一种桥式拓扑结构下MOSFET高速驱动电路

针对桥式拓扑中MOSFET因栅极驱动信号振荡产生的桥臂直通问题,分析了振荡与驱动电路各参数之间的关系,并设计了一种驱动电路。该电路结构简单、工作频率高、延迟时间小、抗干扰能力强,因而非常适用于高频感应加热电源。理论分析和实验结果表明,经过改进的驱动电路解决了驱动信号振荡问题,从而保证了MOSFET在高速应用场合的可靠运行。所设计的电路已应用于530kHz/2.5kW感应加热电源,实验波形证明了其合理性和有效性。     

SiC MOSFET驱动电路设计与实验分析

为使SiC MOSFET在应用中安全可靠的工作,通过对SiC MOSFET开关特性的分析,设计了一种SiC MOSFET驱动电路。该电路具有结构简单、实用性强、速度快、输出功率大等特点。另外,在高功率、高频等特殊环境下工作,为了提高SiC MOSFET的可靠性,还对器件过载保护电路进行研究。通过Pspice软件仿真实验,发现过载保护电路可以有效地保护器件不受损坏。最后,搭建双脉冲实验平台,验证驱动电路的基本功能并测试采用不同栅极电阻时对SiC MOSFET开关特性的影响。实验结果表明:该电路具有良好的驱动能力。     

SiC MOSFET驱动电路设计与实验分析北大核心

为使SiC MOSFET在应用中安全可靠的工作,通过对SiC MOSFET开关特性的分析,设计了一种SiC MOSFET驱动电路。该电路具有结构简单、实用性强、速度快、输出功率大等特点。另外,在高功率、高频等特殊环境下工作,为了提高SiC MOSFET的可靠性,还对器件过载保护电路进行研究。通过Pspice软件仿真实验,发现过载保护电路可以有效地保护器件不受损坏。最后,搭建双脉冲实验平台,验证驱动电路的基本功能并测试采用不同栅极电阻时对SiC MOSFET开关特性的影响。实验结果表明:该电路具有良好的驱动能力。     

一种用于功率MOSFET的谐振栅极驱动电路

介绍了一种用于功率MOSFET的谐振栅极驱动电路。该电路通过循环储存在栅极电容中的能量来实现减少驱动功率损耗的目的 ,从而保证了此驱动电路可以在较高的频率下工作。通过实验 ,证明了这种电路的正确性和实用性     

带驱动变压器的MOSFET驱动电路的研究

介绍了一种带驱动变压器的功率MOSFET驱动电路，通过对功率MOSFET输出特性曲线的分析，说明了设计功率MOSFET驱动电路的一般原则，重点分析了隔离变压器初级隔直电容的作用及选择方法，做了仿真分析及实验验证，证明了所设计的驱动电路的正确性。     

一种功率MOSFET半桥驱动电路设计

设计了一种用于MUPS装置的功率MOSFET半桥驱动电路,该电路基于TC4420芯片配合SG3525芯片作为驱动和控制模块,提高了逆变器驱动电路正常运行的稳定性。揭示了该MOSFET驱动电路的机理,设计计算了控制和驱动芯片外围电路及主要参数。并通过软件Saber搭建了该模块的仿真模型,仿真结果证明了该驱动电路的可行性。     

功率MOSFET高速驱动电路的研究

基于特定情况下对驱动电路特殊的要求,介绍了一种输出电流大,带负载能力强的MOSFET高速驱动电路。对电路的工作特性进行了详细的讨论,并给出了不同频率下该电路的实验结果。     

功率MOSFET驱动保护电路设计与应用

分析了对功率MOSFET器件的设计要求;设计了基于EXB841驱动模块的功率MOSFET驱动保护电路。该电路具有结构简单,实用性强,响应速度快等特点。在电涡流测功机励磁线圈驱动电路中的实际应用证明,该电路驱动能力及保护功能效果良好。     

一种新型高频感应加热用驱动、保护电路

本文研究了一种电压型高频感应加热电源用MOSFET驱动电路,它结合IXDD414CI驱动芯片进行设计,结构简单、工作频率高、成本低、易实现、可靠性好、抗干扰能力强。可用于400kHz／10kW的MOSFET感应加热逆变电源中。实验结果证明,电路驱动波形良好,能保证功率MOSFET安全、可靠地运行。     

一种新型高频感应加热用驱动和保护电路

研究了一种电压型高频感应加热电源用MOSFET驱动电路,它结合IXDD414CI驱动芯片进行设计,结构简单、工作频率高、成本低、易实现、可靠性好、抗干扰能力强。用于400kHz/10kW的MOSFET感应加热逆变电源中,给出的实验结果证明驱动波形良好,能保证功率MOSFET安全、可靠地运行。     

一种新颖的MOSFET驱动电路

列出了几种常用的功率MOSFET驱动电路,在说明其共同不足的同时,详细分析了电荷泵电路的工作原理,阐明了其在MOSFET驱动电路中的应用。实验结果表明,电荷泵电路非常适合MOSFET的驱动电路。     

