三星开发出全球最小DRAM内存芯片 速度提升10%

三星电子20日宣布,公司已开始通过第二代10纳米级制程工艺量产DRAM内存芯片。三星称,公司使用第二代10纳米级工艺生产出了8Gb DDR4芯片,此芯片为'全球最小'的DRAM芯片,扩大了领先对手的优势。在半导体业务的推动下,三星今年的营业利润有望创下纪录。与第一代10纳米级工艺相比,第二代工艺的产能提高30%。     

三星改进DRAM芯片生产技术

全球最大的内存芯片生产商三星电子日前宣布，已经成功采用70纳米生产工艺制造出第一块DRAM芯片。一旦这种生产工艺广泛应用于该公司的生产线，从同一硅片上生产的芯片数量将会翻倍。     

动态随机存储器新动向

美国Rambus Inc.已策划出Direct Rambus DRAM规范,其目标是瞄准1999年度PC机主存储器市场。这是备有高速接口的DRAM(Direct Rambus DRAM)规范,美国Intel Corp.将于1999年投放市场的PC机用外围LSI电路里,决定嵌入Direct Rambus DRAM的接口电路。世界著名的DRAM厂家有13家鉴于此情,纷纷领取Direct Rambus DRAM生产许可证。预定从1998     

4Gb DDR3 DRAM芯片

三星电子公司开发出首款使用50nm制造工艺生产的4Gb DDR3 DRAM芯片。     

数字财富

2008年全球前十大芯片供货商英特尔仍是一哥 根据市场研究公司Gartner日前根据各公司预测营收数据所做的2008年全球前十大芯片供货商排行榜，CPU大厂英特尔（Intel）将连续第17年蝉连第一名宝座。英特尔2008年市场占有率预测将增长至13．1％。高通（Qualcomm）是全球前十大芯片供货商中增长表现最佳的一个，其年营收增长率将增长15％。而韩国内存业者Hynix则是其中退步最多的一个，由于DRAM与NAND闪存供应过剩所造成的价格惨跌，     

英特尔再战存储器、扩大晶圆代工冲刺晶圆厂产能

<正>英特尔(Intel)过去不敌日厂攻势,黯然退出存储器市场,如今面对晶圆厂整体产能利用率下滑,英特尔重启存储器业务,不仅借以提高晶圆厂产能利用率,甚至有助于英特尔2016年营运成长,然业者认为即使英特尔存储器业务大幅成长,恐亦难填满晶圆厂产能,未来英特尔势必将全力争取其他芯片厂代工订单。英特尔在1985年选择退出存储器市场,将DRAM大饼拱手让给日本半导体     

两家公司预计2010年全球芯片销售额的增长在20%左右

市场调研公司iSuppli认为,2010年全球芯片的销售额将增长20%以上,总体营收将超过经济衰退前的水平。2010年英特尔、AMD、英伟达（Nvidia）、三星电子、Altera及其它芯片公司的芯片总体销售额预计可达2797亿美元。     

日本芯片10年惨淡经营产业复苏前夕仍难合力脱困

和手机、液晶行业的情形一样,日本芯片制造商们也走上了集体突围之路. 9月16日,NEC电子与瑞萨科技(Renesas Technology)宣布,双方将于明年4月合并,组建全球第三大芯片制造商.iSuppli的数据显示,瑞萨科技与NEC电子合并后将成为全球第三大芯片制造商,仅次于英特尔和三星电子.     

三星电子预测05年和06年 DRAM市场下降，但闪存持续上涨

韩国三星电子公司的官员日前表示，全球DRAM产业正在收缩，但闪存市场继续增长。三星电子的官员预测2005年和2006年全球DRAM市场将下滑4％和12％。     

SyncLink重振旗鼓迎接Rambus挑战

由于受到Intel公司决定和Rambus公司合作这一消息的刺激,SyncLink DRAM联盟决定将集中力量推出SL-DRAM样品,这种产品内存频宽达到或超过1.6Gbit/Sec,是为1997年Intel桌上型微型计算机应用而研制的。     

三星电子全球率先量产4GB手机内存

继2010年12月在全球率先研发出30纳米级4GB低功耗Mobile DRAM内存芯片后,三星电子近日宣布从今年3月份开始正式量产该产品,以扩大其在手机存储领域的市场份额。     

