彩色PDP技术现况与发展

本文着重介绍彩色交流等离子体电视的技术现状和发展，讨论表面放电式PDP技术的发展和存在的问题以及当前研究的重点。此外，还介绍了东南大学研究开发的荫罩式PDP的特点，并与表面放电式PDP进行了比较。     

真空开关管的辉光放电清洗

真空开关管的辉光放电清洗辉光放电清洗用于真空开关管，清洗真空开关管的内部零件的表面。采用一种在内电极和其周围的铜栅极之间产生辉光放电现象的新技术。图１示出了辉光放电清洗的实验安排，内电极直径为５０ｍｍ，曲率半径为１０ｍｍ，材料是高导无氧铜，外壳由玻璃...     

覆铜板用基材CTI提升

线路板用绝缘基材的表面受到尘埃附着、水份结露或潮气和具有正负离子污染物的污染时，在外加电压作用下其表面的泄漏电流比干净的表面要大得多。该泄漏电流产生的热量蒸发潮湿污染物，使绝缘基材的表面处于不均匀的干燥状态，导致基材表面形成局部干燥点或干燥带。干区使表面电阻增大，这样电场就变得不均匀，进而产生闪络放电。在电场和热的共同作用下，绝缘材料表面碳化，碳化物电阻小，促使施加电压的电极尖端形成的电场强度增大，因而更容易发生闪络放电。线路间反复发生闪络放电产生电火花，进而形成炭化导电电路的痕迹，破坏基材表面绝缘性能，形成导电通道，产生漏电起痕。CTI即是反应绝缘材料表面在有电位差存在下形成碳化导电通路，使之失去绝缘性能的指标。CTI值越大其耐漏电起痕指数越高，绝缘性越好。     

GaAs表面S钝化方法：S气氛辉光放电法

本文报道了一种新的ＧａＡｓ表面Ｓ钝化方法──Ｓ气氛辉光放电法．用光致发光光谱（ＰＬ）结合俄歇电子能谱（ＡＥＳ）和Ｘ射线光电子能谱（ＸＰＳ）研究了辉光放电Ｓ钝化的ＧａＡｓ（１００）表面．结果表明，与未处理的样品相比，用该方法处理后的表面复合速率大大降低，ＰＬ强度提高了将近两个数量级，而且稳定．ＡＥＳ谱和ＸＰＳ谱测量结果表明用Ｓ气氛辉光放电的方法在ＧａＡｓ（１００）表面上形成了较厚的ＧａＳ薄膜．     

提高DC平面磁控溅射中靶材利用率的新方法

目前已得到广泛应用的DC平面磁控反应性溅射制备ZnO压电薄膜，由于靶面氧化和靶表面氧化物的沉积，导致放电电阻增加和靶表面的弧光放电，严重影响压电薄膜的生长和靶材利用率。该文介绍了一种采用稀硝酸对已被氧化的金属锌靶进行清洗的新方法，效果良好，靶材利用率提高3～4倍。     

AC PDP介质保护膜材料的选择

随着对交流等离子体显示板电压变化原因的探讨，新型表面保护材料的开发研究以及为除去污染而对制造工艺的调整，ＡＣＰＤＰ正在获得极好寿命特性。介质保护膜直接与放电气体相接触，其材料和表面状况是决定ＡＣＰＤＰ寿命及放电性的重要因素，因而保护膜材料的选择尤为重要。     

二次电子发射系数对新型SM􀀁PDP 放电过程的影响

针对新型荫罩式PDP(SM-PDP)结构，采用二维数值模拟的方法研究了二次电子发射系数对放电过程的影响；以及在放电单元不同的表面上，二次电子发射系数对放电过程影响。通过计算比较得知二次电子发射系数越大，响应频率越快，粒子电离率越高；在SMPDP中，二次电子发射主要是由粒子轰击放电单元内上下介质表面决定的。     

交流型等离子体显示器

PDP是利用气体辉光放电而发光的平板显示器件的总称。它属于冷阴极辉光放电器件，利用加在阴极和阳极间一定的交流电压，使气体产生辉光放电。ACPDP的特点是电极表面覆盖有介质层，使其与气体相隔离，这是与采用电极与气体直接接触的DCPDP的主要区别。     

带有放电去活化膜的新型高清晰度PDP放电体结构

本文介绍为实现高清晰度PDP显示而采用的一种新型放电体(cell)结构。技我们称为DDF(Discharge DeactiVation Film放电去活性膜)的透明Al2O3膜被附着在MgO表面上，它排列在相邻的包括公共电极的显示线之间的边界上。由于Al2O3膜的优良特性和较小的γi，所以在DDF上不发生放电，这对每个放电体的放电绝缘性和提高发光效率都有益处。     

μPD16337和μPD16305在PDP驱动电路中的应用

１引言等离子体显示按照电极结构分为直流型（DC－PDP）和交流型（AC－PDP）。目前大多数厂家都采用三电极表面放电AC－PDP，即采用A，X和Y三电极，在工作时电极之间施加交替脉冲信号，从而使放电单元的气体发生气体放电产生紫外线，激发荧光粉发光。PDP早在１９６４年就由美国Illinois大学的Bitzer和Slottow发明出来，但是直到２０世纪９０年代才获得迅速发展，这不仅应当归功于显示屏本身开发成功及生产技术的进步，也应当归功于驱动技术的发展，而驱动技术的发展又有赖于驱动集成电路的发展。２PDP驱动原理三电极表面放电型A…     

