溅射法制备InSb薄膜工艺探索—In的氧化及热处理保护

介绍了用RF溅射法制备InSb薄膜时,如何克服In的氧化问题的措施及防止InSb薄膜在热处理过程中继续氧化和挥发的方法。对实验结果进行了电镜和俄歇电子能谱测试分析。结果表明,只要控制好工艺条件,可以获得较好的效果。     

溅射法制备InSb薄膜工艺探索—In与Sb的原子比问题

介绍一种基于原子比为1：1的InSb靶制备原子比为1：1的InSb薄膜的方法,实验结果表明,该方法能较好地解决类似化合物溅射制膜过程中膜成分与靶偏离问题。     

热处理对离子束溅射Ta_2O_5薄膜特性的影响

利用离子束溅射沉积技术制备了Ta2O5薄膜,在100~600℃的大气氛围中对其进行热处理(步进温度为100℃),并对热处理后样品的光学常数(折射率、折射率非均匀性、消光系数和物理厚度)、应力、晶向和表面形貌进行了研究。研究显示,随着热处理温度增加,薄膜折射率整体呈下降趋势,折射率非均匀性和物理厚度呈增加趋势,结果有效地改善了薄膜的消光系数和应力,但薄膜的晶向和表面形貌均未出现明显的变化。结果表明:热处理可以有效改变薄膜特性,但需要根据Ta2O5薄膜具体应用综合选择最优的热处理温度。本文对离子束溅射Ta2O5薄膜的热处理参数选择具有指导意义。     

InSb薄膜磨抛工艺技术的研究

】在ＩｎＳｂ薄膜制备过程中,用机械磨抛的方法,探索了Ｉｎ２Ｏ３氧化膜的去除和ＩｎＳｂ敏感膜层的减薄、抛光等技术问题,从而提出一种新型磨抛工艺。文章介绍了该工艺的基本原理及不同工艺规范的磨抛结果。     

热处理对NdFeB薄膜微结构和磁性能的影响

采用磁控和离子束联合溅射法制备了NdFeB/α-Fe/NdFeB系列纳米复合多层膜,研究了热处理温度对薄膜结构、表面形貌和磁性能的影响.     

离子束溅射生成气敏膜的研究

本文对离子束溅射生成气敏膜作了研究。与烧结陶瓷气敏传感器比较，溅射生成气敏膜对乙醇气体具有灵敏度高，长期稳定，对其它气体选择性好，而且响应恢复时间快。采用Ｘ光衍射等手段分析了离子束溅射膜的品质，表明材料组织结构相同，与基片附着性好，组织致密。     

溅射薄膜压力传感器敏感元件的制作工艺研究

磁控溅射技术以其在制备薄膜中的独特优点,成为获得高性能薄膜材料的重要手段。采用掩膜法溅射的方法制作薄膜压力传感器敏感元件的电阻层,发现了掩膜法溅射在制作小间距线宽的弊端,引入了先溅射后光刻的制作工艺,实验结果表明,该方法能成功制作出所需的电阻图形。     

基于响应曲面法的溅射沉积薄膜工艺参数优化

为了研制出适用于高温等恶劣环境且性能优良的用于切削力测量的合金薄膜传感器,结合新型合金薄膜材料的基本性能和离子束、磁控溅射技术,研究了新型薄膜传感器的制作工艺,建立了影响薄膜溅射速率的试验分析模型,研究了氩气流量、氩气工作压强及溅射功率三个因素对薄膜溅射速率的影响,应用响应曲面法对模型进行了优化,并运用方差分析检验了该预测模型的拟合度,建立了溅射速率的等值线和响应面,从而确定了各因素的最佳水平范围,实现了工艺参数的优化。     

S枪磁控溅射镍薄膜温度传感器

本文分析了薄膜温度传感器制造的难点，提出降低内应力的方法，应用正交试验技术得出了最佳工艺条件，应用Ｓ枪磁控溅射方法和薄膜工艺制成了零电阻分别为１００Ω、５００Ω、１０００Ω的镍薄膜电阻元件，其电阻温度系数达到德国ＤＩＮ４３７６０标准。     

InSb薄膜制备工艺技术研究

本文介绍了InSb薄膜制备工艺技术的研究成果,系统地阐述了InSb薄膜的工艺机理与制备技术,指出了制备InSb薄膜过程中所需解决的技术关键,并总结了制备InSb薄膜的工艺条件和实验结果.     

敏化工艺对硒化铅薄膜形貌和性能的影响

用醋酸铅、硒粉及亚硫酸硒钠为主要原料采用化学液相沉积的方法在玻璃衬底上制备出了一系列的硒化铅半导体薄膜材料,采用在有氧环境下对薄膜进行热处理来实现薄膜的敏化过程,用SEM、XRD、EDS和IR等分析手段对薄膜的形貌、结构以及性能进行了表征。当敏化温度低于375℃时薄膜晶粒尺寸变化不大,但表面O/(Se+Pb)原子比随敏化温度的升高而明显升高,同时薄膜结构有所变化。硒化铅薄膜经过敏化处理后具有了一定的光电特性,在光照条件下薄膜的电阻变化率在5%～10%左右。     

金刚石红外增透保护膜的研制及特性拟合

论述了在硅基板上用热灯丝法制备金刚石红外增透保护膜的工艺，通过多灯丝法、预打磨处理以及加偏压等方法得到了特性优良的金刚石薄膜，并利用对金刚石薄膜─硅板体系红外透射率的曲线拟合，推知了一系列不易直接测量的特性参数，如折射率，吸收系数，薄膜厚度等。     

薄膜参数测定新方法

该方法的特点是一次测量可确定两种波长下（０．６３μ，３．３９μ）薄膜的三个光学参数：折射率、吸收系数、厚度，并可利用两种波长下所测薄膜厚度必须相等来检验测量结果的正确性。     

退火制度对PZT铁电薄膜性能的影响

铁电薄膜的性质对于硅基MEMS器件有重要的影响,鉴于此本文尝试通过改善退火工艺以提高PZT薄膜的铁电和压电性质.采用溶胶凝胶法,在Si/SiO2/Ti/Pt衬底上制备了PZT铁电薄膜.实验中,采用一次退火工艺和每层退火工艺制备了两种PZT薄膜,采用XRD对薄膜的晶体结构进行分析,通过C-V和I-V特性的研究发现,每层退火工艺有助于提高PZT薄膜的C-V性质,并降低漏导电流.     

薄膜润滑状态下的能量方程推导

根据薄膜润滑的基本理论,推导出薄膜状态下流体润滑的能量方程及假设简化,为解决工程实际问题提供了理论基础。     

ITO透明导电膜高速成膜的研发

论述了一种采用低能量大束流高密度等离子体作为离子辅助沉积技术、沉积ＩＴＯ薄膜的方法。实验结果表明离子轰击可以有效地增加薄膜的聚集密度,同时减低薄膜的电阻率。此外,高密度等离子体促进了ＩＴＯ薄膜制备过程的氧化,进而大大提高了ＩＴＯ薄膜的沉积速度。     

Nanoscratch Behavior of Dendrimer-Mediated Ti Thin Films

Ramped load nanoscratch behaviors of titanium thin films with and without dendrimer mediation were extensively studied. By combining in situ investigation of scratch surface profiles and coefficients of friction curves, with ex situ microscopic (OM, AFM) and spectroscopic (AES) examinations of scratch tracks, different scratch failure modes were identified. An adhesive failure was found in the dendrimer-mediated films, whereas a cohesive failure was in the dendrimer-free samples.