提高真空灭弧室额定电流下的开断次数

本文述叙真空灭弧室加强型纵向磁场的触头结构。纵向分量磁场的单位感应密度达到１０ＭｒЛ／ｋＡ。从而缩短了收缩型强电弧（１〉１０ｋＡ）变为准扩散型电弧的时间，在电弧由收缩型变为准扩散型之前，电弧在整个触头表面的运动是收缩在磁场横向分量上。控制这两种强电流电弧变态可以降低触头分断速度并且在保持短路电流分断能力的情况下能成倍地提高真空灭弧室的开断次数。     

对普通触头材料和低浪涌触头材料的真空电弧不稳定性能的实验研究

小电流真空电弧中大量存在着比正常弧压着１０倍的短时（小于５００ｎｅ）峰值弧压（“不稳定性”ＡｇＷＣ（低浪涌）和ＣｕＣｒ（普通）触头材料的真空工关管中出现许多不稳定的参数在变流电路中进行了统计分析，发现中等上升速率（ＣｕＣｒ为２．８ｋＶ／μｓ，ＡｇＷＣ为０．６３ｋＶ／μｓ）和高幅值（ＣｕＣｒ为１３４Ｖ，ＡｇＷＣ为５４Ｖ）上有明显的差异。这些参数很可能反映了象恢复和截流水平这样重要的开断特性。它表明截     

利用综合试验电路对真空断路器的熄弧范围进行初步研究

进行这项工作是为了说明有Ｌ－Ｃ谐振回路的综合试验电路对初步研究真空断路器的作用。这项研究试验是在３６ｋＶ的真空断路器上进行的，试验电流的有效值为５－１０ｋＡ， 是分清瞬态恢复电压的不同参数。如平均上升速率，峰值对开断能力的影响。     

开断电流幅值变化对充过零后的残余电流和间隙恢复的影响

对于横向磁场触头的真空开关管，它的弧后电流波形是在短路电流开断后，施加１５ｋＶ／μｓ（ＲＲＲＶ）左右的瞬态恢复电压（ＴＲＶ）来进行测量的。在电流过零后时，使电流斜率ｄｉ／ｄｔ保持恒定，工频（ＰＦ）电流ＩＰＦ幅值需在额定短路电流的０．５到２倍之间变化。工频电流ＩＰＦ对间隙记忆的的重要影响明显反映在弧后电流在２到８μｓ的持续期间。根据现有的物理模型，作者给出了实验结果。实验表明记忆效应影响间隙恢复时间     

真空开关管加强型磁场触头

本文描述真空开关管中具有放大了的纵向磁场触头的设计。规定的级向磁场的磁感应达１０ｍＴ／ｋＡ，这是大电流电弧由聚集型向准扩散型转化时间减少的缘故。触头表面的电弧运动由聚集型向准扩散型墨迹的横向磁场来控制。两种大电流电弧模型都可以降低触头分离速度。在单相实验中，直径约７０ｍｍ的触头可分断２５－２７ｋＡ的电流，其分离速度为１．１ｍ／ｓ和０．８ｍ／ｓ，５０Ｈｚ，恢复电压为３５ｋＶ。     

高稳定低纹波偏压电源

文章叙述了一台输出电压０一１００Ｖ连续可调，输出电流１００ｍＡ的小型高频锯齿波发生器偏压电源，输出２０—１００Ｖ，电压稳定性优于±３×１０－５，峰－峰值相对纹波电压优于３．５×１０－５     

真空灭弧室各种触头材料在开合负载条件下的性能

在过去几年里,真空开关原理在中压系统中得到了广泛的认可。当控制大电路电流的真空断路器几乎都采用ＣｕＣｒ２５（重量％）至ＣｕＣｒ５０作为触头材料时,用于开合较低负载电流（如接触器）的真空灭弧室所选用的触头材料还未确定,这种材料也必须满足多次开合操作下的低烧蚀、低截流值、产生高频瞬态电压的可能性以及灭弧能力好等要求。人们不仅经常采用以难溶成份为基本组分的材料,如ＷＣｕ、ＭｏＣｕ、ＷＣＡｇ等,而且似乎也在使用ＣｕＣｒ材料。本文的目的是研究这些材料在负载及超负载条件下的开断性能。实验是在合成试验电路中利用一个真空试验室进行的。试验室的触头处于有效值达７ｋＡ的燃弧电流,峰值为２３ｋＶ的瞬态恢复电压的作用下。利用扫描电子显微镜,我们比较了各种触头材料的开断能力和燃弧后的触头表面状况。     

