用吸收率测量溶胶-凝胶膜层的厚度

膜层厚度均匀性的测定或膜层厚度的定量化可能是比较困难的。现有的膜层厚度测试方法一般都是破坏性的,因此不能用于最终的产品。本发明提供一种可以有效测定涂在金属衬底上的溶胶-凝胶膜层的厚度的非破坏性方法,它能测定从没有溶胶-凝胶膜层的金属衬底上反射的红外能量的值、从有溶胶-凝胶膜层的金属衬底上反射的红外能量的值以及被溶胶-凝胶膜层吸收的红外能量的值,并能使溶胶-凝胶膜层吸收的红外能量的值与溶胶-凝胶膜层的厚度发生联系。     

YAG荧光屏的制作与性能

介绍一种YAG荧光屏的结构、制作以及性能。YAG荧光屏不同于传统玻璃荧光屏的一个显著特点就是以具有高热导率、高机械强度、良好绝缘性和透光性的单晶YAG代替玻璃作为荧光屏粉层衬底。我们在YAG衬底上采用离心沉淀法制作荧光粉层;有机膜采用手工旋涂法工艺制作;铝膜采用真空电阻蒸发法制作,并讨论了铝膜的最佳厚度选取。3英寸红、绿、蓝荧光屏在0.5mA电流、29kV电压下亮度分别是6.2×10     

用卤灯扫描系统在绝缘衬底上制备硅厚膜

我们介绍了一种在绝缘衬底上制备硅厚膜的技术。我们的做法是,先在制备有SiO_2条形图形的硅片上用传统的方法沉积—层薄的多晶硅膜。然后用聚焦卤灯的光能使衬底的表面部分融化。融化的深度受硅融化时条形SiO_2下陷深度控制。随着扫描融化区域,硅就在前沿固化,于是就在衬底上得到一些被籽晶区隔开的20～/40μm厚的SiO_2上的条形无缺陷硅膜。     

薄膜材料与器件

采用积分差分反射术和椭圆测量术对透明衬底上的纳米级介质膜的激光诊断；以斜入射角的高精度分光光度法测量光学薄膜；用椭圆测量术和X射线掠入射反射术表征多层介质膜；用射频溅射法精制的钇铁石榴石(YIG)薄膜的磁光特性；溶胶凝胶ZrO2薄膜的δn/δt测量；用溶胶凝胶工艺生产的掺铕YAG材料的结构和光学特征：粉末与薄膜；可调谐薄膜滤光片：回顾与展望；膜层全光厚度在解决设计问题中的作用；用汽相沉积法在耐热热塑元件上镀膜；具有宽截止带的可变透射滤光片的金属介质涂层；     

超大规模集成的自限制金属互连

本文介绍了一种制作金属窄条的新方法。将SiO_2衬底上光刻形成的NiSi_2线条进行氧化。所形成的SiO_2层可从硅化物中吸收大多数Si,留下完全被SiO_2限定的Ni线条。本文讨论了有关的问题和可能的应用。     

持效疏水SiO2增透膜的制备和研究

为了提高溶胶-凝胶SiO2增透膜的持效疏水性,以乙醇为溶剂,正硅酸乙酯和甲基三乙氧基硅烷在氨水催化下共水解-缩聚制备了甲基化氧化硅溶胶,然后采用提拉法在洁净的K9玻璃基片上双面镀单层膜。用傅里叶红外光谱仪分析了膜层的化学成分,用接触角测量仪测量了膜层的接触角,用紫外-可见分光光度计测量了膜层的透光率,用椭偏仪测量了膜层的厚度和折射率,并且报道了膜层疏水的持久性。结果表明,共水解膜层具有良好的透光率,峰值透光率可达99.5%;膜层与水的静接触角可达130°;膜层具有持久的疏水性能,疏水性能在相对湿度为90%的环境中可保持5月之久,克服了一般疏水膜疏水效果不持久、不能应用于实际的缺点。     

GaAs衬底上低温热分解生长扩散掩膜

一、引言GaAs器件和Si器件一样,也常常需要一种钝化膜来提高器件的可靠性,或是作为杂质选择扩散的掩膜。目前GaAs器件常用的介质膜有Si_3N_4膜、SiO_2膜、Al_2O_3膜和GaAs自身氧化膜(阳极氧化、等离子氧化等) 用正硅酸乙酯热分解生成SiO_2膜和PSG膜是硅平面工艺中常用的方法,这种方法工艺简单、安全、容易控制。但在GaAs衬底上如用Si器件的热分解工艺,当分解温度为700℃—800℃时,会使GaAs表面离解,造成缺陷,影响器件的电参数。为了防止GaAs衬底的分解,我们在尽可能低的温度下,预先在GaAs衬底上淀积一层薄膜,此膜可以     

