超薄液晶面板

夏普最近成功推出厚度为0．89mm的超薄液晶面板。画面尺寸为2．2in，像素数为320×240。最近各面板厂商纷纷面向手机开发薄型产品。此次夏普开发的产品比东芝松下显示器技术所开发的厚度为0．99mm的面板更薄，成为业界最薄。     

液晶显示面板切裂智能生产线设备技术

随着液晶面板面积增大,厚度越来越薄,液晶面板制造设备从人工密集型低世代生产线向高世代自动化和智能化生产线方向发展.液晶显示面板切割裂片生产工艺是液晶面板制造重要的一道工序,直接影响液晶面板产品的最终质量.分析了液晶显示面板切裂智能生产线设备的结构性能,重点论述了切裂生产设备的图像识别对位、柔性集成和数字化接口等技术内容...     

深圳市联兴达科技有限公司

日经电子报道,2004年4月7日-9日在东京BigSight会展中心举办的"EDEX2004电子显示器展示会"上,东芝松下显示器技术公司(TMD)首次公开了使用厚0.2mm的玻璃底板制作的液晶面板。用两张玻璃底板夹住液晶,然后在前后各粘一张偏光板,完成之后的厚度约为1mm。从目前的情况,很快就会开发成功加上背照灯等元件、"厚度仅为1mm左右"的液晶面板模块。TMD此次试制的是面向手机的采用1.8英寸低温多晶硅TFT的液晶面板。此前该公司已完成了使用0.3mm玻璃底板的液晶面板的批量生产。TMD的解说员说:"市场上迫切需要尽可能薄的液晶面板,此次通过全面提…     

智能手机用薄印制电路板技术与可靠性考虑

下一代智能手机为进一步减少其产品厚度,将需要非常薄的多层印制板。文章叙述了薄的任意层积层HDI板之三种不同的制造方法,对用这三种不同方法制造的测试样板进行相关可靠性测试,以确认制造高端智能手机用PCB技术的有效性。三种试验板均为八层积层板,整体厚度小于0.5mm。进行了再流焊试验、高低温循环试验、高加速应力试验,比较它们的可靠性优劣。     

GaAs基通孔刻蚀的崩边形成机理研究

在砷化镓(GaAs)集成无源器件(Integrated Passive Device, IPD)的制作工艺中,通孔刻蚀是一道重要环节。蚀刻孔边缘的GaAs会被蚀刻,由此引发崩边并对器件性能及可靠性造成不利影响。本文中,用于通孔蚀刻的GaAs厚度不小于200 μm,通孔边缘没有被蚀刻的痕迹,以实现金属导线的平滑连接。采用光阻和金属来充当掩膜,有效解决了单一光阻因厚度过高而变形或者厚度薄导致GaAs衬底被蚀刻的问题。通过优化工艺,在光阻厚度为32 μm、金属掩膜厚度为0.5 μm、金属蚀刻时间为60 s以及感应耦合等离子体(Inductively Couple Plasma, ICP)蚀刻4000 s的条件下,得到了孔深为200 μm且通孔边缘平整的形貌。分析了 GaAs 崩边形成的主要原因与机理,并通过优化工艺解决了200 μm通孔的崩边问题,从而提高了器件性能及可靠性。     

LGD isplay开发出厚2.6mm的42英寸液晶面板

LG Display宣布开发出了厚度为2.6mm的42英寸液晶面板,称这是＂大型液晶面板厚度首次达到3mm以下＂。在LG Display的42英寸面板中,以往最薄的是2009年5月发布的面板,为5.9mm。此次的薄型液晶面板组合使用LED及极薄的导光板作为背照灯,     

