电子封装中钨铜材料的钎焊问题研究

本文主要叙述电子封装中钨铜材料钎焊工艺中焊缝及材料腐蚀等质量缺陷，分析研究了各种焊接缺陷出现的原因及现象，解决电子封装中钨铜材料钎焊工艺中出现的各种焊接外观的问题。     

电子封装材料用金刚石/铜复合材料的研究进展

电子技术的快速发展对封装材料的性能提出了更严格的要求.针对封装材料的发展趋势,金刚石/铜复合材料作为新一代的电子封装材料受到了广泛的重视.概述了金刚石/铜复合材料作为封装材料的优良性能及其制备工艺进展,并对其发展方向进行了展望.     

一种环保型电子封装用复合材料

以平均粒径10 μm高纯Si颗粒为增强体,以A1-Si20为基体,采用挤压铸造专利技术制备体积分数为65%的高体积分数环保型Sip/A1-Si20复合材料.试验结果表明:复合材料的铸态组织均匀、致密,没有明显的颗粒团聚和偏聚,也不存在微小的孔洞和明显的缺陷;Sip/A1-Si20是轻质(密度为2.4 g/cm3)、低膨胀(7.77×10-6/℃)、高导热(156.34W/m.℃)复合材料,电导率为4.08 MS/m,具有较高的比模量和比强度,可以对其进行镀Ni和封装焊接,能较好的满足电子封装和热控器件的使用要求.     

我国大规模集成电路封装材料实现突破

前不久，中国科学院化学研究所成功开发出可用于超大规模集成电路(VLSI)先进封装材料——光敏型BTPA—1000和标准型BTDA—1000聚酰亚胺专用树脂，并已申请7项国家发明专利。目前，国内多家半导体企业和科研院所准备将这种新型树脂用于芯片及光电器件的制造，年产几十吨的工业中试装置正在建设，可望于今年7月投产。     

粉末冶金法制备AlSiC电子封装材料及性能

采用粉末冶金法制备了一定粒径分布的SiC颗粒体积分数不同的AlSiC电子封装复合材料。实验结果表明:材料微观组织致密,颗粒分布均匀。复合材料的平均热膨胀系数、热导率和弯曲强度都随SiC含量的增加而降低,抗弯断口以脆性断裂为主要断裂模式。     

高温环境下封装有相变材料的热沉结构优化

高温环境下工作的封装有相变材料的热沉,一方面利用固液相变潜热存储系统吸收电子器件散发的热量,另一方面还要吸收从高温环境传递过来的热量。热沉结构的几何外形是影响上述两个热量传递的关键因素。以热沉总体尺寸、边界条件、热沉和相变材料为约束条件,热沉基部最高温度到达临界温度的最大时间为优化目标,通过数值模拟,获得了热沉翅片高度和宽度、热沉基部宽度和厚度的优化值,优化值兼顾了热沉传热效率和蓄热能力两个方面,并对优化过程中的热沉进行了传热分析。     

LBGA336P封装材料对其热性能的影响

随着科技的不断发展,电子设备变得更加高效、稳定、集成度更高,热性能对封装电子产品的可靠性影响越来越大。据统计,约55%的电子设备的失效是由高温引起的,器件的工作温度平均每提高10℃,设备失效的可能性将提高1倍。通过对一款采用低截面球栅阵列封装形式(LBGA)的微处理器封装产品(LBGA336P)进行有限元分析,得出粘片胶热导率、粘片胶厚度、环氧树脂塑封料热导率及印刷线路板(PCB)顶层铜含量的变化与封装热阻之间的影响关系。通过分析LBGA336P各部分材料参数变化对封装热性能的影响,为封装热阻的仿真分析及电子元器件散热优化提供参考思路。     

新一代绿色电子封装材料

随着环境、健康问题成为全球的关注焦点,电子封装材料和工艺面临着向“绿色“转变的挑战.文章讨论了电子封装无铅焊料、无铅涂层、印制电路敷铜基板阻燃剂、环保型清洗的研究状况,并指出了进一步开发需要注意的问题和发展的方向.     

