锗硅合金Y分支器的研制

本介绍采用半导体平面工艺研制的Y分支器．为减少分支处的幅射损耗．并考虑分支器波导耦合长度,Y分支器的分支角度设计值为2度。Y分支器的波导结构依据大截面理论决定。经激光测量系统测试,分支器角度辐射损耗值为2dB。     

SOI光波导传输机理及其损耗的研究

分析研究了ＳＯＩ光波导传输机理，并对其传输损耗进行了计算，加快ＳＯＩ光波导的实用化。     

单模光纤与Ti扩散LiNbO_3条波导耦合技术的研究

本文对Ti扩散LiNbO_3衬底的条波导与单模光纤的对接耦合的损耗进行了理论分析,并做了耦合实验的研究。对耦合测试装置提出了加工精度要求。     

酸诱导液相沉积法制备二氧化锗基空芯光波导

采用酸诱导液相沉积法在石英玻璃管内壁生长了二氧化锗内反射膜,GeO2能够与OH-离子反应生成可溶性锗酸根离子,从而使GeO2在氨水和氢氧化钠溶液中的溶解度大大提高。通过向所合成的锗酸根离子前驱液中加入酸,使锗酸根离子被逐步分解为GeO2溶质析出。将酸化的锗酸根离子水溶液通入石英毛细管,可在毛细管内壁上逐渐液相沉积生长出GeO2陶瓷膜。将试样在GeO2的熔点(1 115℃)附近热处理,可以得到致密的GeO2膜。实验结果表明GeO2-氨水体系制备的GeO2空心光波导对二氧化碳激光的直线传输损耗为0.9～2.44dB.m-1。当前驱体的固含量(质量分数,下同)从5%增大到7%制备的二氧化锗空芯光波导的传输损耗降低,前驱体的固含量为8%和9%制备的空芯光波导的传输损耗大于固含量为7%。     

用棱镜耦合法测量薄膜波导光损耗的研究

根据多模导波在薄膜波导中输时的光损耗理论，利用棱镜耦合法测量了光刻胶波导中的光损耗，并根据测量结果讨论了光刻胶的传输特性。     

波导短程透镜和单模光纤的耦合

本文建立了波导短程透镜的模场分布函数,给出了波导短程透镜和单模光纤的耦合效率表达式,同时在实际中测得波导短程透镜和光纤的耦合损耗大约为7db.     

平面掩埋式自聚焦光波导的设计

设计技术是研究平面掩埋式自聚伪光波导的基础，自聚焦光波导性能的高低和质量的优劣、与设计工作有着直接联系，分析了对波导基片玻璃的选材要求，研究了波导形状的设计，推导了圆弧要切连接波导中各参量之间的关系，给出了设计的数学表达式。     

基于SOI的硅光波导电子束光刻工艺参数对结构的影响（英文）

电子束光刻是纳米级硅光波导制作过程的关键工艺,本文以顶层硅220 nm的SOI晶圆为衬底研究了电子束光刻的主要工艺参数—曝光剂量对显影后的PMMA(聚甲基丙烯酸甲酯)正性抗蚀剂结构轮廓的影响,根据测量结果分析曝光剂量与显影后结构图形宽度的关系,找到最佳曝光剂量220μC/cm2以便通过后续工艺得出与掩膜尺寸一致的最终结构。同时,依据图像分割曲线跟踪技术对剂量测试结果图进行轮廓提取处理,分析掩膜设计值和曝光剂量与边界轮廓二维粗糙度之间的关系,为后续相同衬底材料的电子束光刻提供参考意义。     

SOI脊形光波导的设计与研制

利用有效折射率的数值解法,计算出了SOI脊形光波导的有效折射率,由此得到SOI脊形光波导传输单模光波时内外脊高b,h及脊宽W的尺寸,在此基础上研制了SOI光波导,测得其传导损耗为0．87dB/cm.     