桥式电路中不同封装SiC MOSFET串扰问题分析及低栅极关断阻抗的驱动电路

由于SiC MOSFET开关速度较快,使得桥式电路中串扰问题更加严重,这样不仅限制了SiC MOSFET开关速度的提升,也会降低电力电子装置的可靠性。针对SiC MOSFET的非开尔文结构封装和开尔文结构封装的串扰问题分别进行分析,栅漏极结电容的充放电电流和共源寄生电感电压均会引起处于关断状态开关管的栅源极电压变化。提出一种用于抑制串扰问题的驱动电路,该驱动电路具有栅极关断阻抗低、结构简单、易于控制的特点。分析该驱动电路的工作原理,提供主要参数的计算方法。最后通过实验测试了两种结构封装SiC MOSFET的串扰问题,并且对提出的驱动电路进行了实验,验证了其正确性以及对串扰问题的抑制效果。     

基于UC3724/25的功率MOSFET驱动电路设计

本文介绍了专用驱动芯片组UC3724／25的主要特点和原理，并对其构成的功率MOSFET驱动电路进行了分析和实验。实验结果表明，该集成驱动电路具有开关速度快，且能满足驱动所需的功率，是一种性能较好的驱动电路。     

一种基于电荷保持的MOSFET低损驱动电路

本文提出一种基于电荷保持的MOSFET低损驱动电路,对电路的工作原理、性能特性进行分析,并建立仿真模型。该驱动电路由变压器原边H桥、驱动变压器T及副边次级驱动电路构成;原边H桥由四个MOSFET组成,副边次级驱动电路由两个MOSFET及一双向开关管组成。通过理论计算与仿真分析可知该驱动电路具有驱动效率高、既能驱动单管也能驱动双管、驱动电路的开关部分能实现软开关等优点。     

旋转导向用电机驱动电路的耐高温设计

无刷直流电机驱动电路是旋转导向系统的一个重要组成部分。而井下高温工况对驱动电路的温升控制提出了更高的要求。设计了一款基于 SiC MOSFET的耐高温电机驱动电路,从整体设计的角度分析了导致电路温升的几种因素,并结合电机设计和电路工作点设定,深入探究了 SiC MOSFET 安全工作特性。实验结果表明该电路具有耐高温、低温升、高可靠的特点,并在旋转导向系统得到成功应用。该设计的成功可为其他耐高温电机驱动电路的设计提供技术参考和依据。     

高频感应加热电源功率器件MOSFET驱动电路

针对多管并联的MOSFET驱动这一难题,通过分析MOSFET开关过程,得出了MOSFET开关转换对驱动电路的要求,以及驱动电流和驱动功率的计算方法,最后采用脉冲变压器法设计了高频感应加热电源功率器件的驱动电路,并给出了电路的设计参数及实验波形.     

同步整流在电动车控制器驱动电路中的应用

针对电动车驱动系统中驱动电路在实际运行过程中发热过大,导致整个系统稳定性较差的问题,将同步整流技术应用到控制器驱动电路中.从PWM控制策略角度出发,提出了一种新的PWM调制方式,它采用低导通电阻的功率MOSFET代替开关变换器中的快恢复二极管,起到了续流二极管的作用,降低了续流时的损耗,减少发热,极大地提高了驱动电路的效率和稳定性.最后通过实验证明了该方法的可行性和优越性.     

SiC MOSFET驱动电路及实验分析

根据SiC MOSFET开关特性,设计了一种SiC MOSFET的驱动电路,在此基础上采用双脉冲测试方法,对SiC MOSFET的开关时间、开关损耗等进行了实验测量,分析了不同驱动电阻对SiC MOSFET开关时间、开关损耗等的影响。     

一种SiC MOSFET串扰抑制的谐振辅助驱动电路

随着SiC MOSFET开关频率的不断增加,逆变器桥臂串扰现象越发严重并易造成桥臂直通短路,这限制了SiC MOSFET开关频率的进一步提高。该文提出一种SiC MOSFET串扰抑制的谐振辅助驱动电路,通过在栅源之间添加电容电感辅助谐振电路,能够在SiC MOSFET关断期间完成负压到零压的变化,同时不需要使用有源器件。当SiC MOSFET开通时,辅助电路让栅极电压从0.7V上升而非负压上升,相较于传统驱动电路,开关速度更快、开关损耗更低;而且同时具备抑制正向串扰和反向串扰的优点。该文分析电路的参数设置,并通过仿真和实验验证了该电路相对于传统驱动电路的优势。     

新型双功率MOSFET管谐振驱动电路

提出一种新型双功率MOSFET管互补谐振驱动电路,对电路的工作原理、性能特性和关键电路参数设计进行分析,并建立仿真和样机实验。该驱动电路由1个变压器和6个半导体器件组成,类似反激变换器的电路结构,并且以谐振方式工作。理论分析表明,该电路具有拓扑结构和控制简单、驱动损耗低、驱动速度快、驱动电路中的开关管实现了部分软开关等优点。仿真和实验结果验证了理论分析。