IR 1176同步整流集成电路由IR公司推出

国际整流器公司(IRF)推出专用同步整流集成电路IR1176。该产品能简化和改善隔离式直流-直流变换器设计,将其输出电压降至1.5V,全面提高电信及宽频网络服务器的效率。 IR1176同步整流集成电路辅之以直流-直流变换器专用HEXFET功率MOSFET(如IRF7822),即可提高1.5V及1.8V直流-直流变换器的额定效率,在输入电压48V,输出1.5V和1.8V在40A电流下的电路内效率分别达85%和86%。IR1176能加强对栅驱动器电路的控制,减少隔离式直流-直流变换器同步整流MOSFET的副边损耗。     

IR发表直流—直流发展计划

未来的服务器、路由器及台式电脑的应用中,在1V电压下驱动先进微处理器运作的功能绝对不可缺少。国际整流器公司(IR)一直致力于通过开展直流—直流发展计划,为业界供应崭新的功率转换元件及封装技术。 IR去年的直流—直流计划以CopperStrap封装推出了多项新型功率MOSFET,为设计人员带来高效1.3V降压     

IRF711W/IRF7822高效HEXFET功率MOSFET

由IR公司(国际整流公司,International Rectifier)研制出的IRF7811W/IRF7822两款新型HEXFET功率MOSFET将降压式及隔离式直流-直流拓扑结构的效率提高了3%。采用新型带状沟槽工艺,能去耦器件导通电阻及电容,成功解决了要求极低导通电阻及栅电荷的功率MOSFET的制造问题。 IRF7811W控制场效应管及IRF7822同步场效应管,能使高电流降压变换器拓扑结构的元件数量减少25%～50%。而且能在更低温度下运行直流-直流变换器,还大大提高了功率密度。 在输入电压为12V、输出电压为1.4V、每管脚工作频率为700kHz的多相降压变换器中,可改善效率达3%,还大大减少了元件数量。将两个并联的IRF7822作为同步场效应管,两个IRF7811W作为控制场效应管,可在SO-8封装MOSFET中获得每管脚35A的输出电流。 在集成电路驱动的拓扑结构中,同时采用IR最新的IRF7822同步MOSFET及IR1176同步整流集成电路,隔离式变换器可在40A及1.5V输出电压环境下,并实现了85%的效率。     

IR发表直流—直流发展计划

未来的服务器、路由器及台式电脑的应用中,在1V电压下驱动先进微处理器运作的功能绝对不可缺少。国际整流器公司(IR)一直致力于通过开展直流—直流发展计划,为业界供应崭新的功率转换元件及封装技术。 IR去年的直流一直流计划以CopperStrap封装推出了     

用于直流变换器的SiC MOSFET驱动电路设计

碳化硅器件的优点不仅能提高电力电子装置功率密度,而且使设备体积小型化。文中设计了一种用于直流变换器的SiC MOSFET驱动电路,通过双脉冲电路对SiC MOSFET的动态特性进行测试,验证不同驱动电阻、不同频率对碳化硅功率器件特性的影响。在直流变换器中使用电压等级相同的SiC MOSFET和Si IGBT,对比开通和关断时间,将不同占空比对应的输出电压进行比较。利用PSpice软件仿真,结果显示驱动电路设计合理,验证了SiC MOSFET具有开关速度快、开关损耗小、驱动电阻小、工作频率高等优点,比Si IGBT控制的直流变换器输出电压误差小。     

IR全新30V DirectFET同步MOSFET-IRF6612 30V

功率半导体供应商国际整流器公司(International Rectifier,简称IR)推出了全新IRF6612 30V同步MOSFET,新器件采用IR专有的表面贴装DirectFET封装.IRF6612兼具低导通电阻(4.4mOhms@VGS=4.5V)和低封装电感,体现最佳性能组合,可用作非隔离直流-直流转换器中的同步整流器,大幅提升笔记本电脑和服务器的效率.IRF6612还可用于隔离式直流-直流转换器的付边同步整流,适用于网络及通信领域.     

电源技术

优化型DirectFET MOSFET 国际整流器公司(IR)在其DirectFET MOSFET系列中新增三款20V N沟道器件.该器件经过全面优化,适用于VRM10功率系统及新一代Intel和AMD处理器中的高频、大电流直流-直流转换器,应用范围包括高端台式计算机和服务器,及先进的电信和数据系统.     

动力源于不断创新——IR公司推出FlipFET^TM功率MOSFET

因拥有六角蜂巢式功率MOSFET技术而居业界领先地位的,著名功率半导体器件供应商国际整流器公司(IR),近日又推出了全新的FlipFET~(TM)功率MOSFET器件,开创了新一代芯片级封装器件结构的新技术。为配合该产品在中国的推出,IR公司于8月8日在北京香格里拉饭店专门举     

高降压比直流-直流变换器

美国试制成开关频率为7MHz、效率为71%的直流-直流变换器,用50V 输入电压得到了-5V 输出电压的高降压比,输出功率约50W。这个变换器不使用变压器而提高了开关频率,即从输入端经过电感连接的电容器由1个增加到 n 个,用 n 个电容器,n 个MOSFET 开关元件,2(n-1)个二极管构成的开关对     

IR新型同步整流集成电路

国际整流器公司(简称IR)推出专用同步整流集成电路IR1176.该产品能简化和改善隔离式直流-直流变换器设计,将其输出电压降至1.5V,全面提高电信及宽频网络服务器的效率.     