用于TFT-LCD的大功率LED侧式背光系统

用蓝光激发黄色荧光粉发出的1W大功率白光LED作为TFT-LCD背光光源,LED左右两侧各12个以13.2mm等间距排列;采用由反射率为95%的反射镜构成的光学腔代替传统复杂的导光系统进行导光,仅仅用反射镜将LED发出的光导入液晶面板底部,减少了背光结构的复杂程度;利用光学模拟软件Tracepro对设计的侧式背光系统的LED阵列位置及反射镜位置等参数进行模拟优化,设计了可应用于26.4cm(10.4in)TFT-LCD的大功率白光LED侧式背光源系统。经过优化的背光系统,其亮度均匀性和光利用率分别达到87%和74%,背光系统的几何尺寸为292mm×164mm×20mm。     

刚-挠印制电路板制造工艺

刚性板部分内层成像后需要经过蚀刻，去膜和开窗口以及黑化处理转入层压工序。刚性部分的外层采用双面环氧玻璃布覆铜箔层压板，在厚度方面为适应薄型化的发展需要，有的已经采用0.2毫米或更薄的基材：在制作刚性板只作为内层的一面，然后开窗口部分加工。这是从刚性层除去挠性部分。     

过孔刻蚀工艺优化对过孔尺寸减小的研究

为了适应TFT-LCD小型化与窄边框化以及在面板布线精细化的趋势,提高工艺设计富裕量以及增加面板的实际利用率,之前做过钝化层沉积工艺优化来减小液晶面板阵列工艺中连接像素电极与漏极的过孔尺寸的研究。本文在此基础上进行过孔刻蚀工艺的优化,从而最终达到进一步减小过孔尺寸实现TFT-LCD小型化与窄边框化的趋势。通过设计实验考察了影响过孔大小刻蚀主要影响因素(功率、压强、气体比率、刻蚀速率选择比)。实验结果表明,在薄膜沉积优化的基础上可使过孔的尺寸再降低10%~20%。对其进行了良率检测与工艺稳定性评价,最终获得了过孔尺寸减小的方案,并成功导入到产品生产中,从而提高了产品品质。     

无线供电用线圈组件

该接收线圈组件使用TDK独有的金属软磁性薄片,厚度仅有0.57mm。不仅具有线圈组件的"薄"与"轻"的特点,还确保了原有的耐冲击性,在可靠性方面具有显著优势。同时,线圈在薄的基础上还尽量控制电阻值增大,虽厚度仅为0.57mm,但传输效率仍能达到WPC标准Qi认证所需水平,满足了装配于智能手机时的薄型要求。现阶段的输出电流在0.5～0.6A水平,今后将进一步开发厚度为0.50mm的产品,并将输出电流保持在同等以上水平。主要应     

TFT-LCD生产工艺环境

文章介绍了TFT-LCD的生产工艺环境,主要阐述了洁净室的管理和在洁净室的一些操作流程。洁净室的洁净等级非常重要,它将直接影响到TFT-LCD生产的合格性,如果没有良好的洁净度等级,那产品的成品率会大大地降低。对于洁净室的管理,必须要做到不带入、不产生和不积累任何的灰尘,这样才可以保证产品生产的正常运行。     

过孔的不同干法刻蚀工艺对TFT-LCD性能的影响研究

为了改善过孔的干法刻蚀中刻蚀率的不同导致SD线和P-Si接触面积不一致的问题,同时解决ELA工艺导致PSi表面突起而造成SD与P-Si点状接触的问题,探究了过孔的不同干法刻蚀工艺对TFT-LCD性能的影响,从中找出最佳的过孔干法刻蚀工艺。利用京东方产线设备制备了两种不同的LTPS阵列样品,样品一的过孔工艺采用传统的底部接触方式,样品二采用新的侧面接触方式,样品一和样品二其余的工艺过程一致。实验结果表明:多点的U-I曲线由发散变为集聚,电子迁移率有所提高;SEM数据表明采用侧面接触方式能够完全将P-Si刻穿。采用侧面接触方式能够明显的解决干法刻蚀中刻蚀率的不同导致SD线和P-Si接触面积不一致的问题,同时避免了ELA工艺导致P-Si表面突起而造成SD与P-Si点状接触的问题,电学性能有所改善,同时减少了工艺时间,提高了产能。     

