基于星地链路的FPGA在轨可重构设计

随着信号处理算法的发展,人们对航天用现场可编程门阵列（Field Programmable Gate Array, FPGA）提出了算法可更新的需求。而传统的固定算法模式已经无法满足要求,所以星上FPGA在轨可重构设计成为了解决这一问题的关键。提出了一种基于星地链路的FPGA在轨可重构设计方案。通过星地链路上载配置数据并将其存入电可擦除只读存储器（Electrically Erasable Programmable Read Only Memory, EEPROM）内,然后利用反熔丝器件对FPGA进行大规模算法重配置操作。这项设计方案已经通过了相关验证,同时也提升了星载FPGA的灵活性。     

彩色电视机中的EEPROM器件

随着彩色电视机向高挡化、数字化发展,彩色电视机选台电路的节目存储器采用了近年出现的EEPROM集成电路。EEPROM即为电可改写可编程只读存储器,又称EAROM或E~2PROM。(Electrocally Programmable Read Only Memory),索尼(SONY)彩色电视机中的CXK1001P,黄龙EC-2061DX彩色电视机中的MDA2061等均为此类器件。     

EEPROM耐久和数据保持试验方法标准分析

介绍了存储器分类,论述非易失性存储器编程机理以及编程/擦除耐久和数据保持试验方法,分析了MIL-STD-883B中的《耐久寿命试验》和JESD22-A117《电可擦除可编程只读存储器(EEPROM)编程/擦除耐久和数据保持应力试验》等试验方法标准.     

串行EEPROM的发展趋势

非易失存储器有很多类型,容量也各不相同.这种存储器的涵盖范围很广,从价格低廉但灵活性不强的只读存储器(ROM)一直到价格昂贵但十分灵活的电可擦可编程存储器(EEPROM).各类非易失存储器之间的主要差别是编程和擦除的灵活性.ROM具有结构最紧凑的芯片存储器阵列布局,因而价格最低,但是存储器内容在生产阶段是固定的.比较灵活的是一次可编程 EPROM(OTP ROM).这种存储器在生产后可以电编程一次,这就使用户在设备组装时有能力把最新版本的内容装入存储器.EPROM具有类似的性能,但是又增加了另一层灵活性,同为它还可以暴露在强紫外(UV)光下擦除后重新编程.但是,擦除时间需要20分钟,而且重新编程是用一个专用编程器完成的.     

RS45C：16位安全MCU

Reneses推出面向高度安全性智能卡应用的安全MCURS45C,采用RS．4高性能16位CPU内核构建,集成了36kB电可擦除和可编程只读存储器（EEPROM）以及224kB的大容量掩模ROM。     

64kB电可擦除只读存储器研究与设计

文章通过对电可擦除可编程只读存储器工作原理的研究,掌握了该存储器的设计技术和工艺加工技术,特别是关键模块（如软硬件数据保护、页写、全片擦除等）的设计技术,在此基础上研制了一种存储容量为64kB的EEPROM。64kB EEPROM的特殊结构保证了电可擦除可编程存储器的高性能和可制造性;器件利用内部错误诊断来增强数据的耐久性,同时改进了数据的保存特性;同时可选择的软件数据保护机制用于预防误写入。有关方面研究工作将对后续同类产品的研制起到积极的作用。     

美国国家半导体可在系统内编程的模拟技术

美国国家半导体公司近日分别在亚洲各地举办研讨会,介绍该公司专为其COP8~(TM)微控制器系列而设计、并可支持系统内编程的先进模拟技术。这种采用片上仿真及小粒度电子可擦除可编程只读存储器(EEPROM)程序     

大规模存储器电离辐射试验方法

提出了大规模存储器总剂量效应实验方法,给出了随机存储器(SRAM)、电擦除电编程只读存储器(EEPROM) 和闪速存储器(Flash ROM)的60Co γ总剂量效应,以及辐照后在100 ℃高温条件下退火的实验结果.对实验现象进行了分析.     

浅谈手机存储器与软件故障

手机是一种特殊的电子产品,其特点是采用微电子器件和表面贴装工艺,集成度高,体积小,CPU控制,软件管理。软件存放于手机的存储器中。存储器用来存储二进制数据,内有许多存储单元。手机中的存储器有多种类型。1.RAM(随机读写存储器):用来存放运行中的临时数据,可提供数据的运行空间,实际是一个数据缓冲区。特点是可随机存取,但断电后数据会丢失。2.ROM(只读存储器):通常由厂家写入数据,用户无法改写。3.PROM(可编程只读存储器):可供用户编程,但改写比较麻烦,适于存储固定程序。4.EPROM(电可编程只读存储器):可实现电改写,而且改写比较方便,在手机中多作为字库,存放文     

高兼容CMOS工艺嵌入EEPROM技术

电可擦除只读存储器是非易失性存储器。文章介绍了高兼容常规CMOS工艺的一种嵌入式电可擦除只读存储器设计与工艺技术,对电可擦除只读存储器单元、高压MOS器件的结构与技术进行了研究。研究结果表明,我们设计的0．8μm电可擦除只读存储器单元Vpp电压在13V～15V之间能够正常工作,擦写时间小于500μs,读出电流大于160μA／μm;在普通CMOS工艺基础上增加了BN＋埋层、隧道窗口工艺,成功应用于含嵌入电可擦除只读存储器的可编程电路的设计与制造。     

一种用于温补晶振的EEPROM修调电路设计

设计了一种用于温度补偿晶体振荡器(TCXO)的数字修调电可擦除只读存储器(EEPROM)电路.该电路具有正常工作模式和RAM WRITE、EEPROM WRITE、EEPROM READ三种测试模式,用于TCXO中模拟补偿电压的修调.在SMIC 0.35μm工艺下,采用HSPICE工具对设计的电路进行了仿真与验证,结果表明该电路具有可靠性高和功耗低的优点.     