一种环保型电子封装用复合材料

采用挤压铸造专利技术制备了体积分数为65%高纯Si的环保型Sip/Al-Si20复合材料。试验结果表明:复合材料的铸态组织均匀、致密,没有明显的颗粒团聚和偏聚,也不存在微小的孔洞和明显的缺陷;Sip/Al-Si20是一种轻质(密度为2.4g/cm3)、低膨胀系数(7.77×10-6℃-1)、高热导率[156.34W/(m·℃)]复合材料,电导率为4.08MS/m,具有较高的比模量和比强度;Sip/Al-Si20复合材料可以进行镀Ni和封装焊接。     

封装有相变材料的热沉结构对电子器件高温保护的传热分析

电子器件在工作过程中有可能由于突增电流而产生大量的热量,利用固液相变潜热存储系统,可以使得电子器件在一定的时间内保持相对平稳的温度,从而达到高温保护的目的。针对一种封装有相变材料的热沉结构在自然对流冷却条件下的传热特性进行了理论分析,得到了热沉、相变材料和空气的平均温度及相变材料的相变过程,并对比分析了同一热沉结构和自然对流冷却条件下,在不同热流密度下高温保护时间以及对流换热特性。     

电子封装用SnAgCuGa钎料的改性

针对SnAgCu钎料存在的熔点偏高、润湿性较差等不足,研究了不同Sb含量对SnAg3.5Cu0.7Ga1钎料性能的影响。结果表明,随着Sb含量的增加,SnAg3.5Cu0.7Ga1钎料的固液相线呈增长趋势,但均低于230℃;Sb含量添加0.5%时,SnAg3.5Cu0.7Ga1合金在240℃无卤素松香助焊剂下润湿性变化不大,当Sb含量达到1.0%以上时,SnAg3.5Cu0.7Ga1合金的润湿性随着Sb含量的增加而提高。添加少量的Sb可以提高SnAg3.5Cu0.7Ga1无铅钎料的抗氧化性,随着Sb含量的增加,产生裂纹时的循环次数依次增加,可以提高钎焊铜合金接头的热疲劳强度。     

铜-硼/金刚石复合材料翅片热沉散热研究

采用气压浸渗法制备了热导率为850 W ? m-1 ? K-1的铜-硼/金刚石复合材料翅片热沉,测试了其在自然冷却、强迫风冷和强迫水冷三种冷却模式下的散热效果.结果表明,热源功率越高,铜-硼/金刚石复合材料的散热效果越显著.在强迫水冷模式下,当加热片的输入功率为80 W时,使用铜-硼/金刚石复合材料翅片热沉时加热片的最高温度比使用铜翅片热沉时低14℃,比使用铝翅片热沉时低23℃.Icepak热模拟发现,在强迫水冷模式下输入功率为80 W时,与铜和铝翅片热沉相比,铜-硼/金刚石复合材料翅片热沉的整体温度更低且温度分布更均匀.研究结果证实,铜-硼/金刚石复合材料是一种高效的散热材料,在大功率电子器件散热中具有广阔的应用前景.     

电子封装技术和封装材料

本文介绍了电子封装的各种类型，综述了电子封装技术与封装材料的现状及发展趋势，重点讨论了高热导ＡＩＮ基片金属化及ＡＩＮ－Ｗ多层共烧工艺。     

新型封装材料与大功率LED封装热管理

高效散热封装材料的合理选择和有效使用是提高大功率LED(发光二极管)封装可靠性的重要环节。在分析封装系统热阻对LED性能的影响及对传统散热封装材料性能进行比较的基础上,阐述了金属芯印刷电路板材料、金属基绝缘板材料、陶瓷基板材料、导热界面材料和金属基复合材料结构特点、导热性能及其封装应用实例。指出了封装材料的研究重点和亟待解决的问题。     

航空航天用电子封装材料及其发展趋势

随着航空航天领域的迅速发展,其应用的电子器件不断微型化、高度集成化,并且可靠性要求越来越高,其电子封装材料具有更高的热导率及与芯片热膨胀系数的匹配性,还要求其电子封装材料具有更低的密度。BeO、AlN、Al/SiC与AlSi由于具有高热导率、低密度及与芯片材料良好的热膨胀匹配性,非常符合航空航天用电子封装材料的发展趋势,并已经逐步在取代常用的一些封装材料。重点介绍了四种材料的性能优势,以及它们之间的性能对比与应用前景分析。     

超高速GaAs集成电路封装材料、工艺和结构的研究

着重描述了新型莫来石材料的性能、工艺方面的进展情况，探讨了新的封装结构对封装性能的影响，最后得到的封装外壳可很好地满足ＧａＡｓ超高速集成电路的封装要求。     

芯片封装用电子结构材料的现状与发展

综述了芯片封装用结构材料的现状及市场需求。展望了该材料的今后发展趋势。     

电子封装材料——EMC综述

本文主要是针对目前电子封装材料的主流——EMC(环氧模塑料)的发展现状，从EMC的发展历程、EMC的主要组分、EMC的典型制造工艺以及EMC的未来发展趋势等方面，对EMC进行全面的综述。