TFT-LCD制造过程中的盒厚控制工艺研究

以国内最先进的第5代TFT-LCD生产线为基础,对生产过程中影响盒厚的因素进行探讨和研究,为TFT-LCD生产中的盒厚控制提供参考。主要探讨了TFT-LCD生产中,液晶滴下工艺、垫料散布工艺、封框胶涂敷工艺对液晶盒厚的影响。     

TFT-LCD生产设备洁净度提升研究

洁净室设备内环境是产品最近的环境,设备内洁净度直接影响产品品质,随着现在科学技术的高速发展,对生产设备内部环境洁净度要求越来越高.通过薄膜晶体管液晶显示模块(TFT-LCD)生产线设备内环境洁净度的提升,得到了非常重要的一线数据,积累了很多经验.粒子(Particle)是洁净间产品品质最大的敌人,设备内环境就是产品的环境,设备内环境洁净度的改善和控制是非常重要和必要的.     

高世代线TFT-LCD面板对盒精度的提升

对盒精度提升是高世代TFT-LCD面板生产线产品小型化、薄型化、高PPI(300+)与高开口率升级的必备核心技术。通过阵列(Array)与彩膜(CF)关键位置/尺寸匹配性优化与离散性优化,首次尝试阵列关键位置精度(TP)非线性补正功能,并钻研成盒(Cell)过程中基板翻转稳定化、封框胶设计与涂布工艺优化,实现电视机、显示器、笔记本、平板电脑等产品对盒精度由7.5μm降低至5.5μm;在解决显示器产品按压Mura与平板电脑产品像素漏光的同时,对产品开口率的贡献也随着产品PPI的升高而增加,PPI 300+产品的开口率余量提高14.8%,有效提升了高世代TFT-LCD面板生产线小尺寸/高PPI产品核心竞争力、收益性和产品群组合。另外,本文建立高世代TFT-LCD面板生产线对盒精度分析方法、对策检讨及改善的标准流程,形成新产品阵列TP非线性补正和对盒辅助封框胶的设计基准。     

Evaluating Reliance Level of a Virtual Metrology System

This paper proposes a novel method for evaluating the reliability of a virtual metrology system (VMS). The proposed method calculates a reliance index (RI) value between zero and one by analyzing the process data of production equipment to determine the reliability of the virtual metrology results. This method also defines an RI threshold. If an RI value exceeds the threshold, the conjecture result is reliable; otherwise, the conjecture result needs to be further examined. Besides the RI, the method also proposes process data similarity indexes (SIs). The SIs are defined to assess the degree of similarity between the input set of process data and those historical sets of process data used to establish the conjecture model. The proposed method includes two types of SIs: global similarity index (GSI) and individual similarity index (ISI). Both GSI and ISI are applied to assist the RI in gauging the reliance level and locating the key parameter(s) that cause major deviation, thus resolving the VMS manufacturability problem. An illustrative example involving 300-mm semiconductor foundry etching equipment is presented. Experimental results demonstrate that the proposed method is applicable to the VMS of production equipment (such as that for semiconductor and TFT-LCD).     

Precise thin-film etching process using a rectangle cathode tool

The low yield of indium-tin-oxide (ITO) usually persists throughout the processes of semiconductor production. By establishing a recycle process for ultra-precise etching of the ITO thin-film, the semiconductor industry can effectively recycle defective products, thereby reducing both production costs and pollution. This study presents a new nanotechnology application of recycle process of ITO etching using a rectangle cathode tool that offers a fast etching rate from color filter surface of TFT-LCD. In the current experiment, the design features of the etching process for a thin-film nanostructure of ITO are of major interest. Low thickness of the rectangle cathode, adequate gap-width between the cathode and the workpiece, large flow rate of the electrolyte, or high working temperature corresponds to high etching rate for ITO thin-film. An effective rectangle cathode tool and low-cost recycle processes using the electrochemical etching need little time to enable easy and clean ITO thin-film nanostructure etching.     

