高分辨网栅型Au—Si表面势垒探测器的制备和性能

制备了对紫外光灵敏且有较高能量分辨的网栅型Au-Si表面势垒探测器,其有效面积为12.56cm~2,金网栅电极厚195×10~(-10)m。对~(241)Am 5.486 MeV α粒子在室温和低真空条件下能量分辨是55-80 keV。探讨了制备工艺并测试了性能。     

阵列CsI(T1)探测器鉴别轻带电粒子

文中描述了一个5×5阵列CsI（T1）探测器结构以及对轻带电粒子的鉴别,CsI晶体有快慢两种成分,通过不同延迟和积分门的选择得到这两种信号,来进行轻带电粒子的鉴别。经过理论模拟和实验测试,发现不同的延迟和门的宽度对鉴别能力都有影响。     

被污染Au-Si表面势垒探测器性能的恢复方法

金硅面垒半导体探测器是带电粒子能谱测量和α,β放射性强度测量的重要探测元件。这种探测器具有近似理想的伏安特性、噪声低、入射窗薄、线性好、脉冲上升时间短,能量分辨好等优点;另外又能做成各种几何形状如园形、矩形、环形、条带阵列以及探测器耗尽厚度可根据工作需要直接制备出厚为几微米到几毫米的全耗尽探测器;还可通过较灵     

金硅面垒8Be探测器的研制

介绍了金硅面垒^8Be探测器的制造工艺和测试结果。有效面积157～570mm^2,厚度为280μm．工作电压100～150V时,其漏电流0．04～0．12μA。对于8．78MeVα粒手的能量分辨率为0．54％～0．80％．用该探测器通过对^8Be带电粒子的角关联测量确定高激发能级的宇称及自旋。     

金硅面垒探测器的修复与保养

介绍了金硅面垒探测器因放射性的污染或粉尘、油渍等污物的沾附．致使其性能变坏而无法正常使用时．通过清洗和一定的处置使其性能恢复的方法。同时．还叙述了金硅面垒探测器的维护保养方法和使用注意事项。     

RBS法测量重元素衬底上轻元素薄靶厚度的方法研究

在核反应实验中,靶厚的精度往往会直接影响实验结果的可靠性。为精确测量重元素衬底上轻元素薄靶的厚度,本文通过卢瑟福背散射(RBS)法,使用能量1.5 MeV的质子束对蒸镀在300 μm厚¹⁸¹Ta衬底上薄⁷⁴Ge靶的厚度进行了测量。RBS法测量结果与称重法相差较小,但信噪比从1∶2 000提升到1∶12,靶厚相对不确定度由10%减少到5%左右。同时采用SIMNRA软件对测量结果进行了模拟验证,模拟能谱与实验能谱符合较好。通过RBS法测量重元素衬底上轻元素薄靶的厚度,尤其当重元素衬底的质量远大于靶物质时,可有效提高测量结果的信噪比及不确定度,为核反应实验的分析提供了较好的依据。     

在刻度Si(Au)面垒半导体探测器中发现的一个问题及其解决方法

在刻度Si(Au)面垒半导体探测器过程中观察到241Am标准放射源的的峰道址随入射窗的位置及大小的移动现象.猜测原因可能是Au层镀的不均匀导致电子-空穴对的复合几率增加,但具体原因仍需要进一步分析.由于这对重离子-原子碰撞实验中测量背散射谱极为不利,我们给出解决该问题的方法是固定入射窗的位置及大小,并刻度两套背散射谱仪,其对称放置在靶室内同时测量背散射离子,通过比较便可得到可信的实验结果.     

等离子氧化面垒探测器的研制

本文报道了一种制备面垒探测器的新工艺——等离子氧化工艺。初步的实验结果表明,探测器制作周期短、性能稳定、制作重复率高。灵敏面积直径为20mm的探测器(电阻率1000Ωcm)在室温下对α粒子的能量分辨率为0.7％(~(241)Am(α))。     

适合野外用的金硅面垒探测器

本文介绍了适合室内和野外应用的金硅面垒型β,γ,α射线探测器的辐射性能及其抗恶劣环境性能。该探测器对β射线(~(90)Sr+~(90)Y)与对γ射线(~(60)Co)探测效率之比可达150:1。因此,可在较强γ场中测量β射线。它还能在β,γ,α混合场中测α射线。     

Response of Si p-i-n diode and Au/n-Si surface barrier detector to heavy ions

Pulse height versus energy calibrations of a Si p-i-n diode and a Au-/n-Si surface barrier detector have been studied for heavy ions with atomic number (Z₁) from 3 to 79 in a range from 0.1 to 0.8 MeV per nucleon as a function of bias voltage and detector tilting angle. The detector response is simultaneously measured using a time of flight-energy elastic recoil detection analysis set-up with recoils produced over a wide energy range from a thick target of each element. Prior to impinging on the Si detector, the individual recoil is tagged by its energy determined from the time of flight and tabulated isotopic mass. For both detectors, the pulse height-energy calibration for recoils with a given Z₁ is described well by a linear relationship with small systematic deviations. The linear-fit parameters show similar, but not identical dependence on both Z₁ and bias voltage (collecting field strength) for the surface barrier detectors and the p-i-n diode. These results suggest that the efficiency of electron–hole pair collection is markedly dependent on the different electric field configurations for the two detector structures.