中温AlNxOy—Ag／S.S选择性吸收膜研究

报道了适用于真空集热管的中温选择性吸收薄膜的制备和性能。采用磁控反应溅射技术在不锈钢基体上沉积制备的ＡｌＮｘＯｙ－Ａｇ／Ｓ．Ｓ薄膜，ａ－０．９３，ε－０．０６。     

真空镀膜工艺对选择性吸收膜性能的影响

报道了不同镀膜工艺制备的太阳能选择性吸收膜的性能，并对其发展方向进行了探讨。     

ITO膜的光谱选择性

对磁控溅射制备的重掺杂ＩＴＯ膜的光谱选择性进行了研究。发现基片加热至３５０℃时沉积的ＩＴＯ膜，其光谱选择性透射和反射特性主要取决于沉积气氛中Ｏ２的含量。本实验中Ｏ２∶Ａｒ＝０．４时获得满意的结果。当基片处于自然升温时，沉积的ＩＴＯ膜的优良光谱选择性透过和反射特性，与沉积时氧气的量及膜在空气中的退火条件有关，在氧气含量约为０．０６时沉积的ＩＴＯ膜，经过２５０℃、２５ｍｉｎ退火后，膜具有优良的选择性。     

中高温太阳选择性吸收表面

８０年代以来,太阳选择性吸收表面的研究与应用有了很大发展,选择性吸收表面在太阳房、热水器上已广泛应用。然而,目前太阳能热利用一般局限在低温（＜１００℃),随着能源短缺和环境污染问题的日益加剧,太阳能的应用领域必将向中高温应用发展,而研制开发中高温太阳选择性吸收表面将成为关键。１材料根据太阳选择性吸收原理,选择性吸收材料大致可分为以下几种类型:具有本征特性的选择性吸收材料,多层膜,不均匀粒子膜,表面微孔穴。目前,作为中高温选择性吸收表面研究最多的金属陶瓷薄膜即属于不均匀粒子膜,本文主要对其进行一些介绍。所谓粒子…     

太阳光谱选择性吸收涂层制备工艺探讨

探讨粘结层、吸收层、减反射层的制备工艺及基底粗糙度状态对太阳选择性吸收涂层性能的影响。采用磁控溅射法,以SS/AlN涂层为例,制备太阳光谱选择性吸收涂层,并测试性能。结果表明：合适的制备工艺可以提高膜层的结合力和涂层的整体性能,胶带粘贴无脱落,吸收比96%,500℃发射比10.5%,并证实基底的粗糙度对涂层的发射率基本无影响。     

M-AlN太阳选择性吸收涂层的研制

为提高在高温条件下选择性吸收涂层的性能,采用金属粒子注入介质基体中形成的金属陶瓷作吸收材料,制成金属陶瓷复合薄膜,它具有优良的光学性能和热稳定性。根据对金属陶瓷膜系的光学性能进行理论计算的结果,采用磁控多靶反应共溅射的方法对膜系进行反演寻优工艺实验。     

一种磁控溅射制备的太阳选择性吸收涂层的开发与应用研究

以自主研制的采用磁控溅射制备的太阳选择性吸收涂层为研究对象,通过实验测试的方法,对该太阳选择性吸收涂层的光热性能进行了对比和验证。研究结果表明,该太阳选择性吸收涂层具有太阳吸收比高、发射比低、耐高温、抗老化等优点;将该涂层应用在平板型太阳能集热器上,能够明显提高太阳能集热器的瞬时效率。采用磁控溅射制备的太阳选择性吸收涂层的平板型太阳能集热器可以广泛应用于太阳能清洁采暖、太阳能制冷、工业用热、农业用热等领域。     

中高温太阳能选择性吸收涂层

从太阳能选择性吸收薄膜的原理出发,对膜系结构、材料选择、表面形貌等方面进行了论述,提出了制约当前太阳能选择吸收涂层发展的因素,并对今后的发展进行了展望。     

用几何靶溅射方法制备AlSb多晶薄膜

采用Al-Sb几何靶用直流磁控溅射方法沉积了AlSb薄膜(衬底温度为30%和200℃),然后在N_2气氛下,300～540℃,对沉积的薄膜进行退火.用X射线衍射分析了AlSb薄膜的结构,用X射线荧光光谱法测定了Al和Sb的原子比,用原子力显微镜观察了表面形貌.结果表明:几何靶可以很好地控制薄膜中Al和Sb原子的比例.制备的ALSb薄膜经过退火之后形成了面心立方结构的AlSb半导体化合物,平均晶粒大小约28rm.较高的退火温度有利于AlSb薄膜的晶粒生长.     

