SiO2/SiC界面对4H-SiC n-MOSFET反型沟道电子迁移率的影响

提出了一种基于器件物理的4H-SiC n-MOSFET反型沟道电子迁移率模型.该模型包括了界面态、晶格、杂质以及表面粗糙等散射机制的影响,其中界面态散射机制考虑了载流子的屏蔽效应.利用此模型,研究了界面态、表面粗糙度等因素对迁移率的影响,模拟结果表明界面态和表面粗糙度是影响沟道电子迁移率的主要因素.其中,界面态密度决定了沟道电子迁移率的最大值,而表面粗糙散射则制约着高场下的电子迁移率.该模型能较好地应用于器件模拟.     

SiO_2/SiC界面对4H-SiC n-MOSFET反型沟道电子迁移率的影响

提出了一种基于器件物理的4 H- Si C n- MOSFET反型沟道电子迁移率模型.该模型包括了界面态、晶格、杂质以及表面粗糙等散射机制的影响,其中界面态散射机制考虑了载流子的屏蔽效应.利用此模型,研究了界面态、表面粗糙度等因素对迁移率的影响,模拟结果表明界面态和表面粗糙度是影响沟道电子迁移率的主要因素.其中,界面态密度决定了沟道电子迁移率的最大值,而表面粗糙散射则制约着高场下的电子迁移率.该模型能较好地应用于器件模拟.     

高截止频率肖特基二极管仿真模型研究

基于表面沟道型平面肖特基势垒二极管基本结构,采用GaAs 0.15μm伪高电子迁移率晶体管（pseudomorphic high electron mobility transistors, pHEMT）工艺制程,提出了一种垂直沟道长跨度空气桥的肖特基二极管模型.研究了不同阳极直径对肖特基二极管级联电阻的影响,对比分析了不同焊盘间距下肖特基二极管模型的S参数仿真结果,得到最优空气桥长度;仿真了最优焊盘间距下二极管肖特基结的TCAD模型,根据仿真得到的特性曲线提取肖特基二极管的SPICE参数.经实验测试,该二极管具有极低的零偏置结电容,截止频率高达9 THz,仿真结果与实测结果吻合度较高,可用于太赫兹频段上.     

AlGaN/GaN HEMT低温直流特性研究

研究了20℃～-70℃栅宽为100μm、栅长为1μm的AlGaN/GaN HEMT的直流特性.随温度降低，电子迁移率增大，而二维电子气密度基本不变，HEMT饱和漏电流IDsat增大;阈值电压低温时有所下降，在一定温度范围内变化不明显，其原因除栅肖特基势垒高度、AlGaN/GaN导带差发生变化外，还可能与器件制备工艺和源极串联电阻有关。     

凹栅槽AlGaN/GaN HEMTs器件退火处理效应

研究了如何减小等离子体干法刻蚀导致的大肖特基漏电.用X射线光电能谱(XPS)分析刻蚀前后的AlGaN表面,发现刻蚀后AlGaN表面出现了N窄位,导致肖特基栅电流偏离热电子散射模型,N空位做为一种缺陷使得肖特基结的隧穿几率增大,反向漏电增大,肖特基势垒降低.介绍了一种AlGaN/GaN HEMTs器件退火处理方法,优化退火条件为400℃,Nz氛围退火10min.退火后,栅金属中的Ni与Ga原子反应从而减少N空穴造成的缺陷,器件肖特基反向漏电减小三个量级,正向开启电压升高,理想因子从3.07降低到了2.08.     

用于GaN HEMT肖特基参数提取的修正方法

对GaN高电子迁移率器件进行48小时350℃的高温存储实验后,观察到肖特基正向特性的低压段出现凹进现象。我们认为这是二维电子气浓度下降造成的。此时传统的肖特基提取方法不适合,在运用背对背肖特基模型分析其能带变化的基础上提出一种肖特基参数提取的修正方法,并获得很好的拟合效果。     

凹栅槽AlGaN/GaN HEMTs器件退火处理效应

研究了如何减小等离子体干法刻蚀导致的大肖特基漏电. 用X射线光电能谱（XPS）分析刻蚀前后的AlGaN表面,发现刻蚀后AlGaN表面出现了N空位,导致肖特基栅电流偏离热电子散射模型,N空位做为一种缺陷使得肖特基结的隧穿几率增大,反向漏电增大,肖特基势垒降低. 介绍了一种AlGaN/GaN HEMTs器件退火处理方法,优化退火条件为400℃, N2氛围退火10min. 退火后,栅金属中的Ni与Ga原子反应从而减少N空穴造成的缺陷,器件肖特基反向漏电减小三个量级,正向开启电压升高,理想因子从3.07降低到了2.08.     