一种航天器有效载荷新型高功率微波开关

为了抑制空间高功率器件中微放电击穿,本文提出了一种表面多孔结构。通过在器件表面构造该多孔结构,实现对二次发射电子的禁锢,从而减小器件表面二次电子发射系数,提高微放电阈值。通过模拟分析不同金属材料表面的二次电子发射特性,结合波方程和电子动力学理论建立电磁粒子模拟算法,实现不同微观表面微波器件的数值模拟。使用偏置电流法测量不同条件下金属的二次电子发射数据。模拟计算一定功率电平下典型微波开关微放电的物理图像。测量给出不同银表面处理下的二次电子发射特性,并且模拟给出微放电阈值。模拟结果与实验结果吻合良好,证明了表面多孔结构对微放电的有效抑制。     

彩色AC-PDP充气的优化

综述充气成分、配比、压强对彩色ＰＤＰ特性的影响。利用辉光放电管和３英寸ＡＣ－ＰＤＰ表面放电模拟板,测得几种常用气体的ＤＣ放电巴邢曲线和ＡＣ表面放电的着火电压曲线。结果表明,对ＡＣ表面放电的电极系统不符合气体放电相似定律,其着火电压Ｕｆ也不符合巴邢定律。为提高亮度和光效,对表面放电ＡＣ－ＰＤＰ,充气压强应选在Ｕｆ＝ｆ（ｐ）曲线的右支。最后归纳ＡＣ－ＰＤＰ充气的优化步骤。     

沉积静电效应及防护研究

简述沉积静电的形成机理，介绍了沉积静电的3种放电形式：跳火花和电弧、表面流光放电、电晕放电；讨论了沉积静电的放电效应；通过对无沉积、轻度沉积、严重沉积3种静电条件下电磁场天线接收信号的分析，研究了沉积静电对导航系统的影响；针对沉积静电的危害，从沉积静电防护的目标和防护措施两方面讨论了沉积静电的防护对策。     

大电流多间隙真空触发开关的阳极烧损

本篇论文主要研究放电等离子体和六间隙真空开关的阳极棒之间的相互作用，此作用引起铜阳极棒表面融化和电极材料金属液滴的形成。使用高速摄像上阳极斑点的形成，确定了在不同放电电流下（从30kA到100kA)的斑点面积。本文介绍了一种在真空电弧的阳性斑点处的阳极表面融化和液滴形成的一维非静态模型。对工作的多孔隙真空开关在阳极上的烧损和对模型开关内放电的高速照片的观察显示由放电电流有质动力作用引起的融化和液滴形成的模型是正确的。     

用于抽运XeF(C-A)激光的分段表面放电辐射源

研制了用于抽运激光的分段表面放电辐射源。辐射源采用分段表面滑闪放电诱导长距离、线性等离子体通道大电流放电 ,实现了高亮度真空紫外辐射 (140～ 170nm) ,且各段总的放电分散时间小于 10 0ns。用该辐射源解离XeF2 获得了XeF (C A)激光输出     

荫罩式等离子体复合放电驱动波形的研究

提出了一种适合三电极荫罩式PDP结构的新型高效复合放电驱动波形.采用二维流体模型研究了三电极荫罩式PDP结构复合放电驱动波形的放电过程,分析了空间电位、壁电荷及带电粒子分布的演变情况.讨论了复合放电驱动波形维持期寻址电极电压对放电特性的影响,计算了维持期真空紫外辐射功耗、放电效率的变化趋势以及电子平均浓度随时间的变化关系,并与传统表面放电驱动波形比较.结果表明复合放电驱动波形在响应频率、放电强度和放电效率等方面均优于传统表面放电驱动波形.     

高重频YAG激光诱导放电毛化坑形貌研究

利用高重频YAG激光作用在固体表面所产生的等离子体使工件和电极之间在大气环境中,并且电压远低于击穿阈值的条件下产生可控定向放电,放电坑在工件表面形成一定的坑形分布,实现毛化加工.放电坑既有单坑结构,也有多坑结构,其形貌受到放电波形、电源极性、放电介质等因素的影响.研究了碳钢、铸铁、黄铜等材料的放电坑直径与电源参数的关系.     

彩色AC-PDP的制造材料和工艺

本文以富士通公司开发的三电极结构表面放电型AC-PDP为例，介绍彩色AC-PDP的制造材料和工艺。     

单脉冲激光诱导放电表面强化点的实验研究

采用45~#钢作为工件电极,钨合金作为工具电极,在不同放电电流、放电脉宽条件下,于空气中进行了单脉冲激光诱导放电实验.从表面形貌照片来看,放电点大致为圆形,坑表面较平坦,随着放电脉宽、放电电流的增大,强化点坑径、坑深随之增大.通过对实验数据的拟合,得到了强化点坑径、坑深随放电电流和放电脉宽变化的经验公式.获得的经验公式拟合效果好,相关系数高,可用来指导加工工艺的优化设计.     

激光诱导微弧放电对45#钢的表面强化

使用激光诱导微弧放电的方法对45#钢进行了表面强化.通过实验对比了高压诱导放电(HVGD)和激光诱导放电(LGD)两种表面强化方法.发现激光诱导放电使电极间隙的击穿电压降低了一个数量级,同时放电点和激光焦点重合,实现了对放电点位置的控制.在两种诱导放电过程中放电点的膨胀速度基本相同,但是受到初始放电点大小的影响,激光诱导放电点直径大于高压诱导放电点.在两种诱导放电过程中强化深度都存在最大值,约为180 μm.放电点的强化层山熔凝层和相变硬化层组成,其中熔凝层的硬度最高达到800 HV.