聚合条件对PEDT导电性及相对分子质量的影响

采用化学原位氧化聚合法制备了导电聚合物3,4-聚乙烯二氧噻吩(PEDT)薄膜。系统研究了不同工艺条件对聚合物电导率的影响。发现单体与氧化剂体积比为1∶4、溶剂含量90%(体积分数)、加入聚合改良剂0.5%(体积分数)、反应温度–5℃时可以获得较高电导率(>20S/cm)薄膜。首次结合元素分析法,研究了工艺条件对聚合物相对分子质量的影响,结果表明,聚合温度25℃,ψ(单体:氧化剂:聚合改良剂)=1∶4∶2的条件下,所合成的PEDT可获得最大平均相对分子质量(1068)和聚合度(7.6),并对相应的机理进行了探讨。     

导电聚合物PEDT对固体钽电解电容器性能的影响

采用具有高导电率(1~500 S/cm)、热稳定性好的导电聚合物 PEDT(聚 3,4-乙烯二氧噻吩)取代 MnO)_2,在固体钽电解电容器芯子上制作 PEDT 阴极层。主要研究了化学聚合条件对电容器性能的影响,结果显示聚合温度对电容器的损耗有一定的影响;氧化剂与单体的体积比保持在 3~6 范围内有利于降低 Res值,达到 0.02~0.08 Ω,并改善了钽电容器的频率特性。     

导电聚合物（PEDOT）浆料在钽电容器生产中应用

通过采用浸渍导电聚合物浆料和原位聚合方法制备聚合物钽电容器,并对比电容器电性能,研究导电聚合物浆料对聚合物钽电容器电性能的影响。实验结果表明导电聚合物浆料可以提高电容器的耐压性能,即产品有较高的击穿电压值,但是产品的容量引出率和ESR恶化。     

聚合物网络液晶电光性能的研究

聚合物网络织构对液晶分子的稳定作用决定了聚合物网络液晶(PNLC)的电光性能。实验采用可逆加成-断裂链转移自由基(RAFT)聚合,通过改变RAFT试剂(RAFT-PS)含量来调节聚合物网络织构,实现对PNLC电光性能的控制。结果表明,随着RAFT-PS含量由10%增加到40%,聚合物网络孔径变大,液晶畴区面积增加,畴区数量减少,阈值电压(Vth)下降了52.8%,饱和电压(Vs)下降了37.7%,显著地改善了PNLC的电光性能。     

凝胶聚合物电解质双电层电容器的研究

为解决凝胶聚合物电解质制成膜的双电层电容器中,电解质与电极真实表面积接触较差的问题,采用内聚合法制备了以活性炭为电极材料,丙烯腈为聚合单体,ζ(碳酸甲乙酯∶碳酸乙烯酯)=1∶1为增塑剂,高氯酸锂为导电盐的凝胶聚合物电解质双电层电容器。测试结果表明,随着丙烯腈含量的降低,其组成的凝胶聚合物电解质的电导率增大,电容器的比容量也随之增大,当w(丙烯腈)为10%时,室温电导率为9.34×10–3S·cm–1,比容量为24.294F/g。     

低漏电流聚吡咯铝电解电容器的研制

采用化学氧化聚合法在铝箔上原位聚合聚吡咯阴极层,研究了不同氧化剂、4-硝基酞酸加入方式对聚吡咯电容器性能的影响。结果表明:添加4-硝基酞酸明显降低了电容器的漏电流,制备出tanδ为0.012(100Hz),IL小于0.8μA,且具有良好频率特性的固体片式铝电解电容器。     

PA-CaP聚合物固体片式铝电解电容器在开关电源中的应用实验

PA-Cap简介 PA-Cap聚合物固体片式铝电解电容器,在材料和核心工艺上有重大创新.它在研究聚吡咯薄膜电聚合生长规律基础上,开发了在复杂多孔的绝缘体表面原位均匀生长高电导率聚吡咯膜技术,解决了聚合电解液长期使用过程中的自聚合难题;提出并实现了铝箔阳极阴极隔离阻断工艺、引入补形成过程新技术,保证了PA-Cap产品的优异电气特性.     

添加剂对聚吡咯固体铝电解电容器性能的影响

采用化学聚合和电化学聚合两步法合成聚吡咯(PPy),并用其制备固体片式铝电解电容器。研究了在电化学聚合液中,添加不同种类掺杂剂对所制备的电容器性能的影响。结果表明,分别加入0～0.02mol/L的阴离子表面活性剂十二烷基苯磺酸钠(DBSNa)、质量分数为1.0%～4.0%的非离子表面活性剂聚乙烯醇(PVA)或1.0%～4.0%的聚马来酸(HPMA),都可提高产品的静态容量和降低Res;加入DBSNa和PVA同时能提高产品的耐压值。     

PDLC制备过程中聚合物和液晶的选择

介绍了使用聚合引发相分离(包括热固化、紫外光固化和电子束固化)制备聚合物分散型液晶(PDLC:PolymerDispersedLiquidCrystal)的工艺和原材料,对不同聚合物与液晶的匹配进行了简单分析和总结,并整体评价了这些方法,指出了在实际应用过程中容易遇到的各种问题,对聚合物分散型液晶的制备工艺有一定借鉴作用。     

浸渍工艺对卷绕式聚吡咯铝电容器性能的影响

以单体和氧化剂为浸渍溶液,以四种不同的浸泡方式,对比研究了浸渍工艺对卷绕式聚吡咯铝电解电容器性能的影响。结果表明:与其他三种浸渍方法相比,用浸泡过硫酸铵和吡咯混合溶液的电容器芯子所制备的电容器性能最好,容量引出率达80%以上,tanδ小于0.082,100kHz下Res小于8m?。     