全新直流总线转换器芯片组

国际整流器公司(InternationalRectifier,IR)日前推出直流总线转换器芯片组 ,从而重新定义了用于电信及网络系统的48V输入、150W基板安装功率转换器的分布式电源架构。IR的直流总线转换器芯片组架构为整体效率、功率密度和简易性建立了全新基准 ,它能在小于1.7平方英寸的电路上和20A/150Wout条件下提供96 %以上的效率。该芯片组能节省53 %的体积 ,并可将隔离式转换器的元件数目由约50个大幅缩减至20个。全新芯片组包含一个IR2085S控制集成电路以及IRF7493原边和IRF6603副边HEXFET功率MOSFET各一对 ,加上用于原边偏压的IRF7380…     

IR崭新iPOWIR技术简化功率管理顺利完成第一阶段直流-直流发展计划

IR公司全新的iPOWIR技术,为各种计算及通信设备的板级直流-直流变换器提供崭新的设计方法。数字集成电路对功率的需求不断提高,同时要求驱动这些电路的变换器更加精巧。IR的iPOWIR技术突破了传统的功率转换限制,实现了更高的功率密度和运作效率,结构也更加简化。该技术能把对电路整体布局至关重要的功率半导体和无源元件集成起来,构成功能完善的基本模块,从而缩小变换器尺寸,简化功能系统结构,并缩短设计时间。IR自去年二月开始实施第三阶段直流-直流计划,iPOWIR技术的面市标志着该     

一种高效直流变换器

目前,广泛应用于电子线路中的晶体管直流变换器有效地解决了低压供电与高压直流用电之间的矛盾.但是,目前常用的单管式变换器(功率限使用在5瓦以下)及双管推挽式变换器,仍然存在一个明显的问题,即输入电压可变范围加宽后,效率降低.这虽说对实际使用不致产生很大影响,但对直流变换器的使用性能仍是一个主要缺点.因此,本文想针对目前常用的双管推挽式直流变换器提出一个改进的办法.介绍一种输入电压在20到40伏之间变化时,电路效率保持在78～80%的高效率的直流变换器电路.目前常用的变换器如图1所示,这里不包括控制部分,用基极等效电阻ABR代替固定电阻R_b.     

IR推出多用途80V MOSFET

功率半导体专家国际整流器公司 (InternationalRectifier,简称 IR)推出 IRF1312型 HEXFET功率MOSFET,额定电压达 80 V,可用作隔离式直流 -直流转换器中的原边和副边 MOSFET,专攻网络通信及数据通信系统领域。作为原边 MOSFET时 ,IRF1312能用于高达 6 0 V最大输入电压 ,因此最适用于 36 V至 6 0 V及 4 8V稳压输入母线隔离式直流 -直流转换器应用中的半桥或全桥结构。与同类 75 V MOSFET相比 ,其 80 V额定电压提供额外 6 %的防护带 ,使设计更加坚固耐用。作为副边 MOSFET时 ,IRF1312能在 12 V应用中提供比标准 75 V M…     

电源技术

国际整流器公司(IR)推出200V额定IRF7492及150V额定IRF7494HEXFETN沟道功率MOSFET,成功地把器件通态电阻减低高达56％。与市场上同类器件中相应通态电阻的电荷值相比,新器件的栅漏电荷减低达50％。若在典型的150W正激转换器应用中,以IR新一代SO-8 IRF7492或IRF7494取代业界标准SO-8器件,效率可提升0.5％,这将使器件结温降低15℃～20℃。新MOSFET专为正激或推挽式功率     

IR针对车用电源应用推出600V超高速开关、耐用高频IGBT

全球功率半导体和管理方案领导厂商—国际整流器公司推出高度创新的600 V车用IGBT平台COOLiRIGBT,适合电动车(EV)和混合动力车(HEV)中的各种高速开关应用,包括车载直流-直流转换器、电机驱动器、电池充电器等。IR新推出的这款第一代COOLiRIGBT器件能够以和MOSFET一样快的开关速度运行,同时在高电平下还提供更高的效率。第一代COOLiRIGBT器件适用于较广的电流范围,提供5μs的最小短路额定值、低Vce(on)和正Vce(on)温度系数。     

高效立体声D类音频功率放大器

IR公司推出用于中功率D类音频放大器的DirectFET MOSFET IR6665，器件的参数进行特别调整以改善音频性能如效率、总失真(THD)和功率密度。     

IR展示超小型DirectFET MOSFET

功率半导体公司——国际整流器公司(IR)9月推出了超小体积的控制和同步MOSFET芯片组,适用于必须达到小体积、高效率和最大导热性能要求的现有及新一代VRM10.x大电流同步降压转换器。最新IRF6608控制MOSFET的典型通态电阻 (RDS(on))为8.5mW,IRF6618同步MOSFET的典型通态电阻则为1.7mW,两者均采用IR的DirectFET封装。IRF6608的体积较标准SO-8封装小一半,它是首项采用崭新双面冷却、表面贴装式DirectFET“S”封装的HEXFET MOSFET。器件仅高0.7mm,远小于SO-8封装的1.75mm。与市场上的同类控制MOSFET产品相比,IRF6…     

LM2717型双降压直流/直流变换器的原理及其应用设计

LM2717是美国国家半导体公司推出的一款全新的高性能变换器,内含两个脉宽调制(PWM)直流/直流转换器,功能强大.介绍了该器件的主要参数、工作原理和引脚功能,讨论利用LM2717进行应用设计时选择外部器件的原则及设计中应注意的问题.     

高效直流/直流变流器集成电路

国际整流器公司 简称IR日前推出IR1175同步整流集成电路SRIC这是业内第一个专用单片集成电路可将隔离式直流／直流变流器的运作效率提高到90％。同时,它还能对栅驱动器进行编程,将同步整流器的损耗降至最低,并确保寄生二极管不导通。高效直流/直流变流器集成电路@小坤