KBr单晶的生长及其光学性能的研究

本文采用CZ法生长KBr单晶，设计了合理的温场，探索了最佳的生长工艺条件，生长出了高透过、低吸收的Ф110～120×100～110mm大尺寸的KBr单晶，并讨论了影。向其光学性能的各种因素。     

铜锡合金/高密度聚乙烯导电复合材料的制备与性能研究

主要研究以铜锡合金以及经偶联剂处理的铜锡合金作为导电填料通过球磨法添加到高密度聚乙烯基体中制备的复合材料的导电性能。DSC分析表明随着铜锡合金含量的增加,复合样品的熔点及结晶度均呈现上升的趋势,而经偶联剂处理后,复合样品的熔点及结晶度较未经偶联剂处理的样品有降低的趋势,且随着偶联剂含量的增加,样品的熔点及结晶度降低;导电性能测试结果表明随着铜锡合金含量的增加,复合样品具有更好的导电效果,且经过偶联剂处理的铜锡合金较未经偶联剂处理的铜锡合金具有更好的导电性能。     

铝锌高阻尼合金板材的成分与冷加工率对阻尼性能的影响

本文论述了在共振频率和较低频率条件下铝锌高阻尼合金板材的化学成分与冷加工率对阻尼性能的影响．结果表明：为了获得高的阻尼性能，必须选用较高的含锌量和较高的冷加工率．     

基于C／S模式的HIS的设计与实现

论述了一个基于C／S模式的医院信息系统的设计与实现，通过对医院信息系统的分析，详细介绍了其网络拓扑结构、系统功能模块、数据库设计和软件设计方法。     

基于系统上升时间预算的高速光传输系统设计与仿真

传统光传输系统设计多针对低速率传输系统,单一采用光功率分配预算即可满足系统设计要求。随着光传输速率和光通信容量的不断增加,高速光传输系统受色散影响严重,传统方法无法满足系统可靠性和有效性的要求,需要对系统色散进行补偿。针对系统大容量高速率的需求设计,采取DWDM光传输系统总体设计方案,提出了一种基于光功率分配、传输误码率、系统上升时间和线路色散预算的综合性能评价方法,分析了系统受各种因素的影响,通过系统参数优化选取与仿真设计,给出了系统仿真评估结果。     

基于单片机的液晶显示模块硬软件设计开发

本文主要介绍了液晶显示模块MGLS240128T与单片机的软硬件接口技术,讨论了单片机与液晶显示屏的直接与间接接口技术,编制接口软件实现了数字、字符及汉字的显示,并解决了显示的定位和平移问题,为其在智能仪表中的应用提供了一种可借鉴的方法。     

单片机防盗报警系统的设计

本文设计了一个简单的单片机防盗报警系统,并从电路构成、工作原理、功能特点等方面对 其进行了介绍。     

故障诊断的单传感器检验关系方法及鲁棒设计

本文提出了一种诊断传感器故障的单传感器检验关系（ＳＳＰＲ）方法，给出了具有最小时间跨度的ＳＳＰＲ表达式；通过引入两个定理，提出了一种同时计算最小时间跨度和检验关系系数向量的反向稳定的计算方法；最后讨论了系统不确定参数对计算结果的影响，并给出了在已知系统不确定量范围条件下ＳＳＰＲ的鲁棒设计方法     

英国谢菲尔德大学实训项目开关电源的设计与实施

以开关电源的实训项目为实例,详细论述了谢菲尔德大学的学生实训项目的开发过程以及实施过程,并给出了项目实例开关电源的设计与实施的全部过程,对国内的项目实训的组织与实施提供了比较好的借鉴用途。     

高温固相反应法制备CaS:Eu2+,Sm3+光存储材料及其性能研究

采用高温固相反应法在还原气氛下制备了CaS：Eu^2 ，Sm^3 光存储材料，研究了工艺因素(灼烧温度和灼烧时间)对样品性能的影响。XRD图谱表明，样品在700℃就可以形成CaS晶格。光谱分析表明，在紫外光激发后，用980nm半导体激光照射样品，具有光激励发光现象。