离子注入平面型双栅GaAsMESFET

<正> 一、引言对于低噪声和功率应用的微波 FET 来说,已经公认 GaAs 是一种优良的半导体材料。由于它具有高的电子迁移率、高的电子峰值漂移速度以及适宜的半绝缘衬底,它理想地适于 MESFET。已应用具有一对合金欧姆接触和亚微米长度的肖特基势垒栅,以使截止频率达50～80GHz。至今,GaAs MESFET 的研究致力于扩展高频极限,降低噪声系数以及提高增益和功率。对于完成这些目标,单栅结构是很适合的。然而,另一种变型,即双栅结构具有某些超过单栅结构的优点。由于双栅 FET 在第一栅和漏电极之间有一个第     

等离子体刻蚀凹栅槽影响AlGaN/GaN HEMT栅电流的机理

对等离子体干法刻蚀形成的凹栅槽结构AlGaN/GaN HEMTs肖特基电流增加的机理进行了研究.实验表明,凹栅槽结构AIGaN/GaN HEMTs肖特基栅电流增加一个数量级以上,击穿电压有一定程度的下降.利用AFM和XPS的方法分析AlGaN表面,等离子体干法刻蚀增加了AlGaN表面粗糙度,甚至出现部分尖峰状突起,增大了栅金属与AlGaN的接触面积;另一方面,等离子体轰击使AlGaN表面出现一定量的N空位,相当于栅金属与AlGaN接触界面处出现n型掺杂层,使肖特基结的隧道效应加强,降低了肖特基势垒.由此表明,AlGaN表面粗糙度的增加以及一定量的N空位出现是引起栅电流急剧增大的根本原因.     

等离子体刻蚀凹栅槽影响AlGaN/GaN HEMT栅电流的机理

对等离子体干法刻蚀形成的凹栅槽结构AlGaN/GaN HEMTs肖特基电流增加的机理进行了研究.实验表明,凹栅槽结构AIGaN/GaN HEMTs肖特基栅电流增加一个数量级以上,击穿电压有一定程度的下降.利用AFM和XPS的方法分析AlGaN表面,等离子体干法刻蚀增加了AlGaN表面粗糙度,甚至出现部分尖峰状突起,增大了栅金属与AlGaN的接触面积;另一方面,等离子体轰击使AlGaN表面出现一定量的N空位,相当于栅金属与AlGaN接触界面处出现n型掺杂层,使肖特基结的隧道效应加强,降低了肖特基势垒.由此表明,AlGaN表面粗糙度的增加以及一定量的N空位出现是引起栅电流急剧增大的根本原因.     

A MESFET Model for Use in the Design of GaAs Integrated Circuits

A MESFET model is presented that is suitable for use in conventional, time-domain circuit simulation programs. The parameters of the model are evaluated either from experimental data or from more detailed device analysis. The model is shown to be more complete than earlier models, which neglect transit-time and other effects. An integrated circuit (IC) design example is discussed.     

IEEE 802.11 DCF差错帧模型的分析与仿真算法改进

该文提出了IEEE802.11DCF差错帧模型的概念,并在详细分析这一模型的基础上,指出了GloMoSim仿真环境中现有的DCF差错帧模型仿真算法存在的问题,然后严格按照DCF差错帧模型中的相关规约改进了该仿真算法。仿真与分析表明,与GloMoSim中现有的仿真算法相比,改进后的仿真算法能正确地模拟IEEE802.11DCF协议处理差错帧的相关规约,为仿真实验提供了更加可靠的结果。     

大栅宽功率器件的分布性研究

随着器件工作频率的升高,以集总元件模型描述大栅宽功率器件引入的误差将越来越大,且这一趋势随着栅长的减小更加显著。对微波大栅宽功率器件的分布性作了初步研究,对传统建模和器件优化方法进行改进,将器件中的有源部分和无源部分分离开,利用微波传输线理论和奇偶模分析对器件的无源部分建模,在满足集总条件时对有源区建模,将两者综合建立了分段的线性模型。与测量结果进行了比较,表明分段模型取得了更为精确的结果;在此基础上又建立了分段的非线性模型,模拟和验证了大栅宽器件的早期非线性现象;最后还提出了功率器件栅宽优化设计的估算方法。     

