非线性平板波导的横电模

本文提出分析线性薄膜一侧或两侧为非线性介质时自聚焦非线性平板波导横电导模的普遍方法，导出普适的色散关系式，并对两类非线性介质（ｎ２＝ｎ２＋αＥ２＋βＥ４及ｎ２＝Ｎ２＋δＥ＋αＥ２）导出了计算模折射率与功率流，薄膜功率流与总功率流间关系以及模场函数的解析公式，给出了计算方法与步骤，并进行了实例计算与讨论。     

非线性度为2^n—2＋t（1≤t〈2^n—4）的n元布尔函数分布

本文研究了非线性度为２＾ｎ－２＋ｔ（１≤ｔ＜２＾ｎ－４，ｎ≥５）的ｎ元布尔函数分布问题，并通过刻划陪集结构与特征，确定了分布。     

严格择多逻辑函数的密码学特征

本文主要讨论了当ｎ＝２＾ｍ＋１（ｍ＞１）时，ｎ阶严格择多逻辑函数的代数正规形式中，所有的阶为ｋ（ｎ＋１）／２≤ｋ≤ｎ－１）的非线性项都出现，从而从密码学角度来说，这种函数有好的密码学特征。     

非线性薄膜波导的有限差分法计算

对于芯区为非线性介质、覆盖层和衬底为线性介质的平板波导,以克尔型薄膜为例,用有 限差分法导出了非线性波导的场分布和功率的数学表达式,并给出了典型实例的计算数据和 曲线。这种方法编程十分简单,有普适性,可精确求得非线性薄膜波导中场强与功率的分布。     

一个经典静电问题解的讨论

本文用几何方法导出静电场中沿力线电场量值的常微分方程（ｄＥ／ｄｎ）＋２Ｈ（ｎ）Ｅ＝０．并求得了它在特定情况下的准确解，又给出了一些近似解，发现当用于边界上时，由此微分方程不可能获得导体面电荷密度的精确表达式。     

一个经曲静电问题解的讨论

本文用几何方法导出静电场中沿力线电场量值的常微分方程（ｄＥ／ｄｎ）＋２Ｈ（ｎ）Ｅ＝０。并求得了它在特定情况下的准确解，又给出了一些近似解。发现当用于边界上时，由此微分方程不可能获得导体面电荷密度的精确表达式。     

纵向泵浦的激光介质最佳长度

本文导出了纵向泵浦的激光介质最佳长度的数学表达式：Ｌｏｐｔ＝２／αｐ（１－πｈｃｗ＾２／τσλｐＰｐｏ·１／β），介绍了一种确定最佳长度的简单方法，并对某些理论和实验结果作了分析讨论。     

(Zn,Nb)掺杂SnO2压敏材料的电子特性

依据缺陷势垒模型选取Ｚｎ＾２＋和Ｎｂ＾５＋复合掺杂的ＳｎＯ２陶瓷进行研究,测量了材料的密度、失重率等物理性质和非线性系数、电流－电压（Ｉ－Ｖ）关系曲线等电子性质,利用低电流区电流密度与电场（ｌｏｇＪ－Ｅ）的线性关系定性地讨论了势垒高度与非线性之间的关系。     

PrBa2Cu3O6.3和YBa2Cu3O6.3材料的红外声子谱的比较

报道了ＹＢａ２Ｃｕ３Ｏ６．３和ＰｒＢａ２Ｃｕ３Ｏ６．３多晶陶瓷ｃ抽取向薄膜中的红外光谱，在ＰｒＢａ２Ｃｕ３Ｏ６．３中以９个声子模，对应于５Ｅｕ＋４Ａ２ｕ振动。在ＹＢａ２Ｃｕ３Ｏ６．３材料中观察到１０个声子模，对应于６Ｅｕ＋４Ａ２ｕ振动，其中Ｐｒ的Ｅｕ和Ａ２ｕ模分别为位于１７０ｃｍ＾－１和１９８ｃｍ＾－１，Ｙ和Ｅｕ和Ａ２ｕ模分别位于１９１ｃｍ＾－１和２１７ｃｍ＾－１ＰｒＢａ２Ｃｕ３Ｏ６．３和ＹＢａ２     

ZnS：Mn^2＋纳米晶与钠硼硅玻璃复合体中的g因子漂移

对ＺｎＳ：Ｍｎ＾２＋纳米晶钠硼硅玻璃复合体进行了ＥＰＲ实验研究,确定Ｍｎ＾２＋在ＺｎＳ基质晶格中有３种形态：替位态（Ｍｎ＾２＋）ｓｕｂ,间隙态（Ｍｎ＾２＋）ｉｎｔ和Ｍｎ团簇。观测到ｇ因子随纳米晶粒径的减小而增大。对ｇ值进行了理论拟合,结果与实验符合很好。分析和讨论了这种量子限域下ＺｎＳ的ｓｐ＾２和Ｍｎ的３ｄ＾５电子态杂化所引起的ｇ－漂移。     

非线性薄膜波导的精确数值解

对于芯区为非线介质、覆盖层和衬底为线性介质的平板波导,以克尔型薄膜为例,用数值积分法和有限差分法导出了非线性导波的场分布和功率的数学表达式,并给出了典型实例的计算数据和曲线。这两种方法编程都十分简单,有普适性,可精确求得非线性薄膜波导中场强与功率的分布。     

La—Ca—Mn—O薄膜的巨磁效应

报道了Ｃａ掺杂量对Ｌａ－Ｃａ－Ｍｎ－Ｏ巨磁薄膜材料的巨磁效应影响，测量薄膜电阻（外磁场强度Ｈ＝０．５Ｔ）磁化强度，温度关系曲线，认为Ｌａ１－ｘＣａｘＭｎＯ３体系中Ｍｎ＾４＋的含量是由于掺杂量Ｃａ的调制Ｍｎ＾４＋的含量变化导致磁性结构转变，用双交换模型解释了该象现，对实验给出满意的解释。     

