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近年来,驱动类、音响类、接口类电路产品系列是CMOS集成电路发展的一个重要方向,这些电路中特有的高低压兼容结构是其重要的特点.相应地高低压兼容CMOS工艺技术应用也越来越广泛.本文研究了与常规CMOS工艺兼容的高压器件的结构与特性,在结构设计和工艺上做了大量的分析和实验,利用n-well和n管场注作漂移区,在没有增加任何工艺步骤的情况下,成功地将高压nMOS,pMOS器件嵌入在商用3.3/5V 0.5μm n-well CMOS工艺中.测试结果表明,高压大电流的nMOS管BVdssn达到23~25V,P管击穿BVdssp>19V. 相似文献
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近年来,驱动类、音响类、接口类电路产品系列是CMOS集成电路发展的一个重要方向,这些电路中特有的高低压兼容结构是其重要的特点.相应地高低压兼容CMOS工艺技术应用也越来越广泛.本文研究了与常规CMOS工艺兼容的高压器件的结构与特性,在结构设计和工艺上做了大量的分析和实验,利用n-well和n管场注作漂移区,在没有增加任何工艺步骤的情况下,成功地将高压nMOS,pMOS器件嵌入在商用3.3/5V 0.5μm n-well CMOS工艺中.测试结果表明,高压大电流的nMOS管BVdssn达到23~25V,P管击穿BVdssp>19V. 相似文献
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600 V高低压兼容BCD工艺及驱动电路设计 总被引:1,自引:0,他引:1
基于高压功率集成电路的关键参数性能要求和现有工艺条件,在国内3μmCMOS工艺基础上,开发出8~9μm薄外延上的600VLDMOS器件及高低压兼容BCD工艺,并设计出几款600V高压半桥栅驱动电路。该工艺在标准3μm工艺基础上增加N埋层、P埋层及P-top层,P埋层和P阱对通隔离,形成各自独立的N-外延岛。实验测试结果表明:LDMOS管耐压达680V以上,低压NMOS、PMOS及NPN器件绝对耐压达36V以上,稳压二极管稳压值为5.3V。按该工艺进行设计流片的电路整体参数性能满足应用要求,浮动偏置电压达780V以上。 相似文献
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上海华虹NEC电子有限公司工程一部 《中国集成电路》2007,16(7):36-37
1、简介项目名称:高压0.18μm先进工艺技术,该项目产品属于30V高工作电压的关键尺寸为0.18μm的逻辑器件。在8英寸硅片上经过32层光刻版制作完成的该产品集成了10余种晶体管,可广泛应用于手机、电脑、PDA、电视等液晶显示器的驱动器件。 相似文献
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美国和亚洲的制造厂商在研制专用集成电路(ASIC)的过程中现已采用亚微米技术。虽然有些厂商已开始采用0.25μm技术,但大多数ASIC产品都是采用0.5μm~0.35μm的CMOS工艺制造的。门数一般为50万门~100万门。日本有一家厂商宣称,它已开发出一个0.35μm系列款式的产品,其速度高达80ps, 相似文献
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提出实现VLSI的PSSWS(Poly Silicon Side Wall Spacer)—LDD(Lightly DopedDrain)结构,研究了它的形成工艺,获得多晶侧壁形成的优化工艺条件,制作出亚微米有效沟道长度的LDD NMOSFET。在器件性能研究和计算机模拟的基础上,得到PSSWS—LDDMOSFET的优化工艺实现条件;此条件下实现的有效沟道长为0.8μm的PSSWS—LDDNMOSFET,源漏击穿电压达20V,常规器件的小于16V;衬底电流较常规器件的减小约二个数量级。利用此优化条件,研制出高性能的1μm沟道长度的CMOS CD4007电路,2μm沟道长的21级CMOS环振,LSI CMOS 2.5μm沟道长度的门阵列电路GA 300 5SD。结果表明:PSSWS—LDD MOSFET性能衰退小,速度快,可靠性高,适用于VLSI的制造。 相似文献