山地场景下3D射线跟踪的应用分析

山地场景海拔落差较大,地势起伏且遮挡多,传播环境复杂.与传统SPM传播模型相比,3D射线跟踪模型更好的反映了电磁传播的反射、绕射和衍射等场景,且模型参数也更加丰富,因此,会更准确合理.本文主要通过在云南某山地场景进行CW测试,使用3D射线跟踪传播模型进行模型校正并分析模型校准的结果,深入分析了在山地场景采用3D射线跟踪...     

力平衡MEMS加速度计的系统级建模与仿真

利用两种不同方法完成力平衡加速度计的系统级仿真．系统级模型参数在已完成的硅基力平衡MEMS加速度计结构上提取,数学模型和仿真分别采用VHDL—AMS和SIMULINK TM来实现．对仿真结果进行比较,两者之间有细微的差别．利用VHDL-AMS进行仿真更灵活、准确,模型可重复再用,但是过程中要消耗更多时间．而使用SIMULINK可以方便、快捷地建立模型．     

改进的多模型融合技术在客服问答系统上的应用

随着人工智能技术的发展,越来越多的公司采用机器客服代替人工客服。但若采用传统关键词模型,则机器客服准确率难以提高;若采用深度学习模型进行训练,则又面临用户问题是短文本时,模型训练和预测效果不佳的问题。针对这些问题,通过深入研究和多次试验,提出一种融合关键词模型和基于字向量的深度学习模型的算法。最后实现了模型的训练和预测,在与传统算法的准确率对比方面展现了优势。     

面向磁共振弹性成像的数值建模与仿真研究

磁共振弹性成像技术能够定量可视化人体组织的生物力学属性,正逐步成长为一种新型的医学成像手段.然而,其研发不仅要深入探索弹性波的产生、传播及耗散特性,而且需要建立特殊的磁共振成像装备.建立数值模型并开发仿真实验系统,可以有效促进磁共振弹性成像研究工作的开展.本文首先对人体组织进行弹性力学分析,得到外力作用下人体组织的运动微分方程,并利用有限元法求解该方程.同时建立了不同结构和弹性分布的人体组织数值模型.采用剪切弹性波作为成像探针,并根据人体组织的运动微分方程,仿真计算得到弹性波在组织中的传播信息.通过比较不同模型的估算值和理论值,验证了仿真实验系统的有效性和可靠性,说明建立的数值模型可以有效支撑磁共振弹性成像研究.     

基于Simulink的OFDM系统设计与仿真

OFDM是第四代移动通信的核心技术,正越来越受到人们的关注.在介绍OFDM基本原理的基础上,利用Simulink建立了一个基于OFDM技术的系统仿真模型.仿真结果表明:此系统能够很好地模拟OFDM传输系统,为进一步深入研究OFDM通信系统提供了便利.     

力平衡MEMS加速度计的系统级建模与仿真

利用两种不同方法完成力平衡加速度计的系统级仿真.系统级模型参数在已完成的硅基力平衡MEMS加速度计结构上提取,数学模犁和仿真分别采用VHDL-AMS和SIMULINK TM来实现.对仿真结果进行比较,两者之间有细微的差别.利用VHDL-AMS进行仿真更灵活、准确,模型可重复再用,但是过程中要消耗更多时间.而使用SIMULINK可以方便、快捷地建立模型.     

一种用于双各向异性材料参数反演的新模型

针对双各向异性材料参数的反演,在多频点测量、多厚度测量、多入射角测量模型的基础上,本文首次提出了一种用于双各向异性材料参数反演的新模型,该模型是由同材料前后两层相对旋转一定角度的双层组成。利用一阶状态矢量法,推导得到了该模型反射传输的计算公式,并分析了双层同材料测量模型的传输特性。与单层平板模型传输特性进行比较表明:有的传输参数在单层时对媒质参数敏感,而有的在双层时对媒质参数敏感。本文的工作为双各向异性吸波材料参数的反演打下了基础。