红宝石激光晶体零场分裂及其光谱精细结构研究

推导了ｄ＾３（Ｃ＾＊３ｖ）组态离子的中间场能量矩阵，建立了红宝石（Ｃｒ＾３＋：Ａｌ２Ｏ３）晶体基态＾４Ａ２零场分裂（ＺＦＳ）参量Ｄ及＾２Ｅ态分裂△Ｅ（＾２Ｅ）与晶体结构之间的定量关系；假设晶格畸变的基础上，统一地计算了Ｃｒ＾３＋：Ａｌ２Ｏ３晶体的ＺＦＳ参量Ｄ、Ｚｅｅｍａｎｇ因子、精细光谱及＾２Ｅ态的分裂△Ｅ（＾２Ｅ），计算结果与实验观测十分吻合，定量的研究结果表明：当Ｃｒ＾３＋离子掺入Ａｌ２Ｏ３晶     

YAG晶体中稀土离子（Nd^3＋,Tm^3＋,Ho^3＋）对Er^3＋离子的敏化作用

测试了敏化离子Ｎｄ＾３＋、Ｔｍ＾３＋、Ｈｏ＾３＋及Ｅｒ＾３＋离子在ＹＥＡＧ晶体中一些能级的荧光衰减曲线。根据Ｔａｙｌｏｒ的平均寿命的定义，计算了平均寿命和Ｎｄ＾３＋←→Ｅｒ＾３＋，Ｔｍ＾３＋←→Ｅｒ＾３＋能量转移效率。并根据Ｚｖｅｌｅｖ关于声子形成几率的公式，对Ｈｏ＾３＋←→Ｅｒ＾３＋之间的非共振能量转移效率进行了计算。得出Ｎｄ＾３＋敏化Ｅｒ＾３＋不仅可以增加泵浦效率，而且可以抑制２．９４μｍ激光     

非线性介质膜波导中高阶TE模的色散特性

用微扰方法对非线性波动方程求解,导出了各阶近似下非线性介质膜波导中高阶TE模的色散方程和截止波长。研究了高阶TE模的色散特性。计算结果表明,具有功率激发阈值的高阶模的一个传播功率可能对应两个不同的传播常数,具有光学开关的特性。     

高TcGdBa2Cu3O7—δ薄膜双晶结光探测器

研制了具有约瑟夫逊效应的高ＴｃＧｄＢａ２Ｃｕ３Ｏ７－δ薄膜双晶晶界结，按照光助隧道效应的原理我们用双晶结进行光探测，光源是波长为０．６３２８μｍ的Ｈｅ－Ｎｅ激光器，系统观测了高Ｔｃ ＧｄＢａ２Ｃｕ３Ｏ７－δ双晶结的光响应特性，最好的结果为：噪声等效功率ＮＥＰ＝４．３×１０＾－１４ＷＨｚ＾－１／２，归一化探测率Ｄ＾８＝１．２×１０＾１０ｃｍＨｚ＾１／２Ｗ＾－１，响应率Ｒｖ＝３．５×１０＾７Ｖ／Ｗ，     

广义e—bent函数

本文针对广义ｅ－ｂｅｎｔ函数进行了讨论，证明了此类函数仅包括ｂｅｎｔ函数，常数函数和形如ｆ（ｘ１，ｘ２，…，ｘｎ）＝α０＋（ｘ１＋α１）（ｘ２＋α２）…的函数，其中αｉ∈｛０，１｝，ｉ＝０，１，…，ｎ。     

α—（SbxFe1—x）2O3半导体的固溶与导电机制的相关性

用化学共沉淀法，经热处理制得ｎ型半导体α－（ＳｂｘＦｅ１－ｘ）２Ｏ３。ＸＲＤ分析确证０≤ｘ≤０．２是固溶体。实验发现在ｘ≤０．０３区间内材料电阻降低幅度很大，而在ｘ＝０．０３￣０．２区间的电阻却缓慢上升，根据体系中存在ＳｂＦｅ＾ｘ→ＳｂＦｅ＾－＋２ｅ缺陷平衡，讨论其原因和导电机制；相应於此缺陷平衡的Ｓｂ＾３＋和Ｓｂ＾５＋的含量由ＸＰＳ分析予以证实。     

近距离热成像系统的光谱区配因数：——微分光谱匹配因数

导出了适用于近距离面目标热成像系统的微分光谱匹配因数Ｍ＾＊＝∫（αＷλＴ／αＴ）τａλτ０λλＤλ，且αＷλ／αＴ≈ｃ２／（λＴ＾２）·ＷλＴ。当Ｔ≈３００Ｋ，λ＝８￣１４ｕｍ时，αＷλＴ／αＴ≈０．０１６ＷλＴ；当Ｔ≈１０００Ｋ，λ＝３￣５ｕｍ时，αＷλＴ／αＴ≈０．００３６ＷλＴ。Ｍ决定热成像系统的温度分辨率：ＮＥＴＤ，ＭＲＴＤ，ＭＤＴＤ。     

自对准GaAsMESFET的二维数值分析

本文对源漏ｎ＾＋浅结注入的自对准ＧａＡｓＭＥＳＦＥＴ内部的电位，电场及载流子浓度的稳态分布进行了二维数值分析，分析表明，不同ｎ＾＋注入深度对器件的特性有一定的影响。当ｎ＾＋注入深度为有源层厚度的１／４时，畴的体积最小。适当选取ｎ＾＋区边缘与栅之间的距离可提高器件的击穿电压。