集成电路工艺及器件模拟研究的新进展

集成电路工艺及器件模拟是缩短集成电路工艺及器件设计周期、节省设计成本、提高设计精度的关键技术;同时,这项研究还能深化集成电路工艺及器件物理的研究,得到人们目前还不能用实验手段得到的有关信息。     

集成电路工艺和器件模拟的进展

过去20年,从全世界范围看,集成电路得到了迅速的发展。从60年代中的简单门电路和运放等产品开始,经历了70年代以微处理器和模拟数字转换器为代表的发展。在80年代的今天,多兆位高速静态存贮器标志着数字电路的进展,新电子产品开发的广泛需要,促进了专用集成电路的迅猛发展。在上述集成电路的发展中,集成电路的计算机模拟技术已起了重要作用。     

集成电路工艺和器件一体化模拟的实用化研究

<正> 一、引言 在工艺和器件模拟方面,已出现许多优秀的模拟器,如:SUPREM,SEDAN,MINIMOS,PISCES等,可用于指导IC的设计和生产。国内集成电路工厂迫切需要用计算机来实现工艺、器件的一体化模拟,以加快集成电路工业的发展。 本文将一些工艺与器件模拟器联为一体,对国内几种典型电路产品进行了全过程模拟,模拟结果确证了产品参数,对工艺流程提出了合理建议。     

模拟集成电路中的保护电路分析

本文主要介绍了模拟集成电路中各种保护电路的工作原理,并对常见集成电路中的保护电路作了详细分析。     

基于可编程模拟器件的模拟电路及其应用

ispPAC系列模拟器件是美国Lattice公司最新推出的模拟电路在系统可编程器件，它为电子电路设计者提供了1条有效的新途径。通过介绍系统可编程器件的结构特性、工作原理、设计流程以及实现技术，提出使用该器件实现双2阶滤波器的方法。     

CMOS集成电路工艺评价及可靠性评估电路规范设计

本文对ＣＭＯＳ集成电路工艺评价及可靠性评估电路规范设计技术进行了详细的论述，包括评估电路图形库的建立、版图布局的规范设计、测试试验方法规范化等，使工艺评价ＰＣＭ和可靠性评估ＲＥＭ测试结构发展成为工艺监测、工艺控制和可靠性评估的实用技术。     

pH-ISFET器件及其电路的SPICE模拟方法

本文提出用SPICE软件模拟pH-ISFET器件及其电路的方法。通过SPICE内部的MOSFET参数和引入一些信号源来实现对pH-ISFET传感器及其电路的pH灵敏度关系、瞬态响应以及温度特性的模拟,所得结果与实验观测结果基本相符。     

浅谈CMOS模拟集成电路版图设计的器件匹配方法

基于模拟集成电路版图设计中的器件不匹配问题,对版图设计中的器件匹配的方法、技巧以及需要注意的问题进行总结,并结合一个运放的版图设计实例详细阐述了版图设计的基本器件匹配方法与技巧。     

模拟电路阵列及其半定制专用集成电路实现

与门海数字电路阵列相类似 ,模拟电路阵列也是半定制集成电路设计的母体形式的一种。首先介绍了母体单元结构布局 ,然后描述了其电路的实现。在以上模拟电路阵列母体上 ,成功地实现了很多专用的模拟电路     

第二代半导体材料、器件及电路的发展趋势

砷化镓(GaAs）、磷化铟(InP）、硅锗(SiGe）单晶性能优异。适用于高速、高频、高温和大功率电子器件，是制作高性能微波和毫米波器件及电路的优良材料，广泛应用于相控阵雷达，电子对抗，卫量通信、移动通信等领域，具有广阔的军民两用市场和发展前景，对发展微电子工业起着关键作用。     

适用于数字CMOS集成电路的模拟相位测量电路

适用于数字ＣＭＯＳ集成电路的模拟相位测量电路＝ＡｎａｌｏｇｐｈａｓｅｍｅａｓｕｒｉｎｇｃｉｒｃｕｉｔｆｏｒｄｉｇｉｔａｌＣＭＯＳＩＣ＇ｓ［刊．英］／Ｒｏｔｈｅｒｍｅｌ．Ａ．…ＩＥＥＥＪ，ｓｏｌｉｄ－ＳｔａｔｅＣｉｒｃｕｉｔｓ．－１９９３，２８（７）．...     