韩国三星电子公司制成64Mb DRAM

据报道,韩国三星电子公司已于1993年6月研制成功64Mb DRAM 的工程样品,比原定计划提前了三个月。这种采用0.35微米工艺制作的芯片装在500密耳的小型 J 引线封装中。三星电子公司去年9月生产了首批工作器件。该公司计划于1995年大规模生产这种芯片,根据 DRAM 的历史周期,那时64Mb DRAM 市场可望处于起飞期。     

三星成立子公司跨入芯片代工行业

韩国三星电子公司资深官员日前表示，公司计划今年年底它的代工芯片子公司的产能将增加1倍，将成为一个打入代工芯片业务参与有效竞争的新对手。三星电子公司的子公司三星半导体公司的目标是：将采用客户需要的最先进的制造方法——通过和IBM公司、特许半导体公司的半自动技术联盟，获得最先进的45nm制造工艺。三星电子公司美国子公司新的技术副总裁Ana Hunter说：“我们将专注于90nm和90nm以下的制造工艺，     

SDRAM器件发展动向

Internet应用日益深入普及,极大地推动电子元器件市场和技术发展。PC机的CPU芯片微处理器时钟频率已跨入GHz领域,打印机和显示器的工作速度也迅速提高。作为PC机的主存储器用器件,DRAM的存取速度空前提高,而且新品种层出不穷,同步DRAM(SDRAM)、Rambus DRAM乃至双倍数据速率同步DRAM(简称DDR),争奇斗艳。     

6块DDR主板介绍和采购注意事项

因英特尔宣布计算机中新的主流内存将是Rambus RDRAM,因此主板制造商在设计新主板时,也将Rambus RDRAM规格列入设计重点之一。当主板制造商把融入新规格的主板准备就绪,却得知芯片制造商无法顺利生产RDRAM后,除了向芯片厂商询问原因外,相对地也针对已生产出来的主板重新定位,将其列入在高级工作站或服务器上使用。     

DRAM削减将是渐进过程

南韩芯片生产计划显示出削减16M DRAM生产计划的谣传将会逐渐变成实事。 以三星电子公司和LG半导体电子公司为代表逐步证实了最初削减16MDRAM的传言,他们表示这种削减将会随着其它器件的销售的增长而分阶段进行。     

欧盟向美国芯片技术商提起反垄断指控

欧盟委员会2007年8月23日发表一项声明宣布,该委员会已向美国存储芯片技术商Rambus公司提起反垄断指控,因为其收取的动态随机存储器(DRAM)专利使用费过高。声明指出,作为一家专门从事高速储芯片设计、开发和技术许可的非生产型企业,Rambus公司掌握着动态随机存储器的多项专利技     

业内巨头将联手制定移动DRAM内存接口规范

ARM、爱立信、海力土半导体、LG、SiliconImage、三星电子、索尼爱立信移动和意法半导体等公司组建了移动DRAM内存领域的一个工作组,希望为移动产品中的下一代内存接口制定一个开放的标准SPMT串行端口内存技术工作组）。如果这个标准建立起来,预计市场将看到移动市场出现新一类DRAM内存芯片,同目前的DRAM内存芯片相比,这种新的内存接口技术将把芯片脚数减少40％,把输入和输出电源减少50％,能够使带宽达到每秒200MB至每秒12.6GB。     

国际要闻

三星成立子公司跨入芯片代工行业韩国三星电子公司资深官员日前表示,公司计划今年年底它的代工芯片子公司的产能将增加1倍,将成为一个打入代工芯片业务参与有效竞争的新对手。三星电子公司的子公司三星半导体公司的目标是:将采用客户需要的最先进的制造方法——通过和IBM公司、特许半导体公司的半自动技术联盟,获得最先进的45nm制造工艺。三星电子公司美国子公司新的技术副总裁AnaHunter说:“我们将专注于90nm和90nm以下的制造工艺,其中包括65nm制造工艺。目前我们采用130nm和130nm以下的制造工艺生产产品。”在纽约Fishkill的IBM公司的…     

2003年全球半导体总价值262亿美元英特尔位居第一

2004年3月6日消息,2003年英特尔又一次轻而易举地获得了全球第一大半导体供应商的称号。它在全球半导体市场所占的份额几乎是排名第二的三星电子公司的2.5倍。不过Semico研究公司最近发布的市场调查数据显示,2003年全球最大的10家芯片供应商中芯国际穴SMIC雪将占据这些新增产能的60%,该公司正在提升其上海工厂和新收购的天津工厂的产能。此外,中芯国际在建的北京φ300mm晶圆厂Fab7也处于收尾阶段。2003年全球半导体总价值262亿美元英特尔位居第一