真空断路器的开断容量与电流频率的关系

这篇文章展示了小真空间隙（０．３ＭＭ）时，频率从５．９ＫＨＺ到６０ＫＨＺ开断电流的实验研究结果。使用ＣｕＣｒ２５制作的直径为８０ＭＭ的横向杯状触头，触头两端加上阻尼正弦波电流。电流幅值为１．０－１４．５ＫＡ。得出一系列相关结论：在小真空间隙中，重燃电压累积分布函数的种类与累积概率：电流频率与电流幅值，初次放电的电弧电流以及零间隙时的电流变化率对重燃电压和高频开断电流容量的影响。     

集聚型大电流真空电弧弧根的研究

用快速成像的ＣＣＤ摄像机可以研究集聚型大电流真空电弧下的阳极和阴极弧根。该研究在杯状触头上进行，采用振幅为２０－１００ＫＡ，半波宽度为１１．５ｍｓ的正弦电流。触 头分离时，电弧被拉开，并受电弧电流与横齿形触 头产生的横向磁场之间的朗兹力作用而加速。     

用TL431提供恒定偏流的电桥

用可调的分流基准,如ＴＩ的ＴＬ４３１,能够为如图所示的硅压传感器桥路提供恒定的电流偏置。这个电路比使用运放结合分立基准源的方法和使用恒流二极管（需温度补偿）的方法都要简单。ＴＬ４３１可产生一个从１ｍＡ到１００ｍＡ电流范围的２．５Ｖ基准。Ｖｒｅｆ／Ｒ２的值是传感器桥路必要的恒定偏置电流,该值应按传感器制造商指定的值来设置。流经ＴＬ４３１的电流由Ｒ１和电源电压Ｖｓ设定,通常让它等于桥路的电流。例如,电源电压为１２Ｖ时,ＴＬ４３１和桥路电流为１ｍＡ,并且桥路的阻抗为５Ｋ,那么Ｒ１应为２２５０欧姆,Ｒ２…     

纵向磁场对真空电弧作用的研究

本文研究了真空电弧与使其保持扩散型的纵向磁场间的关系，并得出了电弧电流与纵向磁场间的关系式。     

带有固定极性电弧屏蔽罩的螺旋形触头间的真空电弧的运动

用分帧摄像机可以研究两个螺旋形触头间的情况。这种研究是给弧柱施加一横向磁场，并将一圆筒形的电弧屏蔽罩焊接在固定电极上。当这一固定电极和屏蔽罩为阴极时，可以观察到，屏蔽罩上的阴极斑点是通过两种途径产生的。其中一种就是只有当弧柱很强烈时才会产生阴极斑点，这种强烈的柱形电弧对阴极和阳极焊根（ＩＡＲＣ〉２５ｋＡ峰值）都有的侵蚀能力。这种情况下，当电弧弧柱沿着触头边缘被驱动时，弧驻和屏蔽罩之间会有短暂的相互     

大电流开断时集聚型真空电弧向扩散型真空电弧的转变

本文描述了电流下降到零时，固定间隙为１０ｍｍ的平板触头间的大电流真空电弧的三种类型：（１）集聚型－－没有形成足够数量的单个阴极斑点；（２）集聚型－－除集聚的阴极根外，还有大量的阴极斑点；（３）扩散型。本文指出了大电流真空电弧在转变为扩散状态之前，最具代表性的型式是在其中同时存在触头边缘附近的集聚放电和一组自激有斑点。同时，也测量了从集聚型真空电弧向扩散型真空电弧转变的临界电流。     