阳极氧化膜对光伏探测器的钝化作用

本文根据对阳极氧化膜与(Hg、Cd)Te界面特性的电子能谱和MIS C-V测试结果,讨论了用阳极氧化膜作光伏探测器钝化膜的可能性。提出了在(Hg、Cd)Te表面先生长一层约0.01μm阳极氧化膜作表面预处理的新设想。(Hg、Cd)Te为衬底的探测器目前常规使用的钝化膜有阳极氧化膜ZnS和SiO_2及它们     

文摘选辑

一、声表面波技术 108 沿两种材料间的ZnO层传播的界面声波——入野俊夫:《电子情报通信学会论文誌(日文),1987:J70-C(1)59—68 研究了在SiOz/ZnO/SiO_2、SiO_2/ZnO/硼硅酸玻璃和SiO_2/ZnO/(z-x)Si等一些三层结构中的ZnO薄膜上传播的SAW与ZnO膜厚的关系。亦分析了不同器件结构中的机电耦合系数,测得了延迟线的临界温度,根据实验结果可选择适于制作SAW器件的ZnO基片。 109 采用ZnO/ AlN/玻璃基片的高耦合高速度SAW—Shiosaki T.:1985 Ultrason Symp.Proc.,186—191 报道了与三层结构SAW器件中的SAW传播有关的各种特性。在Kovar玻璃基片上制作了AlN压     

在掺锡的砷化镓外延层和掺铬的衬底之间的界面上观察到的形变层

用稍加改进的 Abrahams-Buiocchi 腐蚀剂进行室温光刻技术,可容易地观测到在〔110〕解理面的 GaAs 外延层中存在着界面形变层。试验主要限于汽相生长的 GaAs 样品,样品由掺铬的半绝缘衬底和0.4微米厚的掺锡外延层〔n(?)(6～10)×10~(16)厘米~(-3)〕组成。生成形变层的起因是:生长前预热阶段,在衬底表面产生的砷耗尽层的热应力。应变场深达衬底10微米以上,甚至进入外延层。由于应变场的存在使亚微米外延层的电子迁移率降低,但这可通过退火提高10～30%。还发现:当在衬底背面复盖一层 SiO_2膜而增加了所加的应力时,则在形变层中产生了位错。当 SiO_2膜的厚度增加时,位错密度也迅速增加,但形变层的厚度却逐渐降低。在冷却过程中,外延片周边上产生滑移位错,这是由于应力集中在片子的周边上的原因。     

CVD BPSG膜的沉积及其回流机理

在研制和生产硅栅MOS型(NMOS和CMOS)LSI时,用化学汽相沉积的硼磷硅玻璃(CVD BPSG)膜取代常规的磷硅玻璃(PSG)膜作回流介质层,可将回流温度降低到1000℃以下,达到800—950℃之间,因而可以把高温引发的那些不希望有的杂质扩散和各种缺陷减至最少. 本文着重介绍 CVD BPSG膜的沉积和回流特性,并初步探讨了掺杂 CVD SiO_2膜的回流机理.     

ULSI铜互连线CMP抛光液的研制

介绍了一种碱性抛光液,选用有机碱做介质,SiO2水溶胶做磨料,依据强络合的反应机理,克服了SiO2水溶胶做磨料对铜去除速率低及在溶液中凝胶的难点.实验结果表明:该抛光液适用于Cu化学机械抛光过程第一阶段的抛光,并达到了高抛光速率及铜/钽/介质层间的高选择性的效果.     

ULSI铜互连线CMP抛光液的研制

介绍了一种碱性抛光液,选用有机碱做介质,SiO2水溶胶做磨料,依据强络合的反应机理,克服了SiO2水溶胶做磨料对铜去除速率低及在溶液中凝胶的难点.实验结果表明:该抛光液适用于Cu化学机械抛光过程第一阶段的抛光,并达到了高抛光速率及铜/钽/介质层间的高选择性的效果.     