适用于高压集成电路SPICE模拟的高压器件模型设计

对高压/功率器件,根据其独特的特性,本文提出并论证了一种新型的、适用于通用SPICE物理模型的模拟方法。模拟过程是在没有调整模拟程序代码的情况下,通过利用用户定义的受控程序源,引用一个已定义的子程序来实现的。该子程序定义模型的方程组(不一定以显式)。但是,对描述器件中累积电荷和与端电压相关的准静态端电流的模型方程来说,其联立解要受到SPICE2结点分析的影响。本文通过对一种特殊高压器件(IGT)的模拟。证实了这种方法的可行性。在模拟IGT(绝缘栅晶体管)过程中,对电导率调制和闭锁效应都作了考虑。文中讨论了IGT开关电路的直流和瞬态特征的SPICE模拟方法,并给出了一些具有代表性的测量结果。通过模拟IGT双极/MOS混合结构的动态、静态闭锁效应,论证了HVICCAD(高压集成电路计算机辅助设计)方法的灵活性。     

模拟集成电路

顾名思义模拟集成电路是处理模拟信号的集成电路,它是非线性集成电路,包括乘法器和模拟开关等。模拟电路以使用的频率和使用功能,使用特性等各种分类。从另一个观点看,由     

面向石墨烯霍尔器件检测应用的模拟前端电路

面向石墨烯霍尔器件的检测应用,设计了一款斩波稳定的模拟前端电路。基于可编程斩波放大器和2阶斩波Σ-Δ调制器进行设计,获得了良好的噪声性能和较大的输出动态范围。采用SMIC 0.18 μm 1P6M混合信号工艺实现,电路整体面积为1.84 mm²。测试结果表明,在电源电压为3.3 V,信号带宽为50 Hz条件下,该模拟前端电路的典型输出信号失真比达到58.4 dB,有效精度为9.4 位,整体功耗仅为1.32 mW,磁场检测分辨率可达4.4×10-5 T。     

pH—ISFET器件及其电路的SPICE模拟方法

本文提出了用ＳＰＩＣＥ软件模拟ｐＨ－ＩＳＦＥＴ器件及其电路的方法。通过ＳＰＩＣＥ内部的ＭＯＳＦＥＴ参数和引入一些信号源来实现对ｐＨ－ＩＳＦＥＴ传感器及其电路的ｐＨ灵敏度关系，瞬态响应以及温度特性的模拟，所得结果与实验观测结果基本相符。     

一个适用于模拟电路的深亚微米SOIMOSFET器件模型

从数值解源端和饱和点的表面电势出发 ,考虑模拟电路对 SOI MOSFET模型的一些基本要求如电荷守恒、器件源漏本征对称、各个工作区间连续并且高阶可导以及全耗尽和部分耗尽两种工作模式的转变 ,构建了一个能够满足这些要求的精确的器件模型 .同时包含了深亚微米 SOI MOSFET的一些二级效应如漏极诱生势垒降低效应 (DIBL )、速度饱和效应、自热效应等 .这个模型的参数相对较少并且精确连续 ,能够满足在模拟电路设计分析中的应用要求     

噪声电路理论及集成电路噪声计算

本文建立了适合于具有大量噪声源并考虑噪声源相关性的复杂网络的噪声分析计算理论,并编制了基于该理论的网络噪声分析与低噪声设计程序,给出了对集成运算放大器μA741的计算分析结果,得到了μA741集成运放的最小噪声工作状态下的最佳工作参数。     

CMOS数字集成电路的器件设计

本文对CMOS数字集成电路提出一种比较简捷和通用的器件设计方法。采用这一方法设计的电路,已经大量用于生产,其中包括采用国际标准的电路。实践表明:该法可以省去设计工作中的繁复计算,并在性能参数方面做到一次试投成功。避免了多次试验改版,给新品研制带来较大的效益。 一、特性方程及其工艺参数 任何复杂的CMOS数字集成电路,都是由基本单元电路组成的。基本单元电路的性能,又取决于MOS晶体管的特性。采用一维模型,MOS晶体管的特性可用下列方程表示: