EBIC测定GaP LPE样片的少子扩散长度

少数载流子扩散长度(L)是半导体材料的一个重要参量,它反映了晶体的完整性,与晶体的结晶质量、掺杂及晶体缺陷等有关.扫描电子显微镜(SEM)的电子束感生电流(EBIC)被广泛地用于测定少子扩散长度,其优点是通过改变电子束的加速电压,就能精确地控制激发源的大小和深度,从获得的EBIC扫描曲线,拟合得到L值[1～3].GaP是目前商用绿色LED的主要材料,市场需求量很大,但对其重要参量少子扩散长度的测量却很少.本工作利用EBIC对一组GaP绿色LED用LPE样片进行少子扩散长度测量.     

半导体器件物理量的测定

一、引言 扫描电子显微镜的电子束感生电流技术广泛地用于测量半导体的物理量。本文主要介绍利用这种电子束感生电流信息确定PN结的位置,测量平面器件PN结的结深,测量半导体表面载流子的复合速度,确定材料局部区域少数载流子的扩散长度和寿命,测量PN结的耗尽区宽度,研究PN结耗尽区宽度与偏置电压的关系。由于它是一种近年来最新的技术,其原理是基于电子束与固体的相互作用,这种相互作用过程直接反应了半导体的结构和特性,因而可以用它进行半导体材料研究,半导体器件新机理的研究,表面科学的研究以及半导体器件可靠性的研究。为推广这种技术的应用,提高半导体器件水平,我们向读者介绍一下这种电子束技术,报告我们的研究成果。     

扩散pn结扩散p区中平均少子扩散长度的测定

本文分析了用表面光压(SPV)法测量扩散pn结扩散p区中平均少子扩散长度的可行性,给出了有效少子扩散长度L_0与结深x_i、扩散区及衬底少子扩散长度L_1、L_2的关系曲线;提供了一种确定扩散区少子扩散长度的方法。     

电子束感生电流样品台

我们曾对普通样品台进行了改造,使得电子束感生电流信号(EBIC)的观察简易可行,此方法有四个自由度移动样品,“R”旋钮起开关作用,p—n结的引线接于样品台上。本文在上述研究的基础上加以改进,提出一种实用的电子束感生电流样品台,它解决了前者EBIC信号引出方法的弊端,不需接引线,样品移动不受限制。     

1.3μm InGaAsP/InP DH LED的SEM分析

本文利用扫描电镜(SEM)对1.3μmInGaAsP/InP DHLED的电学特性参数进行了分析。对影响输出功率的诸因素进行了理论分析和数学计算,绘出了一套曲线,并大量观测了p-n结结位、有源层厚度和均匀性对输出功率和上升时间的影响。本文首次利用扫描电镜的电子束感生电流(EBIC)信号对DHLED中InGaAsP有源层的少子扩散长度进行非破坏性的测量、计算。编拟了专用计算程序“DLSEM”,使这项测量工作实现了快速、简便和精确。     

用微波光电导谱仪测量p—n结少子扩散长度

用微波光电导谱仪测量了一些pn结样品的微波光电导谱(MPCS),对于每一块样品光分别从p面和n面入射,因而可以测得不同的谱;讨论了从pn结的MPCS中计算p区、n区少子扩散长度的方法,并用计算机拟合得到这些样品的p区、n区少子扩散长度和表面复合速度等参数;由于是无接触测试,因此本方法可作为某些pn结器件制造工艺过程中寻找最佳工艺条件的一种监测手段。     

非均匀光增益层所产生的噪声(英文)

由表面发射激光放大器和检测器组成的光接收器的噪声因任何增益的非均匀性而增加。如果用G(x,y)表示在点x,y处表面发射激光放大器的功率增益;用I(x,y)表示入射光强,则噪声增强因子K＇等于,其中积分对x,y从-∞到+∞区域进行。最佳值1仅当G=常数时得到。     

印制电路设计原理与方法（Ⅱ）

3 布局设计 3.1 坐标系、网格及通道 双面或多层印制电路板的设计是三维空间问题。一般都采用(x,y,z)直角坐标系。x,y处于印制电路板面所在的平面内,z是垂直于板面且指向上表面方向。在印制电路板上任一点数据都是以(x,y,z)表述。其中x,y是相对于原点的坐标值,z是印制电路板的层号。 PCB设计都引入网格概念。网格是间距为2.50mm(公制)或0.1inch(英制)的正方形。由于早期的元器件端接腿距都是以2.50mm或0.1inch为标准,所以引入网格概念有利于PCB     

NTD硅单晶的扫描电子显微镜研究

中子嬗变掺杂(NTD)硅单晶具有轴向和径向电阻率均匀、掺杂目标电阻率精确及无微电阻率结构等重要特点,用这种材料制得的高压整流元件具有雪崩特性好、电压分散小、等级合格率高和过载能力强等电学特性。本文用扫描电子显微镜的束感应电流(EBIC)象和吸收电流象(AEI)分别观察了NTD硅单晶和区熔硅单晶高压整流元件PN结的平整度、结深、耗尽区内的缺陷特征及其分布和少子扩散长度的变化,从而直观地显示出它们的电学特点。     

分子束外延生长ZnSe p-n结的蓝色电致发光

利用光致发光光谱的方法研究了分子束外延生长氧掺杂ZnSe的光学特性。结果发现氧在ZnSe中作为一种等电子杂质起受主的作用,这种作用与通常使用的掺杂剂如氮所起的作用相同。由ZnSe p-n结得到了蓝色电致发光。Ga和O分别用作n型和p型ZnSe的掺杂剂。电子束感生电流(EBIC)的结果有力地证实了p-n结的形成。室温下46(?)0(?)和77K下44600的带边发射在p-n结的电致发光光谱中占主导地位。