光电探测器阵列的刻划方法

用一种新掩模来描划衬底上光电探测器元件的光电探测器本体及粘合层的轮廓,在本体及粘合层上的掩模的小孔限定与衬底平面构成的尖角。沿这个角度进行空气磨蚀,除去光电探测器本体及粘合层的无用部分,留下部份作金属互连所需的轮廓。     

光学增透膜

本文就1973～1980年间发表的几篇美、英、西德专利介绍数种光学增透膜。其中有四种是全可见光波段用,其它是可见光区间的单波长用。衬底有一种是人造树脂,其它均为折射率在1.42～1.85的玻璃。膜材料用MgF_2、SiO_2、ThF_4、LaF_2、NdF_3、BeONa_3(AlF_4)、Al_2O_3、CeF_3、LaF_3、LiF,折射率为1.32～1.62。中等折射率膜材料用MgO、ThO_2H_2、InO_2及MgO-Al_2O_3混合料,折射率为1.7～1.9。能用的高折射率膜材料有CeO_2、ZrO_2、TiO_2、Ta_2O_5、ZnS、ThO_2,折射率为2～2.3。膜层是2～9层。有一种1/4波长结构四层膜系,最佳反射在500nm波长处为0.06％,在440～620nm波段处为0.14％。另一种膜系,最差反射在500nm波长处为0.5％。     

sol-gel法制备纳米TiO_2-SiO_2宽带高增透膜

通过模拟计算设计出一种透射比为99%、包含一层TiO2薄膜和一层SiO2薄膜的宽带高增透膜。两层薄膜均由溶胶-凝胶法制得并采用提拉法成形于玻璃基片上。对增透膜样品的透射比、表面形貌、膜厚等进行了表征,考察了提拉速度、退火温度、催化条件等对其透射比、表面均匀性的影响。结果表明:增透膜的使用提高了玻璃基片的透射比;当提拉速度为9cm/min,增透膜厚约为255nm时,基片在400～800nm波段的透射比提高了7%。控制退火温度,可以使增透膜在某些波段的透射比增强。增透膜样品的表面均匀性良好,室温下膜层的均方根表面粗糙度(RMS)为1.682,平均粗糙度(RA)为1.208,在550℃的温度以下,随着退火温度升高,表面粗糙度降低。     

可改善光谱范围的红外探测器列阵

本发明提供一种可扩大光谱范围的红外探测器．该探测器有两个衬底,第一个衬底由磷化铟制成,它上面有一层砷镓铟膜层．第二个衬底由硅制成,它有一个读出集成电路,该读出集成电路与上述第一层膜层在电学上是耦联的．在砷镓铟材料形成之后,用机械技术或化学腐蚀工艺将第一个衬底大大减薄,便可以使该红外探测器的光谱范围超过常规红外探测器的光谱范围．     

溶凝胶体开辟进入主流的道路

溶凝胶 ,一种用来生产初级氧化物陶瓷玻璃的低温工艺 ,正逐步从实验室走向市场。预期用溶凝胶生产膜层、透镜和波导的光学工业在 2 0 0 3年将占溶凝胶体市场的 40 % ,据商务通信公司的估计。其时全球的溶凝胶销售量将达 3.4亿美元。虽然溶凝胶研究在过去十年有极大的增加 ,技术和经济上的壁垒使其商业化步伐很慢。虽然如此 ,几种光学产品已上市销售 ,包括梯度折射率透镜、用于阴极射线管的相衬增强膜层、一氧化碳传感器和用于窗口、反射镜和激光器的防反 (增透 )膜层 (见表 1 )。从化学品到玻璃溶凝胶能用碱氧化物或以水为基础的工艺生成。…     

苏联研制成能经受低温的光纤

普通的光纤在-40 ℃温度下就会损坏。莫斯科普通物理研究所A. Abramov教授领导的小组发现，这种损坏绝大部分由柔软包层的晶化造成。这种光纤包层通常由硅酸盐衬底上的弹性体组成，用作光纤的机械和化学保护。尽管用简单的聚酰铵镀膜已能获得足够的光功率，但该组的试验结果表明，这种包层机械保护性能不足。他们找到了一种方法，用第二层较硬的膜作包层。     

溅射GaAs薄膜的光学性质

GaAs薄膜由射频溅射法制备。采用高纯Ar气作为工作气体,衬底有高纯Si单晶,GaAs单晶,兰宝石以及在硅单晶上预先生长一层几千埃厚的SiO_2膜等多种,GaAs靶有掺杂与不掺杂两种,掺杂靶的杂质浓度为10~(18)cm~(-3),衬底有加热装置,以控制薄膜沉积的温度。改变衬底及靶种类,改变衬底温度和阳极电压,便可获得一系列生长条件不同的样品。通常GaAs薄膜的厚度在5000(?)以上。