M24LR04E-R：NFC／RFID标签解决方案

ST公司的M24LR04E-R是集成了双路接口的电擦除可编存储器（EEPROM），包括I2C模式的512x8bits和RF模式的128x32bitsRF，同时具有能量采集的模拟输出，以及用户可编程的数字输出和密码保护。器件主要用作NFC／RFID标签。     

世界EEPROM市场增长惊人

据世界半导体市场统计组织(WSTS)的预测,电可擦可编程只读存储器(EEPROM)有关产品(包括EEPROM和闪速EEPROM等)的市场规模将迅速扩大,1992～1996年间的平均年增长率可达47.5%,1996年将接近SRAM的市场规模,其中闪速EEPROM增长率尤其迅速.     

半导体业界的大赢家2000年存储器市场风云回顾

2000年,对半导体市场来说是激动人心的一年。据SIA（半导体行业协会）报道：全球半导体销售首次突破2000亿美元,达到2050亿美元,比1999年增长37．1％。其中,存储器市场秉承99年发展事态,以势如破竹之势获得迅猛发展,DRAM（动态读写存储器）、Flash（闪存）、SRAM（静态随机存取存储器）、EPROM（可擦除式可编程只读存储器）、EEPROM（电可擦处可编程只读存储器）市场都有不同程度的窜升,尤以Flash市场战绩最为显赫,在全球通信行业的发展热浪的推动下获得248％的增长率。二十一世纪的今天,让我们重温二十世纪最后一年存储器行业曾经的辉煌。     

电可擦除IC的发展及关键技术（二）

三、闪烁存储器闪烁存储器是在1987年提出来的[11]，是EEPROM走向成熟和半导体生产技术发展到1μm以下以及对大容量电可擦除存储器要求的产物。本节首先介绍EEPROM的版图结构、电路（单元）结构及阵列结构；在分析了闪烁存储器市场之后，再对EEPROM和闪烁在储器的性能进行对比。1．闪烁存储器的特点闪烁存储器的版图结构类似EPROM[24][17]，如图12所示[17]。与BEPROM不同之处是它没有所谓的隧道孔。编程（给浮栅充电）机理是利用热电子注入，这一点与EPROM相同，而与EEPROM不同。图13给出了闪烁存储器单元的电路图，实际上…     

闪速存储器介绍

闪速存储器介绍刘自平郭庆利闪速电擦除可编程存贮器（ＦＬＡＳＨＥＥＰＲＯＭ）简称闪速存贮器。是继电擦除可编程存贮器（ＥＥＰＲＯＭ）之后出现的新一代可在线编程，掉电后数据不丢失（非挥发性）存贮器。闪速存贮器通常在编程前要先擦除，擦除后的单元是“１”。若...     

Kinetis系列：32位MCU

飞思卡尔（Freescale）日前推出了基于新ARMCortex-M4处理器的90纳米32位MCUKinetis系列。该系列采用飞思卡尔90纳米薄膜存储器（TFS）技术和FlexMemory功能（可配置的电子可擦除、可编程、只读存储器EEPROM）。新MCU还使用与ColdFire＋MCU相同的软件支持工具和超低功耗灵活性,使客户能够轻松地为其最终应用选择解决方案。     

业界要闻

华虹NEC推出业界领先的0.13微米嵌入式EEPROM解决方案上海华虹NEC电子有限公司日前宣布,公司基于0.13微米嵌入式闪存(eFlash)工艺平台,成功开发出面向高性能智能卡、信息安全及微处理器等应用的嵌入式EEPROM(电可擦可编程只读存储器)解决方案,该方案是在已有的0.13微米嵌入式Flash平台上开发的,实现了Flash和EEPROM的完     

帆板控制设计方案选择

本系统采用1片宏晶科技公司的STC89C52单片机作为系统的控制器件,是一种带4K字节闪烁可编程可擦除只读存储器的低电压,高性能CMOS8位微处理器——具有4K字节可编程闪烁存储器,可擦除的的只读存储器(PEROM)。     

爱特梅尔嬴得专利诉讼

爱特梅尔(ATMEL)公司（那斯达克ATML）2000年10月17日宣布了美国国际贸易委员会(ITC)编号为337-TA-395的调查结果及最终裁定以及有限驱逐令。美国国际贸易委员会发现：在可擦可编程只读存储器(EPROM)，电可擦可编程只读存储器(EEPROM)，快闪存储器(Flash)以及快闪存储器微处理器等半导体器件以及产品领域中，爱特梅尔公司的编号为4,451,903美国专利是有效的，可执行的。 另外，美国国际贸易委员会宣布了有限驱逐令以禁止“侵权的可擦可编程只读存储器，电可擦可编程只读存储器，快闪存储器以及快闪存储器微处理器等半导体器件以及包含这些器件的电子产品进入美国市场”。ITC进一决定，“根据关税法337(j)条款的规定，在等待总统通知委员会关于驱逐令的最终决定的60天期限内，侵权器件以及包含这些器件的电子产品只有缴纳每件0.78美元后才能够进入美国市场”。