工作气氛对氮化硅薄膜结构的影响

以石英玻璃和抛光硅片做为衬底材料,采用射频磁控反应溅射法,通过改变Ar/N2流量比得到了一系列氮化硅薄膜.用分光光度计对薄膜的光学特性进行了表征;X射线光电子能谱(XPS)表明薄膜中出现了Si-N的键合结构;原子力显微镜(AFM)图显示了在抛光硅片上制备出的薄膜比较平整、致密.实验结果表明:纯N2条件下制备的薄膜比使用Ar和N2混合气体条件下制备的薄膜中的SiNx含量要低;在混合气体参与的条件下,随着氮气流量的增加,薄膜中出现了微孔,缺陷态增加,并对微孔的形成机制进行了解释.     

复合绒面透明导电薄膜研究

在常规非晶硅电池绒面SnO2衬底上，采用Zn：Al重量比为5％的金属靶直流反应磁控溅射沉积ZnO，构成复合绒面SnO2／ZnO透明导电膜。控制适当ZnO厚度，既能保持SnO2绒面效果，又可阻挡H离子对SnO2的还原作用，可作为微晶硅电池的前电极。文中对ZnO沉积条件以及复合膜的形貌、电光性能进行了讨论。     

SiCrOxNy选择性吸收涂层制备及性能研究

采用直流及中频反应溅射在铜基底上沉积SiCrO_xN_y光谱选择性吸收涂层。对该涂层的光学性能进行表征,其吸收比为0.938,80℃发射比为0.07。经300℃,200 h热处理后,吸收比无明显变化,发射比小幅升高;俄歇电子能谱(AES)分析显示,界面处元素扩散和Cu基底氧化是涂层光学性能下降的主要原因。在35℃下进行5%盐雾腐蚀试验,腐蚀初期涂层发射比迅速升高,腐蚀36 h后吸收比衰减加速,涂层表面开始出现剥落现象;致密的SiO2减反射层对增强涂层耐盐雾腐蚀性能有明显效果。     

透明导电ZnO:Al(ZAO)薄膜的结构及光电特性研究

ZAO薄膜是一种n型氧化物半导体材料,由于其大的载流子浓度和光学禁带宽度而表现出优良的光电特性。本实验采用射频磁控溅射工艺在无机玻璃衬底上制备ZAO薄膜,靶材为ZAO(3wt%Al2O3)陶瓷靶。系统研究了各工艺参数,如工作气压、射频功率、衬底温度和热处理条件对其结构和光电特性的影响。X射线衍射谱表明ZAO薄膜的(002)衍射峰的位置与纯ZnO晶体相比向低角度方向移动,薄膜中各晶粒具有六角纤锌矿晶体结构且呈c轴择优取向。原位制备的ZAO薄膜经热处理后电阻率降至7 5×10-4Ω·cm,可见光透过率在85%以上。     

太阳选择性吸收薄膜中干涉条件的近似计算

从菲涅尔方程出发对太阳选择性吸收薄膜的干涉作用进行了讨论,以介电膜,吸收膜和金属底层组合形成的太阳选择性吸收膜系为代表,对该膜系在可见－近代外光波段表成零反射率的干涉条件进行了推导。结果能满意地解释干涉型太阳选择性吸收薄膜的光谱选择性吸附特性,并对膜系的设计有积极的指导意义。     

AlN薄膜对太阳能吸收率的研究

采用磁控溅射方法,在高纯氩气和氮气混合气氛下成功制备出Al(W)-AlN系太阳能选择性吸收薄膜。借助吸收光谱分析,比较了Al、W两种反射层材料上制备单层AlN和多层AlN薄膜的光谱吸收特性。结果表明:多层AlN薄膜比单层AlN薄膜的吸收性能好;W比Al更适合做反射面材料,W-渐变型多层AlN膜系对太阳能的吸收率可达到80%以上。     

磁控反应溅射Ni-Cr选择性吸收薄膜

以铜和镍铬合金为靶材,用磁迭反应溅射法制备具有干涉效应的Ｎｉ－Ｃｒ选择性吸收薄膜,用ＡＥＳ,ＴＥＭ研究薄膜的结构和组成。结果表明,薄膜由１０ｎｍ大小的颗粒组成,太阳吸收比αｓ＝０．９３,发射率εｎ＝０．０６３,具有良好的选择性。