实现了相互间高速通讯功能。封装工艺与晶圆制造工艺的全面融合,使封装可靠性、封装效率得到极大的提升,封装寄生效应得到有效抑制。文章概述了微系统封装结构及类型,阐述了高可靠晶圆级芯片封装(WLP)、倒装焊封装(BGA)、系统级封装(SIP)、三维叠层封装、TSV通孔结构的实现原理、关键工艺技术及发展趋势。     

2004年IC封装业的技术发展趋向

总部设在新加坡的品圆封装代工公司IPAC表示，在2004年要加强集成电路的晶圆级封装(WLP)的业务，引进先进技术和提供包括晶圆凸点、整合、测试等服务。IPAC将使用先进互连解决方案(AIS)公司拥有的专利技术TCSP制程。TCSP是纯芯片级封装制程的简称，它的封装尺寸等于芯片级尺寸，而且大部分封装制程在晶圆加工阶段完成，使每块芯片的封装成本显著降低。     

后摩尔时代的封装技术

综述了进入后摩尔时代半导体业界面临制造技术极限的挑战所进行的各种应对措施的现状,着重介绍了叠层封装、系统级封装、晶圆级封装、硅通孔技术等一些新型的三维垂直封装技术在电子电路集成方面的进展及高密度3D芯片封装的前景。     

MEMS中的封装技术研究

MEMS中的封装工艺与半导体工艺中的封装具有一定的相似性 ,因此 ,早期MEMS的封装大多借用半导体中现成的工艺。本文首先介绍了封装的主要形式 ,然后着重阐述了晶圆级封装与芯片级封装[1] 。最后给出了一些商业化的实例     

MEMS中的封装技术研究

MEMS中的封装工艺与半导体工艺中的封装具有一定的相似性,因此,早期MEMS的封装大多借用半导体中现成的工艺.本文首先介绍了封装的主要形式,然后着重阐述了晶圆级封装与芯片级封装[1].最后给出了一些商业化的实例.     

高通和三星电子联手演示FLO技术

美国国家半导体公司（NS）日前推出一种称为micro SMDxt的全新芯片封装，这是原有的micro SMD封装的技术延伸，也是全新的晶圆级封装技术。     

系统级封装技术方兴未艾

本文论述系统级封装SiP与系统级芯片SoC的比较优势，重点介绍叠片式封装和晶圆级封装技术如何有效提高封装密度并解决了传统封装面临的带宽、互连延迟、功耗和总线性能等方面的难题。     

晶圆片级芯片规模封装技术(WLCSP)

本文主要介绍了一种新型的 CSP 高级封装——晶圆片级芯片规模封装技术(WLCSP)及其特点,并简述了 CSP 封装的主要特点及发展前景。     

MEMS中的封装技术研究

MEMS中的封装工艺与半导体工艺中的封装具有一定的相似性，因此，早期MEMS的封装大多借用半导体中现成的工艺。本文首先介绍了封装的主要形式，然后着重阐述了晶圆级封装与芯片级封装。最后给出了一些商业化的实例。     

扇出型晶圆级封装中圆片翘曲研究

在扇出型晶圆级封装工艺中,由于芯片材料与塑封料之间的热膨胀系数差异,晶圆塑封过程中必然会形成一定的翘曲.如何准确预测晶圆的翘曲并对翘曲进行控制是扇出型晶圆级封装技术面临的挑战之一.在讨论圆片翘曲问题时引入双层圆形板弯曲理论与复合材料等效方法,提出一套扇出型晶圆级封装圆片翘曲理论模型,并通过有限元仿真与试验测试验证了该翘...     

临时键合技术在晶圆级封装领域的研究进展

随着5G、人工智能和物联网等新基建的逐步完善,单纯依靠缩小工艺尺寸来提升芯片功能和性能的方法已经难以适应未来集成电路产业发展的需求。为满足集成电路的多功能化及产品的多元化,通过晶圆级封装技术克服摩尔定律物理扩展的局限性日趋重要。目前,在晶圆级封装正朝着大尺寸、三维堆叠和轻薄化方向发展的背景下,临时键合与解键合（TBDB）工艺应运而生。针对晶圆级封装领域可商用的TBDB技术,论述了不同TBDB工艺在晶圆级封装领域的研究进展及应用现状,明晰了不同TBDB技术所面临的挑战和机遇,提出了相应的解决方案,并展望了未来的研究方向。     

Infineon与日月光推更高集成度半导体封装

英飞凌科技和日月光近日宣布，双方将合作推出更高集成度半导体封装，可容纳几乎无穷尽的连接元件。与传统封装（导线架层压）相比，这种新型封装的尺寸要小30％。英飞凌通过全新嵌入式WLB技术（eWLB）成功地将晶圆级球阵列封装（WLB）工艺的优越性进行了进一步拓展。与WLB一样，所有操作都是在晶圆级别上并行进行，标志着晶圆上所有芯片可以同时进行处理。     

满足互连要求的无铅化工艺和材料

在走向无铅化的道路上，为了能够满足倒装芯片和晶圆级封装、SMT以及波峰焊接的需要，要求对各种各样的材料和工艺方案进行研究。为了能够满足电路板上的倒装芯片和芯片规模封装技术，需要采用合适的工艺技术和材料。采用模板印刷和电镀晶圆凸点工艺，可以实现这一目标。     

晶圆级封装微凸点脱落失效分析

随着晶圆级封装的技术发展,其可靠性倍受关注,微凸点的制备作为晶圆级封装实现高密度引出端的关键技术,其制备过程及可靠性至关重要,明确微凸点相关失效的原因对于提升微凸点的可靠性十分关键。针对晶圆级微凸点的拉脱异常失效进行了分析,采用SEM和FIB等分析手段,确定凸点拉脱强度由不足是UBM金属层失效所致,针对UBM失效的根本原因进行了分析,确定存放环境中的水汽对UBM种子金属的侵蚀情况,明确了失效机理,并提出了相关的改进措施,对于提高晶圆级封装微凸点制备的可靠性具备一定的指导作用。     

MicrochiP采用WLCSP和T0-92封装扩展UNI／OEEPROM产品线

美国微芯科技公司近日宣布推出单I／O总线UNI／OEEPROM器件并且开始供货,除了采用3引脚SOT-23封装,还提供微型晶圆级芯片封装和TO-92封装。规格为0．85mm×1．38mm的晶圆级芯片封装（WLCSP）约为一颗裸片大小,并能支持使用标准拾放机械的制造流程。长引线的3引脚TO-92封装通常用于手工组装工序制造流程或直接安装于电缆组件。     

IC封装

STATS ChipPAC与ST、Infincon合作开发eWLB晶圆级封装工艺；日月光计划在A股市场上市.