低碳钢与固态铝的相互作用

本文从理论上分析了铝／钢界面反应的热力学与动力学，并将理论分析实验结果进行对比，得出在低于６５５℃时，铝／钢界面反应方程为：Ａｌ＋Ｆｅ＝ＦｅＡｌ（β２），β２相的长大受铝在β２中的扩散所控制。能谱分析及Ｘ－射线衍射都证实β２相在界面附近的存在。实验结果与理论分析基本一致，对铝／钢复合材料的制备和热压力加工工艺等将有理论指标意义。     

合金元素对钢基复合材料组织和性能的影响

研究了Si,Mn合金元素加入量对自生TiC颗粒增强的钢基复合材料的组织和性能的影响．结果表明,在自生TiC颗粒增强钢基复合材料中,随着Si,Mn合金化元素的升高,复合材料基体组织将经历从单相珠光体到珠光体马氏体,再到单相马氏体的变化过程．相应地,复合材料铸态硬度从单相珠光体的HRC43．1变化到单相马氏体的HRC55．Si,Mn合金化元素的含量对热处理态复合材料的硬度也有明显影响,但对冲击韧性影响不大。     

铁对C／Cu复合材料界面特性影响的研究

利用电子显微及X射线衍射仪分析研究了C／Cu复合材料的界面特性及合金元素铁对C／Cu复合材料界面特性的影响，研究表明复合材料界面既无化学反应也无扩散发生，C／Cu界面是物理结合，试验表明，合金元素Fe与碳纤维发生化学反应，使C-Cu界面结合强度明显提高，因此使C／Cu复合材料的强度从592MPa提高到696MPa，横向剪切强度从64MPa提高到84MPa，化学结合型界面是提高复合材料强度的途径之一。     

爆炸焊接工艺对铝-钢复合板界面性能的影响

通过不同的爆炸焊接工艺对铝合金-铝-钢进行了爆炸复合，并对爆炸复合后的铝合金-铝-钢复合板的界面组织及力学性能进行了测试分析，探讨了不同爆炸焊接工艺对铝合金-铝-钢复合板界面性能的影响。结果表明：铝合金-铝-钢复合板的铝-钢界面在爆炸复合时界面容易产生一层金属间化合物。随着装药密度的增加，中间层变得愈加连续，界面强度降低明显，而铝-钢界面相互扩散距离变化不明显。     

Ti／TiAl复合材料界面与弯曲性能的研究

实测了单相γ－ＴｉＡｌ合金和塑性纤维韧化γ－ＴｉＡｌ金属间化合物复合材料的弯曲性能；利用ｘ射线衍射仪、光学显微镜，扫描电镜分析了Ｔｉ／ＴｉＡｌ复合材料的组织结构和界面，并研究了复合材料的界面和弯曲性能的关系．结果表明：Ｔｉ／ＴｉＡｌ复合材料的弯曲强度明显提高，但挠度提高不明显，界面厚度达３０ｕｍ，界面上有Ｔｉ２Ａｌ，Ｔｉ３Ａｌ等不同的反应产物存在。     

低合金超高强度钢的合金设计

本文探讨了低合金超高强度钢的强化机理,提出了钢的合金化原则,并介绍33Si2Mn2MoVA钢的性能与特点。     

氧化铝／铝—硅合金复合材料耐磨性研究

利用挤压铸造制备氧化铝／铝硅合金复合材料，研究了基体成分对复合材料耐磨性的影响。结果表明，在复合材料中，纤维与基体结合良好，并对铝合金具有增强作用；复合材料具有优异的耐磨性，基体成分不同，耐磨性能不同，基体中的合金元素有利于形成良好界面，改善复合材料的耐磨性。     

钢铝层叠复合材料固态复合技术及应用

钢铝层叠复合材料兼备了钢、铝材料的优点，而摒弃了它们的不足，是一种具有广阔应用范围和巨大发展潜力的复合材料。针对钢、铝两种材料的特点及性能，分别介绍了用于制造钢、铝层叠复合材料的可行的复合技术，并对各复合方法的工艺特点、主要工艺参数及技术要点进行了分析与比较，指出了他们的优缺点及应用前景，并给出了一些具体的应用实例。     

添加元素对石墨—铝硅复合材料性能的影响

采用熔铸重力浇注在铝液中直接加入裸体石墨的方法，工艺简便，成本低，易于推广生产。但要用这种方法生产出综合性能良好的石墨－铝硅复合材料并非易事。其中添加某种元素既促使有利的石墨－铝硅复合材料界面反应的形成，又阻止石墨飘浮，减少偏析，使材料的综合性能得到提高是很关键的问题之一，而且，这种添加元素在工业上使用的价格又要比较低廉，本文从复合材料都存在界面反应的问题入手，找到了一种综合性能良好的添加元素Ｍ。     

