天水天光半导体推出DSN-2封装系列肖特基势垒二极管

天水天光半导体最新推出目前世界上尺寸最小的0.4mm ~*0.2mm0.27mm超小型双硅片无引脚(DualSilicon No-Lead,DSN-2)封装的TSBA8F40型肖特基势垒二极管,产品采用了标准的01005芯片级封装技术,并推出系列产品:TSB02F30(0201)型、TSB05F20(0402)型、TSB10F40(0502)型、TSB20F40(0603)型DSN-2封装肖特基势垒二极管,产品具有:1、将二极管产品的正、负两极做在芯片的同一平面上;2、具有较低的正向开启电压;3、较低的反     

分立器件封装及其主流类型

分立器件封装也是微电子生产技术的基础和先导。本文介绍国内外半导体分立器件封装技术及产品的主要发展状况,评述了其商贸市场的发展趋势。     

产品汇总：分立半导体

面向各种无线通信应用的超小封装场MOSFET,超小型SOT-963封装MOSFET,高额定电流半桥600V及1200V IGBT模块,新型2．3A PolyZen电路保护器件,30V TrenchFET功率MOSFET.     

分立器件市场及其封装趋势

半导体分立器件历史悠久，是集成电路IC前世今生的基础和先导，IC的发展与应用离不开分立器件的密切配合，二者相依为伴，尤其在大功率、大电流、高反压、高频高速、高灵敏度、低噪声、射频等诸多领域起着举足轻重和不可替代的关键作用。很多先进的半导体工艺技术纷纷应用到分立器件生产中，新结构、新器件源源而来，产业规模不断壮大，成为半导体产业的一大分支。     

分立器件

0402尺寸二极管:齐纳二极管罗姆推出齐纳二极管0402尺寸(0.4mm×0.2mm),这种二极管可以高密度安装在智能手机等便携设备上。本产品属于较小的半导体产品,和以往的0603尺寸(0.6mm×0.3mm)相比,成功地将尺寸减少了55%。     

我国片式半导体分立器件现状及应用

就国内外片式器件的类型、特点及发展趋势及我国片式器件的应用领域及市场情况做一概述，指出存在的问题并提出相应的建议。     

世界半导体分立器件市场分析

当前世界半导体器件主流是IC,但不管IC如何发展,半导体分立器永远不会被IC取代,在半导体器件市场上占有一席之地,一般分立器件与IC销售量之比大约这3:1.据SGS——汤姆逊公司亚太地区分析,1997年世界半导体分立器件销售量1800亿只,1998年2000亿只.又据WSTS预测,1998～2002年世界半导体分立器件市场平均每年以10%速度增长,其中某些MOSFET和IGBT年增长率将高达20%.80年代初,垂直导电结构的VMOS技术移植于MOSFET后,MOSFET才真正进入功率和开关领域.目前MOSFET较有发展前途的品种有两种,一是平面栅MOSFET,二是沟道栅MOSFET.平面栅MOSFET即垂直导电双扩散VD-     

分立器件

PNS40010ER:整流器恩智浦推出了PN整流器PNS40010ER,器件是采用FlatPower封装的二极管产品组合。这款400V、1A器件能够以标准开关时间支持高功率密度,并且采用小型SOD123W FlatPower塑料封装。通过使用高效率电源技术,它非常适合用于温度高达175℃的高温应用。由于斜切式砌合技术可承受高达32A的浪涌脉冲,所有的标准开关应用均可使用该项技术,无论是消费电子还是汽车应用。     

半导体光源器件的金属化耦合封装

本文介绍长波长光源器件的金属化耦合封装工艺,并通过工艺试验和生产实践,对采用新工艺制作的产品进行了可靠性考核,其结果表明这种工艺是成功的。尤其是采用YAG激光焊接技术,较好的解决了光纤定位工艺。     

基础元件介绍——半导体二极管

普通二极管主要用于整流、检波、混频、开关、稳压等在许多电路中起着重要作用。特殊二极管如发光二极管因技术的进步,极大地拓展了其应用领域。指示灯依旧是LED的应用大户。在节能减排大环境下,室内照明将成为LED最具发展潜力的应用。此外,显示屏市场、数码设备的背光源市场以及汽车车灯市场等在可以预见的未来将成为LED的主要应用市场。     

最大结温高达＋175℃的45V肖特基二极管

30CTT045与60CPT045器件基于亚微米沟槽技术,可提供超低的正向压降以及低反向漏电流,这两款45V肖特基二极管最大结温高达＋175℃,从而可使设计人员提高汽车及其他高温应用中的功率密度。这两款器件在＋125℃时具有超低的最大正向压降,对于2×30A 60CPT045,30A时典型正向压降低于0．50V,对于2×15A 30CTT045,     

检验半导体分立器件怎样运用结构相似性程序

研究了结构相似性的涵义与应用的前提条件；在半导体分立器件品种构成特点的基础上，提出应用结构相似性的原则和可构成的方案；为军用标准的贯彻实施，实现鉴定扩展和合格资格维持提供了说明。     

分立半导体市场将止衰复苏

调研公司IC Insights在3月发表的2008年光电子、传感器和分立器件（O—S—D）报告中称，继半导体产业经历最严重的衰退七年之后，分立半导体终于即将全面从2001年的萧条中复苏，这是最后一个复苏的主要半导体市场领域。     

V10PN50／V15PN50：肖特基整流器

Vishay推出新款高电流密度的50V TMBS TrenchMOS势垒肖特基整流器V10PN50和V15PN50。这两款器件在10A和15A下的典型正向压降低至0．40V和0．41V,兼具优化的漏电流的器件,采用薄形TO－277A（SMPC）封装,可用于智能手机和平板电脑的充电器。     

元器件与组件

基于超低电容技术的ESD保护器件ESD7L5.0D和NUP4212能够将15kV的输入ESD波形在数纳秒内钳位至低于7V,确保对ESD敏感的IC提供最高水平的保护。     

AlxGa1-xN/GaN肖特基二极管的高温特性

High-temperature characteristics of the metal/AlxGa1-xN/GaN M/S/S （M/S/S） diodes have been studied with current-voltage （I-V） and capacitance-voltage （C-V） measurements at high temperatures. Due to the presence of the piezoelectric polarization field and a quantum well at the AlxGa1-xN/GaN interface, the AlxGal-xN/GaN diodes show properties distinctly different from those of the AlxGa1-xN diodes. For the AlxGa1-xN/GaN diodes, an increase in temperature accompanies an increase in barrier height and a decrease in ideality factor, while the AlxGa1-xN diodes are opposite. Furthermore, at room temperature, both reverse leakage current and reverse breakdown voltage are superior for the AlxGa1-xN/GaN diodes to those for the AlxGa1-xN diodes.     

分立器件

093 PMG-SI：铝电容器；WSH2818：Power Metal Strip电阻器；ZXMN0545G4：高电压MOSFET；VY1与VY2瓷盘电容器；STD95N0：晶体管。[编者按]