提高钽电容器可靠性的一种新老化方法

通过对钽电容器自愈机理的研究,针对传统老化方法不能彻底剔除电介质有缺陷的钽电容器的缺点,提出一种新的老化方法并对多种钽电容器进行老化实验。新方法可以有效识别并100%剔除电容器不良品,钽电容器生产率提高了50%,钽电容器失效率达到0.1%/(1 000 h),可靠性提高。经验证,这种新老化方法适用于固体电容器、片式钽电容器、聚合物钽电容器和液体钽电容器等多种元件的老化筛选。     

NbO电解电容器的结构及制造工艺新进展

较之钽电解电容器,NbO电解电容器电性能更好且价格较低.介绍了NbO电解电容器的结构和制造工艺.从材料及器件制备工艺两方面综述了国内外最近关于NbO电解电容器的研究新进展:通过镁蒸气两步还原法制备流动性较好的NbO粉体;对NbO粉进行掺杂和改性处理;在石墨层和银层中加入导电聚合物层,改善漏电流性能.最后对NbO电解电容...     

导电高分子钽电解电容器的研究进展

综述了导电高分子钽电解电容器的最新研究进展。比较了导电高分子钽电解电容器和二氧化锰钽电解电容器在结构、制造工艺和性能方面的差别。还介绍了聚吡咯(PPy)、聚乙撑二氧噻吩(PEDOT)和聚苯胺(PANi)钽电解电容器的研究状况。导电高分子膜的形成工艺对钽电解电容器性能影响很大。改进和开发新型阴极材料是降低钽电解电容器等效串联电阻Res的重要途径。     

Ta2O5介质膜性能对液体钽电容器性能的影响

叙述了钽电解电容器阳极Ta2O5介质膜的形成过程,分析了电解液闪火与氧化膜击穿的微观过程。利用扫描电子显微镜(SEM)分析了阳极氧化后及产品失效后阳极钽芯表面介质膜的微观结构,并对液钽电容器失效机理进行了探讨。结果表明,介质膜内杂质或缺陷处O2-放电产生的电子发射是电解液闪火和氧化膜击穿的前驱点;在高电场或高温度的作用下,介质膜的场致晶化和热致晶化是液体钽电解电容器失效的主要模式。     

高频低ESR钽电解电容器制造技术的实验研究

分析了影响钽电解电容器等效串联电阻（ESR）的因素,通过阳极钽块设计、硝酸锰溶液改性、优化被膜工艺以及多芯并联等措施,提出了高频、低ESR钽电解电容器最佳制造工艺。试验表明,应用新工艺生产的钽电解电容器,其ESR值大约是通用产品ESR值的1/3-1/2,而且多芯并联钽电容器的电容量在100kHz范围内的变化量在20%以内,高频性能有很大改善。     

PMMA基凝胶聚合物电解质MnO2电容器的研究

以沉淀法制备的MnO2为正极材料,活性炭(AC)为负极材料,甲基丙烯酸甲酯(MMA)作聚合物单体,碳酸二甲酯(DMC)与碳酸乙烯酯(EC)的混合液作增塑剂,高氯酸锂为支持电解质,采用内聚合法制备PMMA基凝胶聚合物电解质MnO2/AC混合电容器。测试结果表明,随着MMA含量的降低,凝胶聚合物电解质的电导率增大,电容器的比容量也随之增大,当MMA的含量为20%时,凝胶聚合物电解质的电导率可达6.1×10–3S/cm,比容量为34.02F/g。     

钽电容器用石墨导电胶的研究

以石墨粉和热固性树脂混合配成导电胶,分析了石墨粉、稀释剂的用量,固化温度,固化时间等与电阻的关系。结果表明:当石墨含量在25%～35%,稀释剂含量在20%～25%(均为质量分数)时,在150℃下固化2～3 h得到的导电胶导电性最好,能够满足作为钽电容器阴极引出材料的需要。并用“逾渗理论”解释了导电胶的导电机理,与实验所得结论相符。     

Accelerated testing for failures of tantalum capacitors

This study focused on the use of accelerated testing to find out why tantalum capacitors fail. Stress effects of humidity, temperature, and ripple voltage were examined in different combinations. Results show that a standard 85/85 test with combined enhanced moisture and temperature does not result in failure of tantalum capacitors in 2500 h. However, with added ripple voltage, failures may occur in a relatively short time. High relative humidity and high temperature both affect water diffusion, but apparently increased ripple voltage in 85/85 testing causes tantalum capacitor characteristics to weaken and capacitors to fail. The paper elaborates on the possible reasons.     

ALD氧化铝薄膜介电性能及其在硅电容器的应用

硅基高密度电容器是利用半导体3D深硅槽技术和应用高介电常数(高K)材料制作的电容。相比钽电容和多层陶瓷电容(MLCC),硅基电容具有十年以上的寿命、工作温度范围大、容值温度系数小以及损耗低等优点。文章研究原子层沉积(ALD)制备的Al2O3薄膜的介电特性,通过优化ALD原子沉积温度和退火工艺,发现在沉积温度420℃和O3气氛退火5 min下,ALD生长的Al2O3薄膜击穿强度可大于0.7 V/nm,相对介电常数达8.7。制成的硅基电容器电容密度达到50 nF/mm2,漏电流小于5 nA/mm2。