晶粒细化对无氧铜动态力学性能的影响

基于分离式霍普金森压杆及爆轰加载试验技术,对不同晶粒度的无氧铜进行不同应变率加载,用闪光X射线观测技术观测爆轰试验过程中铜管的破裂,获得无氧铜在不同时刻的变形参数,以及铜在动态加载下的应力-应变。结果表明:应变率为(5 000～6 000)s-1,无氧铜具有应变率效应,随应变率的增加,应力/应变等参数均增加;JO-159炸药加载条件下,铜的膨胀均匀性和对称性与晶粒度无关,但破裂方式与晶粒度有关,晶粒度越小,各个裂纹的深度、间距逐渐趋于相同,分布逐渐对称。     

掺杂及溅射功率对ZnO:Al薄膜结构与电性能的影响

采用直流磁控溅射工艺,室温下在载玻片上制备ZnO∶Al透明导电薄膜。研究Al掺杂和溅射功率对薄膜生长取向、微观结构和电阻率的影响。研究表明:不同溅射功率下Al掺杂ZnO薄膜均为高度c-轴择优取向生长;在1%~3%(质量分数)的掺杂范围内,薄膜的电阻率随掺杂量的增加而减小,掺杂的质量分数超过3%后,薄膜的电阻率又有所增大。溅射功率通过改变晶粒尺寸和晶界所产生的散射作用而影响薄膜的导电性能,溅射功率低于100 W时,薄膜的电阻率随功率增加而明显降低,但超过100 W后,薄膜的电阻率下降趋缓,并最终趋于平稳。在Al掺杂的质量分数为3%、溅射功率为100 W的条件下,可获得2.3×10-3Ω.cm的最低电阻率。     

热氧化温度对非平衡磁控溅射TiN镀层的影响

通过SEM和XRD法,研究不同热氧化温度下闭合场非平衡磁控溅射离子镀技术制备的TiN镀层形貌、相结构及性能的变化。结果表明:非平衡磁控溅射离子镀TiN镀层在700℃以下性能基本稳定,具有良好的热氧化性能,尽管600℃时生成少量TiO2相,但600℃之前断口形貌及组织结构保持稳定;700℃时镀层的单位质量氧化增重率迅速增加,氧化曲线出现拐点,镀层失效。