高道密度垂直磁记录单极头读出过程的理论分析

本文对高道密度垂直磁记录单极头的读出过程进行了理论分析，考虚到垂直磁记录方式的记录位长远小于单极型磁头厚度，在不计及漏磁的情况下，用镜像法简化地推导了双层膜窄道宽垂直磁记录单极头读出波形电压表达式，由此可以看出影响垂直磁记录单极头磁记录系统实现高道密度的因素。     

垂直磁记录系统参数的优化设计

系统参数优化设计是目前计算机应用研究的热点.垂直磁记录系统参数的优化设计方案使用一个包含部分响应均衡器、最大似然检测以及Reed-Solomon纠错编码的通道模型,在给定通道参数的情况下,采用准解析方法计算出一系列的设计曲线.用户可以根据这些曲线,在指定目标扇区错误率和代码率的情况下得到最大的用户密度.反之,通过设计曲线,用户也能得到与所需密度和目标扇区错误率对应的通道参数.     

高道密度垂直磁记录环形头读出过程的理论分析

本文从理论上对高道密度垂直磁记录环形头读出电压进行了计算，并对道间串扰进行了分析。     

垂直磁记录单极型磁头读出过程的计算机仿真研究

本文对单极头垂直磁记录系统的读出过程进行了计算机仿真。分析了头盘结构参数对垂直磁记录的读出过程的影响。     

垂直磁记录环形头读出过程的计算机仿真研究

本文对环形头垂直磁记录系统的读出过程进行了计算机仿真。分析了头盘结构参数对垂直磁记录的读出过程的影响,同时也绘出了该系统的频谱曲线。     

高密度数字磁记录非线性特性研究

分析了高密度数字磁记录中非线性翻转漂移 (NLTS)、非线性部分擦除 (PE)以及改写非线性的形成机理、性能特点和对高密度数字磁记录检测通道的影响。给出了非线性翻转漂移的计算分析模型 ,并介绍了减小非线性失真对检测通道影响的措施。     

高密度磁记录技术研究综述

大数据时代对大容量磁盘的需求日益增长,而在对现有的磁盘不进行较大改动的前提下,叠瓦式磁记录技术SMR是提高磁盘存储容量的最佳选择.近年来,兴起了一种新的磁记录技术——交错式磁记录技术IMR,它可以获得比SMR更高的存储密度和随机写性能.首先介绍了SMR磁盘的内部叠瓦式结构以及由此带来的数据写放大问题,并对缓解数据写放大问题的数据管理方式、性能特性评测以及基于SMR的上层应用系统方面的研究进展进行了概述;然后对新兴的IMR磁盘内部结构及其数据写放大问题进行了介绍,并对其将来的研究方向做了一定的分析和展望;最后对SMR磁盘和IMR磁盘在存储密度、数据写性能等方面进行了比较分析.当前有很多基于SMR磁盘的上层应用系统,这表明SMR磁盘可以高效地替代传统磁盘来构建大型的存储系统,而IMR磁盘的优势也将使其未来的发展前景可期.     

磁记录浮动块动态参数仿真

建立了考虑浮动系统动态特性综合分析的近似模型;在磁记录浮动块动态性能方面,给出了浮动系统动力参数(刚度、阻尼、固有频率)及其变化特性的仿真测试方法与结果。     

加固磁记录子系统可靠性设计

从可靠性指标的确定，可靠性模型的建立，可靠性预计，可靠性分配等方面对所研制的加固磁记录子系统进行可靠性设计。     

热辅助磁记录机械硬盘的救星

在SSD快速发展的同时，机械硬盘的步伐却越来越缓慢，其中最大的原因就是遭遇容量提升的瓶颈。在许多人都看好SSD的时候．希捷表示“闪存永远不可能完全取代机械硬盘“。希捷显然有底气这样说，因为除了可观的财报外，他们还拿出了一项技术——HAMR。     

磁记录介质快速磨损仪的磁头往复运动及减振系统设计

木文阐述了磁头在较小范围内接触记录介质作相对往复运动，使记录介质快速磨损，达到缩短测试使用寿命周期的原理，并阐明了磁记录介质快速磨损仪中磁头往复运动及减振系统的设计。     

多晶硅薄膜的结构与电学特性关系的研究

多晶硅薄膜的性质与膜的结构有密切关系。界面结构主要指晶粒尺寸、择优取向及其结构。多晶硅薄膜的结构主要由沉积条件、膜厚、掺杂条件和后来的退火温度和退火时间所决定。本文讨论了用常规低压化学汽相淀积（ＬＰＣＶＤ）方法制备的多晶硅薄膜的结构特性，初步获得了提高多晶硅压力传感器灵敏度及其温度稳定性的条件。     

超微粒氧化铁薄膜的敏感特性研究

随着半导体技术和微电子技术的发展,半导体气敏元件的品种、数量和质量都有了很快的发展。为了满足信息社会对气体传感器小型化、集成化和智能化的要求,气敏材料正在向超微细化、薄膜化和复合化的方向发展。超微粒薄膜气敏材料由于具有工作温度低、灵敏度高、响应恢复快、易集成、一致性和稳定性较好的独特优点,在近期内得到了很大的发展,并且成为当前气敏材料研究的热门课题。 本文采用PCVD法生长出均匀透明的非晶氧化铁敏感膜,经热处理而制备的薄膜型气敏元件,无需掺杂便具有优良的气敏性能,显示出良好的应用前景。