AlSi／AlMn双金属复合材料制备试验研究

在自行设计和制造的双金属复合材料连铸设备上,通过工艺参数的合理配置,成功制备出尺寸为150mm×120mm×100mm的A1Si／A1Mn双金属复合材料铸坯。分析了复合铸锭的宏观和显微组织、界面附近的元素成分以及界面结合强度和硬度分布。结果表明,复合界面为,台金结合,所制备复合材料的微观组织与化学成分分布及硬度之间有良好的对应关系。     

铜铅/钢双金属复合材料组织和粘结强度分析

采用双金属复合材料加工工艺制备铜铅/钢双金属复合材料,对复合材料金相组织、合金成分和界面处相组成进行分析,测定铜铅型轴瓦双金属复合材料的粘结强度。结果表明,专用钢背材料和铜铅合金复合,复合材料粘结强度σ为150 MPa;用08Al钢作钢背,复合材料粘结强度为85 MPa。不同钢背材料对双金属粘结强度产生不同影响,双金属界面金相组织观察和二次电子像结合能谱分析表明,铅均匀分布,未产生偏析现象,Fe原子和Cu原子互扩散而提高了双金属粘结强度。     

SnO2超微粒非晶薄膜对n—Si光电效应的影响

用等离子激活化学气相沉积（ＰＥＣＶＤ）法制备了ＳｎＯ２超微粒非晶薄膜。Ｘ－光电子能谱分析结果表明ＳｎＯ２中的Ｏ／Ｓｎ经超过化学计量比。ｎ－Ｓｉ和ＳｎＯ２／ｎ－Ｓｉ的表面光电压谱显示,ＳｎＯ２薄膜的处理条件不同,光电压响应所需光强也不同。将ＳｎＯ２薄膜沉积在ｎ－Ｓｉ上,可使其光电转换效率提高３个数量级以上,并且也能使ｎ－Ｓｉ光电流和光电压有所提高。     

Zn/Al-CLM催化剂的丙烷芳构化反应性能研究

介绍了丙烷在Zn/Al-CLM催化剂上芳构化反应活性 ,并与Zn/HZSM - 5催化剂进行了比较。结果表明 ,丙烷在Zn/Al-CLM催化剂上的芳构化反应转化率为 1 6 .86 % ,芳烃选择性为 2 7.40 % ;而Zn/HZSM - 5催化剂的丙烷芳构化反应转化率为 49.0 1 % ,芳烃选择性为 57.30 %。这种差异主要是由于Al-CLM和HZSM - 5两种载体的酸性特征及孔结构不同所造成的。此外还发现 ,在Zn/Al-CLM催化剂上 ,C3烷烃芳构化主要转化为苯 ;而在Zn/HZSM - 5催化剂上C3芳构化主要转化为甲苯。为了改善Zn/Al-CLM催化剂的C3烷烃芳构化性能 ,研制了双金属催化剂。结果表明 ,GaZn/Al-CLM催化剂的丙烷芳构化反应转化率为 30 .1 8% ,芳烃选择性为 65 .91 % ;PtZn/Al-CLM催化剂的丙烷芳构化反应转化率为 38.37% ,芳烃选择性为 57.87%。     

改性介孔分子筛Zn-MCM-41对纤维素催化热解的影响

采用热重分析,考察了不同硅锌比和晶化温度条件下制备的分子筛Zn-MCM-41对纤维素催化热解的催化作用效果.结果表明:在Zn-MCM-41催化作用下,纤维素热解温度降低,最大失重速率和失重率增加;硅锌比、晶化温度对纤维素热解影响明显;随硅锌比的增大,纤维素的最大失重速率和失重率呈现先升后降的趋势,当硅锌比为50时达到最大值;随晶化温度的升高,纤维素的最大失重速率和失重率同样呈现先增后减的趋势,当晶化温度在110~120℃范围时为最大值.利用Ozawa动力学模型描述纤维素催化热解过程,表明Zn-MCM-41的存在改变了热解反应途径,表现出反应活化能的增加;制备Zn-MCM-41的最优条件是硅锌比50∶1,晶化温度120℃.     