湿法刻蚀FI CD均一性的影响因素及提高刻蚀均一性的研究

随着高分辨率产品导入,TFT-LCD阵列段各项参数范围越来越小,工艺要求更为严格,为了更好地管控湿法刻蚀各项参数,本文以湿法刻蚀FI CD(Final Inspection Critical Dimension)均一性的影响因素及如何提高FI CD均一性为目的进行研究。首先,通过对湿法刻蚀设备参数(主要包括刻蚀液温度、流量、压力、浓度、Nozzle Sliding、Oscillation Speed、刻蚀时间等)进行试验,验证各项参数对FI CD均一性的影响。其次,对沉积工序、曝光工序以及产品设计等进行试验,获悉影响因素并进行改善。通过对湿法刻蚀设备自身参数的调整,如减少设备温度、流量、压力波动,使参数保持相对稳定状态,可有效改善湿法刻蚀FI CD均一性,FI CD的均一性可从1.0降低至0.5。通过对湿法刻蚀设备参数进行试验并做相应调整,湿法刻蚀FI CD均一性改善效果显著。     

TFT-LCD制造工艺中金属或金属复合膜层坡度角的研究

在薄膜晶体管液晶显示器(TFT-LCD)面板制程中,Gate层(栅极)电路和SD层(源极)电路根据产品电阻等要求可以使用纯金属膜层,如钼、铜等金属膜层,也可以使用金属复合膜层,如铝钼、铝钕钼、钼铝钼等金属复合膜层。当使用不同金属或金属复合膜层作为Gate、SD电路时,应当对应不同的刻蚀液。但在实际生产时,往往是一种刻蚀液同时对应金属膜层或金属复合膜层。由于钼金属膜层的Etch Rate(刻蚀速率)大于铝钼等金属复合膜层Etch Rate,所以当铝钼等金属复合膜层刻蚀完成后对应坡度角有时会存在异常,如膜层角度较大(80～90°)、顶层金属钼发生尖角或缩进等现象,产生宏观不良及进行后工序时会产生相应的光学不良或导致后层物质残留,影响产品品质。本文针对金属膜层或金属复合膜层坡度角进行影响因素分析,主要受刻蚀工序及曝光工序影响。通过对刻蚀液浓度调整、温度调整、刻蚀方式调整及曝光工序等调整减少金属钼发生尖角、缩进几率,将金属膜层坡度角控制在60°左右及金属复合膜层坡度角控制在50°左右,从而降低不良的发生率,提高产品品质。     

Ultra uniform arrays of micro patterns on large area substrate by employing wet chemical etching

A wet chemical selective etching process is presented to delineate ultra-uniform micro patterns in the form of arrays of sensor chips of 4 mm×4 mm size in the matrix of 9×9 on a 3″ diameter silicon substrate with uniform physical and electrical characteristics. The selective etching of thin film is confined to the top area by masking its outer edges. This leads to uniform etching of the entire film leading to ultra-uniform delineation of arrays of micro patterns. The process has been verified over the selective etching of doped polysilicon in defining the polysilicon resistors and subsequently has been applied on realizing Ti/Au interconnecting lines using wet chemical etchant. Experimental results are presented with physical and electrical characteristics of the patterned structures in the statistical form over the substrate surface. SEM analysis is carried out for physical dimension measurement and standard deviation of 0.0040 is observed in polysilicon micro patterning. The process is competitive with reactive ion etching (RIE) in terms of yield, reliability and repeatability with cost effectiveness in a production environment. Methodology of ultra-uniform etching on entire substrate area is developed in support of the experimental results. The ratio of Top Surface Area (TSA) and Total Exposed Surface Area (TESA) is shown as crucial parameter for the uniform etching of thin films.