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3.75GHz0.35μmCMOS1:4静态分频器集成电路设计 总被引:1,自引:0,他引:1
给出了一个利用0.35μm CMOS工艺实现的1:4静态分频器设计方法。该分频器采用源极耦合场效应管理逻辑电路,基本结构与T触发器相同。测试结果表明,当电源电压为3.3V、输入信号峰峰值为0.5V时,芯片可以工作在3.75GHz,功耗为78mW。 相似文献
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通过对传统两级单端运放结构的改进,设计了一种AB类输入和输出的全差分运放,在不损失增益的前提下提高了带宽和压摆率。本运放基于JAZZ 0.18μm CMOS工艺进行设计,为了保证设计的鲁棒性,仿真覆盖了全工艺角,结果表明,在3.3 V 10%的电源电压、5 p F的大负载电容、-40~125℃温度条件下,此运放的直流开环增益大于80 d B,单位增益带宽大于170.74 MHz,转换速率大于150 V/μm,静态电流最大为5.8 m A。此运放的版图面积很小,仅为0.017 mm2,通过寄生参数的提取进行了后仿真,其结果和前仿真结果拟合得很好。 相似文献
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丝网印刷碳纳米管薄膜的电子发射 总被引:1,自引:0,他引:1
将碳纳米管(CNT)浆料印刷在不锈钢衬底上,进行了特殊的热烧结和后处理工艺处理.经过特殊热烧结和后处理工艺处理后的试样,在外加电场后,电子发射的开启电场从2.50 V/μm降低到1.40 V/μm.外加电场为3.30 V/μm时场发射电流从8.50 μA/cm<'2>提高到350μA/cm2,场发射效率提高;当场强为4.0 V/μm时,阳极上荧光点的面密度约从(5~8)个/cm2提高到(22~26)个/cm2,发射均匀性得到有效的提高.讨论了丝网印刷CNT薄膜中电子的场发射实验,表明特殊的热烧结和后处理工艺使CNT之间的残留物厚度变薄,而且使更多的CNT均匀地露出薄膜表面,只有电子隧穿达到裸露的CNT才能有效地发生场发射. 相似文献
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将高压MOSFETs器件集成到低压CMOS数字和模拟电路中的应用越来越频繁。文章参考了Parpia提出结构,将高压NMOS、PMOS器件制作在商用3.3V/5V 0.5μmN-阱CMOS工艺中,没有增加任何工艺步骤,也没有较复杂BiCMOS工艺中用到的P-阱、P+、N+埋层,使用了PT注入。通过对设计结构的PCM测试,可以得到高压大电流的NMOS管BVdssn>23V~25V,P管击穿BVdssp>19V。同时,文章也提供了高压器件的设计思路和结果描述。 相似文献
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日本三菱电气公司新近开发了 a-Si TFT 的新工艺,为实现高性能 TFT LCD 创造了条件。下面作一介绍。1.制作工艺(1)TFT 结构TFTs 具有反相交错结构,图1为a-Si TFT 的剖面图。TFT 的 W/L 比为12μm/12μm。TFT LCD 的象素节距是318μm(V)×106μm(H),开口率为60%。 相似文献
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阐述了0.18μm射频nMOSFET的制造和性能.器件采用氮化栅氧化层/多晶栅结构、轻掺杂源漏浅延伸结、倒退的沟道掺杂分布和叉指栅结构.除0.18μm的栅线条采用电子束直写技术外,其他结构均通过常规的半导体制造设备实现.按照简洁的工艺流程制备了器件,获得了优良的直流和射频性能:阈值电压0.52V,亚阈值斜率80mV/dec,漏致势垒降低因子69mV/V,截止电流0.5nA/μm,饱和驱动电流458μA/μm,饱和跨导212μS/μm(6nm氧化层,3V驱动电压)及截止频率53GHz. 相似文献