Interface Stability of the SiC Particles/Fe Matrix Composite System

The interface reaction between the SiC particles （ SiCp ） and Fe was stndicd during sintering the SiCp reinforced Fe matrix composites at 1423 K for 1 h. In the composite having 3wt% （weight ratio） SiCp （the 3SiCp/ Fe composite）, the interface reaction products of Fe3 Si, the carbon precipitates, and Fe3 C or pearlite were generated. Fe3 Si coustructs the bright matrix of the reaction zone in the original situation of the SiCp. The carbon precipitates are randondy embedded in the reaction zone. Fe3 C or pearlite exists at the grain boundaries of the Fe matrix. As increasing the SiCp concentration in the SiCp/ Fe composite, the inteusity of the interface reaction between SiCp and Fe iacreases. After the 10SiCp/ Fe composite （ having 10wt .% SiCp ） sintered at 1423 K for 1 h, all of SiCp are decomposed, and replaced by the reaction zone composed of Fe3 Si and the carbon precipitates. No Fe3 C or pearlite was genertaed during the reaction. The effects of the techniques of oxidizing of SiCp , coating SiCp by interaction with the Cr powder, and alloying the Fe matrix by adding the Cr element on the interface stability of the SiCp/ Fe composite system were also investigated, respectitely. The oxide membrane and the coating layer on SiCp can inhibit the interface reaction between SiCp and Fe by isolating SiCp from the Fe matrix during sintering. The interface reaction does not occur in the 3 SiCp/ Fe- 10 Cr composite but in the 3 SiCp/ Fe-5 Cr composite. In the SiCp/ Fe-Cr alloy composites, the interface reaction between SiCp and the Fe- Cr alloys is weaker than that between SiCp and Fe . The Cr element behaves as a diluent, it causes a redaction in the interface reaction, which is proportional to the amount of the element added.     

Si3N4/SiO2复合栅介质电离辐照的电子能谱分析

采用氩离子刻蚀X光激发电子能谱分析方法对Si3N4/SiO2/Si复合栅介质系统进行电离辐照剖析．实验结果表明存在一个由Si3N4和SiO2构成的界面区及由SiO2和Si构成的界面区,电离辐照能将SiO2/Si界面区中心向Si3N4/SiO2界面方向推移,同时SiO2/Si界面区亦被电离辐照展宽;电离辐照相当程度地减少位于SiO2/Si界面至Si衬底之间Si过渡态的浓度．在同样偏置电场中辐照,随着辐照剂量的增加SiO2/Si界面区中Si过渡态键的断开量也增加,同时辐照中所施偏置电场对SiO2/Si界面区Si过渡态键断开有显著作用．并对实验现象进行了机制分析．     

锂离子电池Si_(1.81)Co_(0.6)Cr_(0.6)Zn_(0.2)/MGS复合负极材料的制备与性能

采用两步高能球磨法制备了一种新的锂离子电池硅基复合负极材料Si1.81Co0.6Cr0.6Zn0.2/MGS.用X射线衍射(XRD)和扫描电镜(SEM)表征了材料的组成和形貌结构.电化学测试表明,Si1.81Co0.6Cr0.6Zn0.2/MGS作锂离子电池负极材料有较好的电化学性能:首次可逆容量为561 mAh.g-1,50个循环后,可逆容量的保持率为91%.Si1.81Co0.6Cr0.6Zn0.2/MGS循环性能的改善归因于电极结构在循环过程中的稳定性.     

Si对K40S合金凝固过程及显微组织的影响

研究了Si对K40S合金凝固过程及显微组织的影响。结果表明,随着Si含量的升高,K40S合金凝固时界面生长由枝晶生长转向明显的内生生长;Si元素主要在枝晶间或晶界偏析,但当Si含量升高到一定程度后,枝晶内的浓度逐步升高而达到显著水平;Si元素对合金中Cr、Ni、W等元素的分布有影响,进而影响碳化物的形成。     

Interface structure between epitaxial NiSi2 and Si

The interface structure between the Si and NiSi2 epitaxially grown on the （112） Si substrate was studied using high resolution transmission electron microscopy and computer image simulation. The results showed that the interface between Si and NiSi2 epitaxially grown on the （ 112 ） Si substrate has six different types： type A NiSi2 （111 ）/（ 111 ） Si, type A NiSi2 （001）/（001） Si, type B NiSi2 （ 111 ）/（ 111） Si, type B NiSi2 （ 112 ）/（ 1 12 ） Si, type B NiSi2 （ 271 ）/（001） Si, and type B NiSi2 （ 114 ）/（ 110 ） Si. And there are one or more different atomic structures for one type of interface.     

半导体器件钝化层Si3N4薄膜的制备及特性研究

采用热分解法在硅衬底上制备了Si3N4薄膜，根据在制备过程中薄膜生长速度随颜色的变化，研究了衬底温度和薄膜沉积速率之间的关系，分别利用AFM对薄膜表面进行观测，C—V法对薄膜和硅片界面态进行了测试。结果表明：所制备的Si3N4薄膜在硅片上以无定形方式存在，在Si3N4薄膜和硅界面之间存在着大量的表面电荷，由于这种高密度表面电荷的存在，导致Si3N4薄膜不适于直接作为半导体器件的表面钝化层。