半导体磁敏电阻和传感器

ＩｎＳｂ磁敏电阻元件用磁敏电阻传感器是一种新型的，重要的磁敏元件和传感器。首先，简要介绍了ＩｎＳｂ磁敏电阻元件和磁敏电阻传感器的工作原理，结构，性能等；分别介绍磁敏电阻传感器，磁性墨水文字图形识别传感器，齿轮传感器，磁性编码器，直线位移传感器，齿轮传感器，磁性编码器，直线位移传感器，无接触电位器等工作原理，结构，主要技术性能和应用。     

InSb磁敏传感器及其应用（上）

ＩｎＳｂ是一种Ⅲ－Ⅴ族化合物半导体材料，与其它半导体材料相比，具有较高的电子迁移率。因此，它不但适合制作霍尔器件和传感器，而且适合于制造磁敏电阻和传感器。本文简要介绍了ＩｎＳｂ材料的特点，磁敏感效应，各种霍尔器件、磁敏电阻和传感器的性能、结构、工作原理以及典型的应用。     

InSb磁敏传感器及其应用（下）

7、InSb磁敏旋转传感器 图14介绍了利用单个InSb磁敏电阻测量与旋转有关的物理量。在本节中介绍的旋转传感器在原理上和图14一样,但在结构上这种传感器是一个将电子线路、InSb磁敏电阻及永磁铁等组装在一起,接上电源和检测仪表便可应用的整体装置。 图33是一种用于柴油汽车上测量发动机转速的InSb磁敏旋转传感器,电路框图如图34所示。这种传感器的特点是耐高温和各种恶劣环境。工作温度范围为-40～+120℃,电源电压为12～32VDC,最大工     

InSb磁敏传感器及其应用（中）

五、InSb磁敏电阻和传感器及应用 1、InSb磁敏电阻 与霍尔器件不同,InSb磁敏电阻像其它电阻器一样是一种纯电阻性两端元件,所不同的是它的电阻随磁场的变化而变化。根据图2中几何磁阻效应原理制造的InSb磁敏电阻的基本结构和电阻值与磁场的特性曲线如图10所示。 由图10(a)可见,一个长方体InSb材料被5条In短路条(它具有金属性质)分割     

锑化铟磁敏电阻的研究

讨论了锑化铟(InSb)磁敏电阻的工作原理、设计与制备工艺,并介绍了InSb磁敏电阻作为一种非接触敏感器件的典型应用。     

磁敏电阻无触点倾斜角传感器

本文介绍了利用电阻值随外界磁场变化而改变的磁敏电阻作为敏感元件,采用自重摆驱动永磁体转动,使永磁体与两个差动联结的ＭＲ元件相对覆盖面积变化,即磁通量改变,导致输出电压信号的变化,据此开发出ＷＴＨ系列无触点倾斜角传感器。该产品可广泛用于需要使用寿命长,工作频繁,可在水,油,粉尘,等多种恶劣环境下长期使用的多种场合。     

InSb 磁敏电位器研制

常用的触点式电位器存在着分辨力低、噪声大、寿命短等缺点 ! 如果改用磁敏电位器, 则 可全面改善, 并且在调节输出电压时, 可进行无反转的操作! 如若把它应用于电动阀门检测, 拾音器针压控制、伺服电流反馈、摄像机光阑自动控制、磁带引力控制、注入机油压控制、风 向计方位检测、液体流量控制等方面, 也不失为一种具有发展前途的新型传感器     

基于磁敏技术的位移传感器的设计

介绍了MLX90316的内部结构和应用特性,设计了以LPC2136为CPU、MLX90316为位置反馈、具备1路光电隔离RS485通信输出的位移传感器,给出了位移计算策略和计算方法,详细分析了接口电路原理图和接口时序.     

当代磁敏电阻型传感器的发展与应用

磁敏电阻制备技术及相应传感器的开发与应用是磁敏感技术近二三十年来最蓬勃发展并实现产业化的新兴分支。它依据物理学磁致电阻效应，将磁场的变化无接触转化为材料的电阻率变化，从而把与磁场变化相联的各种运动形式转化为电信号输出，形成各种各要的传感器。     

分立型InSb磁敏电阻的研究

本文研究了利用N型InSb单晶生长中形成的,与[111]生长方向相垂直的载流子密度分布的层状不均匀性,研制出灵敏度磁阻比值R_B/R_O=3(B=0.3T)的磁敏电阻。它们的零磁场电阻R_O分别是20～100Ω和2×10～2×50Ω。同时对这种元件的可靠性进行了试验研究,失效率λ(t)达到小于1×10~(-5)h~(-1)的水平。     

InSb磁敏无接触电位器

本文介绍半导体InSb磁敏无接触电位器的工作原理、结构、特点、技术特性、封装及应用。     

磁敏Z元件位移传感器的研究

研制出一种新型磁敏Z元件位移传感器。并对磁敏Z元件的伏安特性和磁敏特性进行研究,给出了实验结果。设计了由信号采集、数据处理以及数字显示等电路构成的系统,实现了位移量的测量。由于Z元件的特殊性质,其应用电路较为简单。     

高灵敏度InSb磁敏电阻的研究

高灵敏度InSb磁敏电阻是制造无接触电位器的核心部件。本文研究的磁敏电阻已被装配到WMC-1型磁敏电位器中,实测结果表明它完全符合设计要求。该磁敏电阻是一种三端式结构,InSb单晶片尺寸为10×10mm~2的正方形,厚度d≈30μm,用环氧胶粘贴在陶瓷基片上。其电阻值R=1～3kΩ,灵敏度;ΔR/R≥50％(B=0.3T)。     

一种基于InSb磁敏电阻器的接近开关

介绍了锑化铟(InSb)磁阻式接近开关的工作原理,设计了信号处理电路,并对其动态性能进行了测试.实验结果表明:径向间距为4 mm时,接近开关动作距离大于8 mm,回差距离小于0.06 mm,重复定位精度优于0.04mm,可适用于工作频率0～5 kHz范围内的铁磁性物质检测.该接近开关灵敏度高,开关动态特性较好,且结构简...     

强磁性金属薄膜磁敏电阻技术应用

本文概述了强磁性金属薄膜电阻的特性,详细介绍该元件在应用中遇到的问题和解决办法.     

磁敏元器件及传感器

本文概述了磁敏元器件及传感器的种类和原理,具体分析了强磁性金属薄膜磁敏电阻及传感器的特性、原理及应用,重点介绍强磁性金属薄膜磁敏电阻。     

磁敏角位移传感器

该产品采用世界先进的强磁性金属薄膜磁敏电阻作为传感元件，它和检测器、差动放大器等合成一个整体，不需要附加电路，使用非常方便，并具有分析率高，精度高等优点，可对角度进行高精密计量和检测。