带辅助阴极的真空触发管

本文研究了通过脉冲等离子源触发的真空触发时（简称ＴＶＳ）的起动特性，等离子源通过辅助ＲＬ线路与ＴＶＳ的主阴极连接，相对于流过放电电流的主阴极，Ｒ线路调节了等离子源了电位。等离子（通过触发装置产生的）与阴极间出现的击穿现象的条件已确定。根据获得的数据，完成了ＴＶＳ起动特性作为ＲＬ线路参数的函数，当起动的范围从１变到１２ＫＶ，放电电流上升率为５．１０＾１０Ａ／Ｓ，电流达４ＫＡ，触发电流为９０Ａ时，测得     

真空微电子器件的数值模拟

本文介绍了一种对真空微电子器件进行电特性数值模拟的有限差分法。计算了场致发射电流与锥体的曲率半径ｒ＿（ｔｉｐ）、锥体半角度θ＿（１／２）、栅孔半径ｒ＿ｇ和锥体高度ｈ的依赖关系。栅压Ｖ＿ｇ＝１００Ｖ，锥体发射阴极对曲率半径ｒ＿（ｔｉｐ）、栅孔半径ｒ＿ｇ的电流灵敏度分别是３．７×１０￣７Ａ／ｎｍ和１．１×１０￣３Ａ／μｍ。     

双路输出,开关型稳压器MAX743及其应用

ＭＡＸ７４３是ＭＡＸＩＭ公司近年推出的ＤＣ－ＤＣ转换器集成电路，它包含了所有构成小型、双路输出电路所需的电路。ＭＡＸ７４３可将４．５Ｖ～５．５Ｖ的电压转换成±１２Ｖ或±１５Ｖ电压，并可相应提供±１２５ｍＡ或±１００ｍＡ的电流。由于ＡＭＸ７４３具有内部...     

WJW—5kVA全自动交流稳压电源的原理与维修

ＷＪＷ－５ｋＶＡ全自动交流稳压电源的原理与维修邵寨祖，周爱民ＷＪＷ－５ｋＶＡ全自动交流稳压电源有以下几个特点：１．它克服了一般（ＺＪＷ系列）自动交流稳压器在电网电压波动时，切换期内瞬时失电的缺点。２、有过压和欠压保护、报警，当输入低于１４５Ｖ、输出低...     

电极分离时小电流直流真空电弧的产生及其寿命

本文对电极分离时小电流直流真空电弧的产生过程及其寿命进行了试验、研究。试验中采用铜电极,电弧电流定为小于50A。试验中测量出了在电弧产生过程及燃弧期间电极的电压和电流的波形。测量结果表明：电弧寿命与电弧电流和直流源输出电压有关。可以看出,为了产生电弧,在电极分离时,电极间必须有一个大于某临界值的电压。电弧产生后,电弧电压电一个大约20V的直流电压和一个高频交流电压迭加组成。而电弧电流的同一个直流电流与一个高频交电流合成。在此次试验条件下,电流寿命很短,不到Is,但它会随着电弧电流和电流源输出电压的增大而增大。     

用强流金属离子源研究Ti－Si化合物的形成

利用金属蒸汽真空弧（ＭＥＶＶＡ）离子源引出强流Ｔｉ离子注入单晶硅，当ＭＥＶＶＡ源引出电压为４０ｋＶ，束流密度达到１００μＡ／ｃｍ２，Ｔｉ离子剂量为５×１０１７／ｃｍ２，Ｔｉ离子注入单晶硅可得到Ｃ５４－ＴｉＳｉ２的注入层，且薄层电阻低于３．０Ω／□．本文用束流热效应讨论了形成硅化物的机理．     

自封闭低压硅场致发射二极管的研究

本文首次利用硅片直接键合（ＳＤＢ）技术实现了具有一定真空度的自封闭硅微二极管．实验测得该４０×４０阵列场发射二极管的开启电压只有５Ｖ左右，发射电流在２５Ｖ时可达１０－４Ａ量级．文中还对键合形成的微真空腔的机理进行了详细的分析．